一种用于高温高压法培育钻石的内部增压结构制造技术

技术编号:40687987 阅读:3 留言:0更新日期:2024-03-18 20:13
一种用于高温高压法培育钻石的内部增压结构,包括由下到上依次设置的晶床、触媒和碳源,在碳源内设有增压片,在晶床、触媒和碳源被包裹在绝缘层内。本技术用于降低合成块内部压力传递损耗。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于高温高压法培育钻石的内部增压结构


技术介绍

1、高温高压法生产培育钻石是模拟天然钻石生长过程的一种方法,也是我国生产培育钻石的主要方法,在合成过程中,需要将合成块的压力控制在5gpa以上。为达到合成所需压力,一方面采用增大压机吨位或严格控制合成块规格,但这意味着增大设备投入或控制产量;另一方面,为了改善合成块内部各组件的传压性能,减少高压下的压力损耗,使用高传压性能的物质做合成块内部的填充组件。


技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种用于高温高压法培育钻石的内部增压结构,用于降低合成块内部压力传递损耗。

2、为了解决上述问题,本技术的技术方案为:

3、一种用于高温高压法培育钻石的内部增压结构,包括由下到上依次设置的晶床、触媒和碳源,在碳源内设有增压片,在晶床、触媒和碳源被包裹在绝缘层内。

4、所述增压片为氧化铝、二氧化锆或氧化镁。

5、本技术的有益效果为:一方面在碳源上层增加一层增压片,将压力更有效地传递到钻石生长区域,可扩大优晶生长区间,也使内外圈晶体粒度更加均匀;另一方面,因降低了合成块内部压力传递损耗,可降低压机的使用油压,提高生产安全性。

【技术保护点】

1.一种用于高温高压法培育钻石的内部增压结构,其特征在于:包括由下到上依次设置的晶床、触媒和碳源,在碳源内设有增压片,晶床、触媒和碳源被包裹在绝缘层内;所述增压片为氧化铝、二氧化锆或氧化镁。

【技术特征摘要】

1.一种用于高温高压法培育钻石的内部增压结构,其特征在于:包括由下到上依次设置的晶床、触媒和碳源...

【专利技术属性】
技术研发人员:李仁德杨烨周念王红军李佩何小来杜小芹
申请(专利权)人:中晶钻石有限公司
类型:新型
国别省市:

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