【技术实现步骤摘要】
本公开涉及显示装置，尤其涉及一种阵列基板及其显示装置。
技术介绍
1、电子纸(electronic paper)是一种超薄、超轻显示器件，电子纸显示器件也称电子墨水屏，电子纸的显示效果接近于自然纸张效果，可以避免阅读疲劳。电子纸显示器件具有低功耗、阅读舒适、超薄轻便以及可弯曲的特性，因此具有广阔的发展前景。
2、相关技术的电子纸显示装置在显示时，显示内容会出现残影(ghosting)，导致显示不良。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种阵列基板及其显示装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
2、作为本公开实施例的第一方面，本公开实施例提供一种阵列基板，包括：
3、衬底基板；
4、薄膜晶体管层，位于衬底基板的一侧，薄膜晶体管层包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括沟道部；
5、钝化层，位于薄膜晶体管层背离衬底基板的一侧；
6、像素电极层，位于钝化层背离衬底基板的一侧，像素电极层包括像素电极，像素电极与薄膜晶体管耦接，像素电极在衬底基板上的正投影与沟道部在衬底基板上的正投影无交叠，像素电极的结构被设置为增强像素电极的第一预设部分的电荷量并降低像素电极的第二预设部分的电荷量，第一预设部分为像素电极中靠近沟道部的部分，第二预设部分与第一预设部分无交叠。
7、在一些可能的实现方式中，像素电极包括第一部分和第二部分，第一部分围绕第二部分周侧设置，第二部分背离衬底基板一侧表面与衬底基板之间的距离小于第一部
8、在一些可能的实现方式中，像素电极设置有凹槽，凹槽所在区域形成第二部分，围绕凹槽的部分形成第一部分。
9、在一些可能的实现方式中，像素电极还包括多个支撑部，支撑部间隔分布在第二部分背离衬底基板一侧的表面上。
10、在一些可能的实现方式中，支撑部背离衬底基板一侧表面为平坦表面，支撑部背离衬底基板一侧表面与第一部分背离衬底基板一侧表面平齐设置。
11、在一些可能的实现方式中，第一部分的厚度为h1，第二部分的厚度为h2，h1<2h2，且h2的范围为45nm～60nm，第一部分的厚度为第一部分背离衬底基板一侧表面与第一部分靠近衬底基板一侧表面之间的距离，第二部分的厚度为第二部分背离衬底基板一侧表面与第二部分靠近衬底基板一侧表面之间的距离。
12、在一些可能的实现方式中，第一部分背离衬底基板一侧的表面面积为s1，支撑部背离衬底基板一侧的表面面积之和为s2，像素电极在衬底基板上的正投影面积为s3，(s1+s2)/s3≥10％；和/或，s2/s1≥10％。
13、在一些可能的实现方式中，支撑部等间距阵列分布在第二部分背离衬底基板一侧表面上。
14、在一些可能的实现方式中，第一部分与第二部分的连接处为弧形，且第二部分与支撑部的连接处为弧形。
15、在一些可能的实现方式中，像素电极的靠近沟道部的边缘设置有朝向沟道部一侧凸出的多个棱峰，第一预设部分包括像素电极的靠近沟道部的边缘部。
16、在一些可能的实现方式中，棱峰的形状包括锯齿状、方波状中的至少一种。
17、在一些可能的实现方式中，在平行于衬底基板的平面上，棱峰在垂直于棱峰排列方向的尺寸与像素电极在垂直于棱峰排列方向的尺寸的比值大于1％；和/或，棱峰在垂直于棱峰排列方向的尺寸与像素电极在垂直于棱峰排列方向的尺寸的比值小于10％。
18、作为本公开实施例的第二方面，本公开实施例提供一种阵列基板，包括：
19、衬底基板；
20、薄膜晶体管层，位于衬底基板的一侧，薄膜晶体管层包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括沟道部；
21、钝化层，位于所述薄膜晶体管层背离所述衬底基板的一侧
22、像素电极层，位于钝化层的背离衬底基板的一侧，像素电极层包括像素电极，像素电极与薄膜晶体管耦接，像素电极在衬底基板上的正投影与沟道部在衬底基板上的正投影无交叠；
23、其中，像素电极包括围绕沟道部且依次嵌套间隔设置的多个环形电极部，相邻的环形电极部之间通过桥接部连接。
24、在一些可能的实现方式中，桥接部的宽度大于环形电极部的宽度的2倍，桥接部的宽度为桥接部沿环形电极部周向方向的尺寸，环形电极部的宽度为垂直于环形电极部周向方向的尺寸。
25、在一些可能的实现方式中，所述阵列基板还包括多条数据线和多条栅线，所述数据线沿第一方向排布，所述栅线沿第二方向排布，多条数据线和多条栅线相互交叉限定出子像素区域，所述像素电极位于所述子像素区域，所述薄膜晶体管包括第一极和栅极，所述第一极与所述沟道部连接，所述第一极通过第一金属连接线与所述数据线连接，所述栅极通过第二金属连接线与所述栅线连接，其中，所述第一金属连接线包括至少两条并行的第一支线；和/或，所述第二金属连接线包括至少两条并行的第二支线。
