【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种标准单元、集成电路、标准单元库及电子设备。
技术介绍
1、标准单元库(standard cell library)包括版图库、符号库、电路逻辑库等，是集成电路芯片后端设计过程中的基础部分。当前鳍式场效应晶体管(fin field-effecttransistor，finfet)技术节点的标准单元库中，按照标准单元(stand-cell，stc)之间隔离类型进行划分，可将标准单元分为三类：双扩散断裂(double diffusion break，ddb)标准单元、单扩散断裂(single diffusion break，sdb)标准单元以及混合扩散断裂(mixdiffusion break，mdb)标准单元。
2、ddb标准单元具有较低的制备成本，sdb标准单元具有较小的设计面积，mdb标准单元具有更优异的性能。三种类型的标准单元有着各自的优点，如何使三种类型的标准单元可以随意拼接成为本领域技术人员需要解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种标准单元、集成电路、标准单元库及电子设备，用于优化标准单元的结构，以实现不同类型的标准单元可以随意拼接。
2、为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：
3、本申请实施例的第一方面，提供一种标准单元，该标准单元为集成电路中具有特定电路功能的标准单元。标准单元可以是ddb标准单元或者mdb标准单元。标准单元包括第一有源区和第二有源区，第一有源区沿第二方向延伸，第二有源区
4、由于传统的ddb标准单元和mdb标准单元中向第二栅条外扩散的部分的宽度为第一栅条和第二栅条的排布间距的一半(例如0.5个接触多晶硅间距cpp)，因此，传统的ddb标准单元和mdb标准单元相对传统sdb标准单元单侧扩展半个间距(0.5个cpp)，导致传统的ddb标准单元和mdb标准单元与传统sdb标准单元的无法对位拼接。本申请实施例提供的ddb标准单元或者mdb标准单元，通过将标准单元中向第二栅条外扩散的部分(间隔区和第一沟槽隔离区)的宽度设置为与第一栅条和第二栅条的排布间距(1个cpp)相等，而不再是前述间距的一半(0.5个cpp)。使得沿宽度方向，本申请实施例提供的标准单元相对传统sdb标准单元单侧扩展一个前述间距(1个cpp)。那么，标准单元拼接时，拼接线距第二栅条的距离为前述间距(cpp)的整数倍。不同类型的标准单元可以直接相邻设置，以实现不同类型标准单元的混合拼接。解决因标准单元之间拼接对齐方式不同，导致同等高度(或者高度为整数倍)、不同类型的标准单元之间不能在一个集成电路中相互兼容的问题，从而实现hdb技术的应用。
5、在一种可能的实现方式中，第二栅条包括第一阻隔栅、第一阻隔部以及第一扩散断裂；第一阻隔部位于第一阻隔栅和第一扩散断裂之间；沿垂直于衬底的方向(第三方向)，第一扩散断裂延伸至第一有源区靠近衬底的底面，第一阻隔栅位于第二有源区远离衬底一侧。标准单元可以为mdb标准单元，以实现mdb标准单元与sdb标准单元的混合拼接。
6、在一种可能的实现方式中，间隔区与第一有源区为同种类型的有源区。这样一来，形成第一有源区时即可同步形成间隔区，无需对单独的工艺来形成间隔区，可简化工艺。
7、在一种可能的实现方式中，第二栅条位于第一有源区和第二有源区远离衬底一侧；间隔区为第二沟槽隔离区。标准单元可以为ddb标准单元，以实现ddb标准单元与sdb标准单元的混合拼接。
8、在一种可能的实现方式中，标准单元还包括两个第一拼接条；沿第二方向，两个第二栅条位于两个第一拼接条之间，第一拼接条与第二栅条之间的距离等于上述间距。通过设置第一拼接条，可以提高标准单元的对位拼接精准度。
9、在一种可能的实现方式中，第一拼接条与第一栅条同层设置。这样一来，第一拼接条可以和第一栅条采用相同工艺同步形成，可简化工艺。
10、在一种可能的实现方式中，沿垂直于衬底的方向，第一拼接条延伸至间隔区和第一沟槽隔离区靠近衬底的底面。这样一来，第一拼接条直接为扩散断裂，可降低与其拼接的标准单元对阻隔扩散的结构要求。
11、在一种可能的实现方式中，标准单元还包括两个第二拼接条；沿第二方向，两个第二栅条位于两个第二拼接条之间；沿垂直于衬底的方向，第二拼接条延伸至第一有源区和第二有源区靠近衬底的底面。通过在标准单元中增加第二拼接条，标准单元的单侧宽度向外扩展至少2个cpp，标准单元内部实现扩散中断，设计使用时，标准单元可以直接相邻，不需要预留至少1个cpp的间隙。
12、在一种可能的实现方式中，标准单元还包括位于第二拼接条朝向第二栅条一侧的两个第一扩展有源区和两个第二扩展有源区；沿第二方向，两个间隔区位于两个第一扩展有源区之间，两个第一沟槽隔离区位于两个第二扩展有源区之间；第一扩展有源区与第一有源区为同种类型的有源区，第二扩展有源区与第二有源区为同种类型的有源区。通过将间隔区两侧的区域设置为第一扩展有源区，将第一沟槽隔离区两侧的结构设置为第二扩展有源区，可以提升标准单元的性能。
13、在一种可能的实现方式中，标准单元还包括多个扩展栅条，扩展栅条位于第二拼接条朝向第二栅条一侧。通过在标准单元中增加扩展栅条，可改变标准单元的宽度，但不改变标准单元的性能，以满足不同版图布局的需求。
14、在一种可能的实现方式中，沿第二方向，第二拼接条、扩展栅条、第一拼接条、第二栅条以及第一栅条等间距排布。这是一种可能的实现方式。
15、在一种可能的实现方式中，标准单元还包括栅连接孔，栅连接孔与第一栅条连通。这是一种可能的实现方式。
16、本申请实施例的第二方面，提供一种集成电路，集成电路包括第一标准单元和第二标准单元，第一标准单元与第二标准单元沿与第一栅条相交的方向并排设置；第一标准单元为第一方面任一项的标准单元，和/或，第二标准单本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种标准单元，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的标准单元，其特征在于，所述第二栅条包括第一阻隔栅、第一阻隔部以及第一扩散断裂；所述第一阻隔部位于第一阻隔栅和所述第一扩散断裂之间；
3.根据权利要求1或2所述的标准单元，其特征在于，所述间隔区与所述第一有源区为同种类型的有源区。
