【技术实现步骤摘要】
本公开内容的实施例属于集成电路结构和处理的领域，并且特别地，属于具有电介质锚和受限外延源极或漏极结构的集成电路结构，以及制造具有电介质锚和受限外延源极或漏极结构的集成电路结构的方法。
技术介绍
1、在过去的几十年里，集成电路中特征的缩小已经成为不断增长的半导体工业背后的驱动力。缩小到越来越小的特征使得能够在半导体芯片的有限基板面积(real estate)上增加功能单元的密度。例如，缩小晶体管尺寸允许在芯片上并入更多数量的存储器或逻辑器件，从而有助于制造具有增加容量的产品。然而，对越来越大容量的驱动并不是没有问题。优化每个器件的性能的必要性变得日益重要。
2、在集成电路器件的制造中，随着器件尺寸不断缩小，多栅极晶体管(例如，三栅极晶体管)已经变得更加普遍。在传统工艺中，三栅极晶体管通常在体硅衬底或绝缘体上硅衬底上制造。在一些情况下，优选体硅衬底，因为它们的成本较低，并且因为它们能够实现不太复杂的三栅极制造工艺。在另一方面中，当微电子器件尺寸缩小到小于10纳米(nm)节点时，保持迁移率的改进和短沟道控制在器件制造中提出了挑战。用于制造器件的纳米线提供了改进的短沟道控制。
3、然而，缩小多栅极和纳米线晶体管并非没有后果。随着微电子电路系统(circuitry)的这些基本构建块的尺寸减小，以及随着在给定区域中制造的基本构建块的绝对数量增加，对用于图案化这些构建块的光刻工艺的约束已变得难以承受。特别地，在半导体堆叠体中图案化的特征的最小尺寸(临界尺寸)与这些特征之间的间隔之间可能存在折衷。
本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：
3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述电介质锚具有在所述第一鳍状物的顶部和所述第二鳍状物的顶部下方的顶表面。
4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述电介质锚具有与所述第一鳍状物的顶部和所述第二鳍状物的顶部处于相同水平面的顶表面。
5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述电介质锚具有在所述第一鳍状物结构的顶部和所述第二鳍状物结构的顶部上方的顶表面。
6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一鳍状物在第一子鳍状物上方，并且所述第二鳍状物在第二子鳍状物上方。
7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述电介质锚在沟槽隔离结构之上。
8.一种集成电路结构，包括：
9.根据权利要求8所述的集成电路结构，还包括：
10.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述电介质结构具有在所述第一半导体鳍状物的顶部和所述第二半导体鳍状物的顶部下方的顶表面。
11.根
12.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述第一半导体鳍状物在第一子鳍状物上方，并且所述第二半导体鳍状物在第二子鳍状物上方。
13.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述电介质结构在沟槽隔离结构之上。
14.一种集成电路结构，包括：
15.根据权利要求14所述的集成电路结构，还包括：
16.根据权利要求14所述的集成电路结构，其中，所述电介质锚具有在所述第一纳米线的堆叠体的顶部和所述第二纳米线的堆叠体的顶部下方的顶表面。
17.根据权利要求14所述的集成电路结构，其中，所述电介质锚具有与所述第一纳米线的堆叠体的顶部和所述第二纳米线的堆叠体的顶部处于相同水平面的顶表面。
18.根据权利要求14所述的集成电路结构，其中，所述电介质锚具有在所述第一纳米线的堆叠体结构的顶部和所述第二纳米线的堆叠体结构的顶部上方的顶表面。
19.根据权利要求14所述的集成电路结构，其中，所述第一纳米线的堆叠体在第一子鳍状物上方，并且所述第二纳米线的堆叠体在第二子鳍状物上方。
20.根据权利要求14所述的集成电路结构，其中，所述电介质锚在沟槽隔离结构之上。
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：
3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述电介质锚具有在所述第一鳍状物的顶部和所述第二鳍状物的顶部下方的顶表面。
4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述电介质锚具有与所述第一鳍状物的顶部和所述第二鳍状物的顶部处于相同水平面的顶表面。
5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述电介质锚具有在所述第一鳍状物结构的顶部和所述第二鳍状物结构的顶部上方的顶表面。
6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一鳍状物在第一子鳍状物上方，并且所述第二鳍状物在第二子鳍状物上方。
7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述电介质锚在沟槽隔离结构之上。
8.一种集成电路结构，包括：
9.根据权利要求8所述的集成电路结构，还包括：
10.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述电介质结构具有在所述第一半导体鳍状物的顶部和所述第二半导体鳍状物的顶部下方的顶表面。
11.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述电介质结构具有与所述第一半导体鳍状物的顶部和所述第二半导体鳍状...
【专利技术属性】
技术研发人员：L·P·古勒尔，T·加尼，C·H·华莱士，M·K·哈兰，M·哈桑，A·纳瓦比设拉子，A·B·加德纳，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。