【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电工电气，具体涉及一种多级大面积低温等离子体射流发生装置。
技术介绍
1、大气压低温等离子体射流具备广泛的应用前景，但是等离子体射流往往呈细窄的圆柱状，考虑到实际反应气流的供应能力，单一射流的直径难以满足需要大面积低温等离子体处理的应用场景。射流阵列是一种解决上述难题的可行方案，但传统的射流阵列需要多个阵列并列，增加了电极的数量，阵列结构也变得较为复杂，射流之间距离较大，射流阵列的等离子体均匀弥散性较差。进一步优化低温等离子射流阵列结构，提升等离子体射流阵列的均匀弥散性是该应用领域亟需研究的问题。
技术实现思路
1、基于上述表述，本技术提供了一种多级大面积低温等离子体射流发生装置，用于缩小阵列中等离子体射流之间的距离，产生大面积均匀弥散的低温等离子体。
2、本技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种多级大面积低温等离子体射流发生装置，包括：喷头外盖、基座，所述喷头外盖与所述基座相连形成有气流集束腔及气流分散腔结构，所述气流分散腔包括第一级气流分散腔、第二级气流分散腔，所述气流集束腔包括第一级气流集束腔、第二级气流集束腔、第三级气流集束腔，所述基座为中空结构，所述基座一端设置有第一贯穿孔，所述基座另一端设置有不同直径的第二贯穿孔、第三贯穿孔，所述基座两端之间空间形成所述第一级气流分散腔结构，所述基座一端与所述喷头外盖之间形成有所述第二级气流分散腔结构，所述喷头外盖上部设置有第四贯穿孔，所述第二贯穿孔、第三贯穿孔、第四贯穿孔分别形成所述第一级气流集束腔、第二级气流
3、在上述技术方案的基础上，本技术还可以做如下改进。
4、进一步的，所述第一贯穿孔包括可供外部高压电极插入的多个第一腔体，以及可供反应气体输入的第二腔体，所述第二腔体设置在多个所述第一腔体中部，且多个所述第一腔体呈圆周放射状排布，所述反应气体可通过所述第二腔体均匀输送至所述第一级气流集束腔中。
5、进一步的，所述第一级气流集束腔与所述第一级气流分散腔连接处设置有圆锥形光滑过渡结构，所述高压电极放电端设置在所述第一级气流集束腔光滑过渡结构处，以在所述反应气体中激发等离子体射流。
6、进一步的，所述第一级气流集束腔、第二级气流集束腔相通设置，且所述第一级气流集束腔内径小于所述第二级气流集束腔内径，所述第二级气流集束腔用于放缓所述等离子体射流，所述第一级气流集束腔、第二级气流集束腔与所述第一腔体中心对齐设置。
7、进一步的，所述基座为圆柱状结构，所述第一腔体内壁设置有内螺纹结构，所述内螺纹结构与所述高压电极外部螺纹结构相贴合，所述第二腔体内径大于所述第一腔体内径。
8、进一步的，所述基座包括第一端部、第二端部，所述第一端部直径小于所述第二端部直径，所述第一端部与所述喷头外盖密封相连，所述喷头外盖外径与所述第二端部直径相同。
9、进一步的，所述喷头外盖整体呈“凸”字圆筒盖状结构，所述喷头外盖外部为流线型圆滑结构，所述喷头外盖内部为空心结构，所述第一端部与所述喷头外盖形成有所述第二级气流分散腔结构，所述等离子体射流通过所述第二级气流集束腔均匀分散在所述第二级气流分散腔内。
10、进一步的，所述第一级气流集束腔深度与所述第二级气流集束腔深度相同，且所述第一级气流集束腔、第二级气流集束腔深度大于所述第二级气流分散腔深度。
11、进一步的，所述第一级气流集束腔内径大于所述第三级气流集束腔内径。
12、进一步的，所述第三级气流集束腔设置有多个，且所述第三级气流集束腔数量大于所述第一级气流集束腔、第二级气流集束腔数量，所述第三级气流集束腔均匀布置，且所述第三级气流集束腔设置呈向外放射多排的圆环状结构。
13、与现有技术相比，本申请的技术方案具有以下有益技术效果：
14、1、该发生装置通过设置多级不同直径的反应腔，包括第一级气流分散腔、第一级气流集束腔、第二级气流集束腔、第二级气流分散腔、第三级气流集束腔；每一级集束腔阵列，都用来产生等离子体射流阵列，每一级气流分散腔都用来均匀等离子体产生的背景气体，进一步均匀等离子体射流。
15、2、该发生装置通过多级反应腔结构设置，提升了射流阵列数量、降低了对电极阵列的数量需求，取消了电极阵列与射流阵列的对应关系；射流阵列由最后一级气流集束腔阵列的数量来决定，利于产生更为均匀的大面积等离子体射流阵列。
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1.一种多级大面积低温等离子体射流发生装置，其特征在于，包括：喷头外盖、基座，所述喷头外盖与所述基座相连形成有气流集束腔及气流分散腔结构，所述气流分散腔包括第一级气流分散腔、第二级气流分散腔，所述气流集束腔包括第一级气流集束腔、第二级气流集束腔、第三级气流集束腔，所述基座为中空结构，所述基座一端设置有第一贯穿孔，所述基座另一端设置有不同直径的第二贯穿孔、第三贯穿孔，所述基座两端之间空间形成所述第一级气流分散腔结构，所述基座一端与所述喷头外盖之间形成有所述第二级气流分散腔结构，所述喷头外盖上部设置有第四贯穿孔，所述第二贯穿孔、第三贯穿孔、第四贯穿孔分别形成所述第一级气流集束腔、第二级气流集束腔、第三级气流集束腔结构。