4.根据权利要求1所述的标准单元，其特征在于，所述第二栅条位于所述第一有源区和所述第二有源区远离所述衬底一侧；所述间隔区为第二沟槽隔离区。
5.根据权利要求1-4任一项所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括两个第一拼接条；
6.根据权利要求5所述的标准单元，其特征在于，
7.根据权利要求1-6任一项所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括两个第二拼接条；
8.根据权利要求7所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括位于所述第二拼接条朝向所述第二栅条一侧的两个第一扩展有源区和两个第二扩展有源区；
9.根据权利要求7或8所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括多个扩展栅条，所述扩
10.根据权利要求9所述的标准单元，其特征在于，沿所述第二方向，所述第二拼接条、所述扩展栅条、所述第一拼接条、所述第二栅条以及所述第一栅条等间距排布。
11.根据权利要求1-10任一项所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括栅连接孔，所述栅连接孔与所述第一栅条连通。
12.一种集成电路，其特征在于，包括第一标准单元和第二标准单元，所述第一标准单元与所述第二标准单元沿与第一栅条相交的方向并排设置；所述第一标准单元为权利要求1-11任一项所述的标准单元，和/或，所述第二标准单元为权利要求1-11任一项所述的标准单元。
13.根据权利要求12所述的集成电路，其特征在于，所述第二标准单元为单扩散断裂标准单元；所述单扩散断裂标准单元包括与所述第二栅条平行设置的两个第二扩散断裂；所述间隔区和所述第一沟槽隔离区位于相邻设置的所述第二栅条与所述第二扩散断裂之间。
14.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述间隔区及所述第一沟槽隔离区与所述第二扩散断裂的侧面接触。
15.根据权利要求13所述的集成电路，其特征在于，所述第二扩散断裂与所述间隔区之间还设置有第一扩展有源区，所述第二扩散断裂与所述第一沟槽隔离区之间还设置有第二扩展有源区。
16.根据权利要求12所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路包括与所述第一栅条平行的两个第三扩散断裂，所述第三扩散断裂延伸至第一有源区靠近所述衬底的底面；所述第一标准单元的间隔区设置在所述第三扩散断裂朝向第二栅条一侧，所述第二标准单元的间隔区设置在另一个所述第三扩散断裂朝向边缘栅一侧；
17.根据权利要求12所述的集成电路，其特征在于，所述第一标准单元和所述第二标准单元包括第二拼接条；
18.根据权利要求12所述的集成电路，其特征在于，所述第一标准单元包括第二拼接条；
19.根据权利要求17或18所述的集成电路，其特征在于，所述第一标准单元与所述第二标准单元的结构相同；
20.根据权利要求12-19任一项所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路包括多个标准单元行，每个所述标准单元行中设置有至少一个所述第一标准单元和/或所述第二标准单元。
21.一种电子设备，其特征在于，包括电路板和集成电路，所述集成电路为权利要求12-20任一项所述的集成电路。
22.一种标准单元库，其特征在于，包括多个标准单元，所述多个标准单元包括权利要求1-11任一项所述的标准单元和单扩散断裂标准单元。
...【技术特征摘要】
1.一种标准单元，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的标准单元，其特征在于，所述第二栅条包括第一阻隔栅、第一阻隔部以及第一扩散断裂；所述第一阻隔部位于第一阻隔栅和所述第一扩散断裂之间；
3.根据权利要求1或2所述的标准单元，其特征在于，所述间隔区与所述第一有源区为同种类型的有源区。
4.根据权利要求1所述的标准单元，其特征在于，所述第二栅条位于所述第一有源区和所述第二有源区远离所述衬底一侧；所述间隔区为第二沟槽隔离区。
5.根据权利要求1-4任一项所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括两个第一拼接条；
6.根据权利要求5所述的标准单元，其特征在于，
7.根据权利要求1-6任一项所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括两个第二拼接条；
8.根据权利要求7所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括位于所述第二拼接条朝向所述第二栅条一侧的两个第一扩展有源区和两个第二扩展有源区；
9.根据权利要求7或8所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括多个扩展栅条，所述扩展栅条位于所述第二拼接条朝向所述第二栅条一侧之间。
10.根据权利要求9所述的标准单元，其特征在于，沿所述第二方向，所述第二拼接条、所述扩展栅条、所述第一拼接条、所述第二栅条以及所述第一栅条等间距排布。
11.根据权利要求1-10任一项所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括栅连接孔，所述栅连接孔与所述第一栅条连通。
12.一种集成电路，其特征在于，包括第一标准单元和第二标准单元，所述第一标准单元与所述第二标准单元沿与第一栅条相交的方向并排设置；所述第一标准单元为权利要求1-11任一项所述的标准单元，和/或，所述第二标准单元为权利要求1-11任一项所述的标准单元。
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈志锋，陈赞锋，詹瞻，张孝，廖平，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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