【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体制造，尤其涉及一种晶棒线缺陷检测方法、装置及计算机存储介质。
技术介绍
1、单晶硅片是目前电子信息领域应用最广泛的器件衬底，硅晶片的制造过程包括晶体生长、切割、研磨、腐蚀、抛光等工序；实际长晶过程中出现单晶硅棒的单晶态丧失，可能由于杂质掺入或者熔融液体波动导致单晶硅中出现贯穿的线缺陷。对具有线缺陷的晶圆进行后续加工之后得到的晶圆极易造成器件失效，因此，对晶棒进行线缺陷的检测是非常重要的。
2、但是，相关技术中的针对晶棒的缺陷往往只能检测较大片晶体空位缺陷或者自间隙缺陷，针对晶棒内延伸的单条或者多条线缺陷不能在晶棒切片阶段进行检测，往往只能在晶片抛光后的颗粒检测甚至热处理后的颗粒检测才能测到，造成严重的生产浪费。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例期望提供晶棒线缺陷检测方法、装置及计算机存储介质；能够降低对晶棒进行线缺陷检测时的生产浪费。
2、本公开实施例的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本公开实施例提供了晶棒线缺陷检测方法，包括：
4、对晶棒中获取的多片晶圆进行应力检测，以得到缺陷晶圆，并确定所述缺陷晶圆上的应力点；
5、获取任意两个缺陷晶圆之间的应力点连线在所述晶棒的径向平面上的投影线段；
6、响应所述投影线段与晶棒的110晶向平行，确定上述应力点连线与所述径向平面的夹角；
7、响应上述夹角在阈值范围内等于预设值，判定所述晶棒存在线缺陷。
8、在一些示
9、确定所述两个缺陷晶圆在原始晶棒上的间隔；
10、根据所述间隔与所述投影线段的长度确定所述夹角。
11、在一些示例中，所述方法还包括：
12、获取两个所述缺陷晶圆在原始晶棒上的位置信息；
13、根据所述位置信息、所述夹角和所述投影线段确定所述线缺陷在所述晶棒上的起始位置和终止位置。
14、在一些示例中，所述根据所述位置信息、所述夹角和所述投影线段确定所述线缺陷在所述晶棒上的起始位置和终止位置，包括：
15、获取所述缺陷晶圆在所述晶棒径向平面上的晶圆正投影；
16、延伸所述投影线段直至与所述晶圆正投影的边缘相交，以得到两段延伸线段；
17、分别确定两段延伸线段的长度，并基于两段所述延伸线段的长度分别确定两段所述延伸线段在所述晶棒轴向方向对应的高度信息；
18、基于所述高度信息和所述位置信息确定所述起始位置和所述终止位置。
19、在一些示例中，所述根据所述位置信息和所述投影线段确定所述线缺陷在所述晶棒上的起始位置和终止位置，包括：
20、获取所述缺陷晶圆在所述晶棒径向平面上的晶圆正投影；
21、延伸所述投影线段直至与所述晶圆正投影的边缘相交，以得到两段延伸线段；
22、分别确定两段延伸线段的长度，并基于两段所述延伸线段的长度分别确定两段所述延伸线段在所述晶棒轴向方向对应的高度信息；
23、基于所述高度信息和所述位置信息确定所述起始位置和所述终止位置。
24、在一些示例中，所述方法还包括：
25、在所述晶棒的所述起始位置至所述终止位置之间获取预设数量的晶圆，并对所述晶圆进行应力检测，得到缺陷晶圆；
26、响应所述缺陷晶圆的数量满足预设条件，判定所述晶棒的所述起始位置至所述终止位置之间的部分不合格。
27、在一些示例中，响应所述缺陷晶圆的数量为1个，判定所述晶棒不存在线缺陷；
28、响应所述缺陷晶圆的数量为多个，将多个所述缺陷晶圆两两组合得到多组缺陷晶圆组合；
29、响应所有所述缺陷晶圆组合的投影线段与所述晶棒的110晶向不平行，判定所述晶棒不存在线缺陷；
30、响应所有所述缺陷晶圆组合的应力点连线与所述径向平面的夹角在阈值范围内不等于所述预设值，判定所述晶棒不存在线缺陷。
31、在一些示例中，所述预设值处于53至55度之间。
32、第二方面，本公开实施例提供了晶棒线缺陷检测装置，包括：
33、检测模块，用于对晶棒中获取的多片晶圆进行应力检测，以得到缺陷晶圆，并确定所述缺陷晶圆上的应力点；
34、获取模块，用于获取任意两个缺陷晶圆之间的应力点连线在所述晶棒的径向平面上的投影线段；
35、确定模块，用于响应所述投影线段与晶棒的110晶向平行，确定上述应力点连线与所述径向平面的夹角；
36、判定模块，用于响应上述夹角在阈值范围内等于预设值，判定所述晶棒存在线缺陷。
37、第三方面，本公开实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括：处理器和存储器；所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以实现第一方面所述的晶棒线缺陷检测方法。
38、第四方面，本公开实施例提供了一种计算机存储介质，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如第一方面所述的晶棒线缺陷检测方法。
39、本公开实施例提供了一种晶棒线缺陷检测方法、装置及计算机存储介质；首先对晶棒中获取的多片晶圆进行应力检测，以得到缺陷晶圆，并确定缺陷晶圆上的应力点，然后获取任意两个缺陷晶圆之间的应力点连线在晶棒的径向平面上的投影线段，在投影线段与晶棒的110晶向平行时，确定上述应力点连线与径向平面的夹角，并上述夹角在阈值范围内等于预设值，判定晶棒存在线缺陷。相较于现有技术，可以通过抽检的方式判断上述晶棒中是否存在线缺陷，无需在晶圆抛光后，检测甚至热处理后再进行检测，避免了对缺陷晶圆抛光热处理等操作，降低了生产浪费。
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1.一种晶棒线缺陷检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述响应所述投影线段与晶棒的110晶向平行，确定所述应力点连线与径向平面的夹角，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述位置信息、所述夹角和所述投影线段确定所述线缺陷在所述晶棒上的起始位置和终止位置，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述分别确定两段延伸线段的长度，包括：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设值处于53至55度之间。
9.一种晶棒线缺陷检测装置，其特征在于，包括：
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：处理器和存储器；所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以实现如权利要求1至8任一所述的晶棒线缺陷检测方法。
11.
...【技术特征摘要】
1.一种晶棒线缺陷检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述响应所述投影线段与晶棒的110晶向平行，确定所述应力点连线与径向平面的夹角，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述位置信息、所述夹角和所述投影线段确定所述线缺陷在所述晶棒上的起始位置和终止位置，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述分别确定两段延伸线段的长度，包括：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐鹏，袁力军，尚荔阳，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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