26、在一些可能的实现方式中，所述环形电极部的宽度大于等于所述第一支线的宽度，所述环形电极部的宽度为垂直于所述环形电极部周向方向的尺寸，所述第一支线的宽度为所述第一支线沿所述环形电极部周向方向的尺寸；和/或，所述环形电极部的宽度大于等于所述第二支线的宽度，所述环形电极部的宽度为垂直于所述环形电极部周向方向的尺寸，所述第二支线的宽度为所述第二支线沿所述环形电极部周向方向的尺寸。
27、在一些可能的实现方式中，第一支线的宽度为3μm-10μm；和/或，第二支线的宽度为3μm-10μm。
28、作为本公开实施例的第三方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括本公开任一实施例的阵列基板，显示装置还包括对向基板和带电微粒层，阵列基板与对向基板相对设置，对向基板朝向阵列基板的一侧设置有透明电极层，带电微粒层位于阵列基板和对向基板之间，带电微粒层包括带电微粒，带电微粒在透明电极层和像素电极的电场作用下显示。
29、在一些可能的实现方式中，带电微粒包括第一颜色微粒和第二颜色微粒，所述像素电极和所述透明电极层施加不同的预设电压，使第一颜色微粒和第二颜色微粒分别进行显示。
30、本公开实施例的技术方案可以得到如下有益效果：此阵列基板，可以平衡像素电极第一预设部分和第二预设部分的电荷量，解决了阵列基板应用在显示装置导致残影不良的问题。
31、上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括第一部分和第二部分，所述第一部分围绕所述第二部分周侧设置，所述第二部分背离所述衬底基板一侧表面与所述衬底基板之间的距离小于所述第一部分背离所述衬底基板一侧表面与所述衬底基板之间的距离，所述第一预设部分包括所述第一部分。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极设置有凹槽，所述凹槽所在区域形成所述第二部分，围绕所述凹槽的部分形成所述第一部分。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极还包括多个支撑部，所述支撑部间隔分布在所述第二部分背离所述衬底基板一侧的表面上。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述支撑部背离所述衬底基板一侧的表面为平坦表面，所述支撑部背离所述衬底基板一侧表面与所述第一部分背离所述衬底基板一侧表面平齐设置。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一部分的厚度为h1，所述第二部分的厚度为h2，h1<2h2，且h2的范围为45nm～60nm，所
7.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一部分背离所述衬底基板一侧的表面面积为S1，所述支撑部背离所述衬底基板一侧的表面面积之和为S2，所述像素电极在所述衬底基板上的正投影面积为S3，(S1+S2)/S3≥10％；和/或，S2/S1≥10％。
8.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述支撑部等间距阵列分布在所述第二部分背离所述衬底基板一侧表面上。
9.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一部分与所述第二部分的连接处为弧形，且所述第二部分与所述支撑部的连接处为弧形。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极的靠近所述沟道部的边缘设置有朝向所述沟道部一侧凸出的多个棱峰，所述第一预设部分包括所述像素电极的靠近所述沟道部的边缘部。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述棱峰的形状包括锯齿状、方波状中的至少一种。
12.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，在平行于所述衬底基板平面上，所述棱峰在垂直于所述棱峰排列方向的尺寸与所述像素电极在垂直于所述棱峰排列方向的尺寸的比值大于1％；和/或，所述棱峰在垂直于所述棱峰排列方向的尺寸与所述像素电极在垂直于所述棱峰排列方向的尺寸的比值小于10％。
13.一种阵列基板，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，所述桥接部的宽度大于所述环形电极部的宽度的2倍，所述桥接部的宽度为所述桥接部沿所述环形电极部周向方向的尺寸，所述环形电极部的宽度为垂直于所述环形电极部周向方向的尺寸。