2.根据权利要求1所述的多级大面积低温等离子体射流发生装置，其特征在于，所述第一贯穿孔包括可供外部高压电极插入的多个第一腔体，以及可供反应气体输入的第二腔体，所述第二腔体设置在多个所述第一腔体中部，且多个所述第一腔体呈圆周放射状排布，所述反应气体可通过所述第二腔体均匀输送至所述第一级气流集束腔中。
3.根据权利要求2所述的多级大面积低温等离子体
4.根据权利要求3所述的多级大面积低温等离子体射流发生装置，其特征在于，所述第一级气流集束腔、第二级气流集束腔相通设置，且所述第一级气流集束腔内径小于所述第二级气流集束腔内径，所述第二级气流集束腔用于放缓所述等离子体射流，所述第一级气流集束腔、第二级气流集束腔与所述第一腔体中心对齐设置。
5.根据权利要求4所述的多级大面积低温等离子体射流发生装置，其特征在于，所述基座为圆柱状结构，所述第一腔体内壁设置有内螺纹结构，所述内螺纹结构与所述高压电极外部螺纹结构相贴合，所述第二腔体内径大于所述第一腔体内径。
6.根据权利要求1所述的多级大面积低温等离子体射流发生装置，其特征在于，所述基座包括第一端部、第二端部，所述第一端部直径小于所述第二端部直径，所述第一端部与所述喷头外盖密封相连，所述喷头外盖外径与所述第二端部直径相同。
7.根据权利要求6所述的多级大面积低温等离子体射流发生装置，其特征在于，所述喷头外盖整体呈“凸”字圆筒盖状结构，所述喷头外盖外部为流线型圆滑结构，所述喷头外盖内部为空心结构，所述第一端部与所述喷头外盖形成有所述第二级气流分散腔结构，所述等离子体射流通过所述第二级气流集束腔均匀分散在所述第二级气流分散腔内。
8.根据权利要求1所述的多级大面积低温等离子体射流发生装置，其特征在于，所述第一级气流集束腔深度与所述第二级气流集束腔深度相同，且所述第一级气流集束腔、第二级气流集束腔深度大于所述第二级气流分散腔深度。
9.根据权利要求1所述的多级大面积低温等离子体射流发生装置，其特征在于，所述第一级气流集束腔内径大于所述第三级气流集束腔内径。
10.根据权利要求1所述的多级大面积低温等离子体射流发生装置，其特征在于，所述第三级气流集束腔设置有多个，且所述第三级气流集束腔数量大于所述第一级气流集束腔、第二级气流集束腔数量，所述第三级气流集束腔均匀布置，且所述第三级气流集束腔设置呈向外放射多排的圆环状结构。
...【技术特征摘要】
1.一种多级大面积低温等离子体射流发生装置，其特征在于，包括：喷头外盖、基座，所述喷头外盖与所述基座相连形成有气流集束腔及气流分散腔结构，所述气流分散腔包括第一级气流分散腔、第二级气流分散腔，所述气流集束腔包括第一级气流集束腔、第二级气流集束腔、第三级气流集束腔，所述基座为中空结构，所述基座一端设置有第一贯穿孔，所述基座另一端设置有不同直径的第二贯穿孔、第三贯穿孔，所述基座两端之间空间形成所述第一级气流分散腔结构，所述基座一端与所述喷头外盖之间形成有所述第二级气流分散腔结构，所述喷头外盖上部设置有第四贯穿孔，所述第二贯穿孔、第三贯穿孔、第四贯穿孔分别形成所述第一级气流集束腔、第二级气流集束腔、第三级气流集束腔结构。
2.根据权利要求1所述的多级大面积低温等离子体射流发生装置，其特征在于，所述第一贯穿孔包括可供外部高压电极插入的多个第一腔体，以及可供反应气体输入的第二腔体，所述第二腔体设置在多个所述第一腔体中部，且多个所述第一腔体呈圆周放射状排布，所述反应气体可通过所述第二腔体均匀输送至所述第一级气流集束腔中。
3.根据权利要求2所述的多级大面积低温等离子体射流发生装置，其特征在于，所述第一级气流集束腔与所述第一级气流分散腔连接处设置有圆锥形光滑过渡结构，所述高压电极放电端设置在所述第一级气流集束腔光滑过渡结构处，以在所述反应气体中激发等离子体射流。
4.根据权利要求3所述的多级大面积低温等离子体射流发生装置，其特征在于，所述第一级气流集束腔、第二级气流集束腔相通设置，且所述第一级气流集束腔内径小于所述第二级气流集束腔内径，所述第二级气流集束腔用于放缓所述等离子体射流，所述第一级气流集束腔、第二级...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭啸龙，刘云龙，
申请(专利权)人：武汉芙丽雅电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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