15.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括多条数据线和多条栅线，所述数据线沿第一方向排布，所述栅线沿第二方向排布，多条数据线和多条栅线相互交叉限定出子像素区域，所述像素电极位于所述子像素区域，所述薄膜晶体管包括第一极和栅极，所述第一极与所述沟道部连接，所述第一极通过第一金属连接线与所述数据线连接，所述栅极通过第二金属连接线与所述栅线连接，其中，所述第一金属连接线包括至少两条并行的第一支线；和/或，所述第二金属连接线包括至少两条并行的第二支线。
16.根据权利要求15所述的阵列基板，其特征在于，所述环形电极部的宽度大于等于所述第一支线的宽度，所述环形电极部的宽度为垂直于所述环形电极部周向方向的尺寸，所述第一支线的宽度为所述第一支线沿所述环形电极部周向方向的尺寸；和/或，所述环形电极部的宽度大于等于所述第二支线的宽度，所述环形电极部的宽度为垂直于所述环形电极部周向方向的尺寸，所述第二支线的宽度为所述第二支线沿所述环形电极部周向方向的尺寸。
17.根据权利要求16所述的阵列基板，其特征在于，所述第一支线的宽度为3μm-10μm；和/或，所述第二支线的宽度为3μm-10μm。
18.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至17任一项所述的阵列基板，所述显示装置还包括对向基板和带电微粒层，所述阵列基板与所述对向基板相对设置，所述对向基板朝向所述阵列基板的一侧设置有透明电极层，所述带电微粒层位于所述像素电极和所述透明电极层之间，所述带电微粒层包括带电微粒，所述带电微粒在所述透明电...
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括第一部分和第二部分，所述第一部分围绕所述第二部分周侧设置，所述第二部分背离所述衬底基板一侧表面与所述衬底基板之间的距离小于所述第一部分背离所述衬底基板一侧表面与所述衬底基板之间的距离，所述第一预设部分包括所述第一部分。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极设置有凹槽，所述凹槽所在区域形成所述第二部分，围绕所述凹槽的部分形成所述第一部分。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极还包括多个支撑部，所述支撑部间隔分布在所述第二部分背离所述衬底基板一侧的表面上。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述支撑部背离所述衬底基板一侧的表面为平坦表面，所述支撑部背离所述衬底基板一侧表面与所述第一部分背离所述衬底基板一侧表面平齐设置。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一部分的厚度为h1，所述第二部分的厚度为h2，h1<2h2，且h2的范围为45nm～60nm，所述第一部分的厚度为所述第一部分背离所述衬底基板一侧表面与所述第一部分靠近所述衬底基板一侧表面之间的距离，所述第二部分的厚度为所述第二部分背离所述衬底基板一侧表面与所述第二部分靠近所述衬底基板一侧表面之间的距离。
7.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一部分背离所述衬底基板一侧的表面面积为s1，所述支撑部背离所述衬底基板一侧的表面面积之和为s2，所述像素电极在所述衬底基板上的正投影面积为s3，(s1+s2)/s3≥10％；和/或，s2/s1≥10％。
8.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述支撑部等间距阵列分布在所述第二部分背离所述衬底基板一侧表面上。
9.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一部分与所述第二部分的连接处为弧形，且所述第二部分与所述支撑部的连接处为弧形。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极的靠近所述沟道部的边缘设置有朝向所述沟道部一侧凸出的多个棱峰，所述第一预设部分包括所述像素电极的靠近所述沟道部的边缘部。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述棱峰的形状包括锯齿状、方波状中的至少一种。
12.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，在平行...
【专利技术属性】
技术研发人员：任尚轩，刘汉青，田鹏程，宋美娇，李鑫，毛磊，马俊如，郭俊，邹浩伟，郭洪文，张瑞广，刘旭，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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