【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及晶圆减薄，尤其涉及一种晶圆加工系统、装置、方法及晶圆减薄设备。
技术介绍
1、晶圆减薄设备是一种对晶圆进行磨削抛光处理的晶圆加工设备。
2、目前在进行晶圆加工的过程中，通常首先对上料至晶圆减薄设备的晶圆进行磨削处理，然后将经过磨削处理的晶圆传输至晶圆减薄设备的抛光处理区，以继续对该晶圆进行抛光处理。
3、但是，在对晶圆进行磨削处理的过程中，由于要将晶圆磨削至较薄的状态，因此晶圆边缘会出现锯齿状的崩边，目前晶圆的崩边在磨削处理之后一般无法去除，以致在进行抛光处理时，崩边容易脱落，使晶圆表面存在微小晶渣，微小晶渣会导致晶圆表面被划伤，晶圆表面较深的划伤经过抛光处理后难以完全去除，并且，在进行抛光处理时，晶圆表面被划伤处的周边会脱落微小晶粒，导致晶圆的污染物工艺指标不达标，故而，对晶圆进行加工的加工质量较差。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例提供一种晶圆加工系统、装置、方法及晶圆减薄设备，以至少部分解决上述问题。
2、根据本申请实施例的第一方面，提供了一种晶圆加工系统，包括承载台、水射流组件、计算机存储介质；所述承载台，用于放置经过磨削处理且未经过抛光处理的晶圆，并带动所述晶圆绕所述晶圆的轴线方向旋转；所述水射流组件，用于向所述晶圆的边缘喷射水流，以去除所述晶圆的崩边；所述计算机存储介质用于存储计算机程序产品，该计算机程序产品在执行时用于控制所述承载台和所述水射流组件执行如下方法：确定经过磨削处理且未经过抛光处理的晶圆被放置在承
3、在第一种可能的实现方式中，结合上述第一方面，所述水射流组件喷射的水流的方向与所述晶圆的轴线方向平行，或者，所述水射流组件喷射水流路径的反向延长线与所述晶圆的轴线相交。
4、在第二种可能的实现方式中，结合上述第一种可能的实现方式，还包括角度调整机构；所述角度调整机构与所述水射流组件连接，所述角度调整机构用于调整所述水射流组件喷射水流的方向。
5、在第三种可能的实现方式中，结合上述第一方面，所述水射流组件包括水射流喷嘴和至少一个晶渣清理喷嘴；所述水射流喷嘴，用于向所述晶圆的边缘喷射水流；所述晶渣清理喷嘴，用于向所述晶圆喷射液体和/或气体，以将所述晶圆上的晶渣冲洗至所述晶圆外。
6、在第四种可能的实现方式中，结合上述第三种可能的实现方式，还包括移动组件；所述移动组件，用于控制所述水射流组件相对于所述承载台移动；所述水射流组件还包括防护罩，所述水射流喷嘴和所述至少一个晶渣清理喷嘴位于所述防护罩内，所述防护罩的一端开口；所述水射流组件，用于在所述移动组件带动所述水射流组件移动至所述防护罩处于第一状态或第二状态后，控制所述水射流喷嘴向所述晶圆的边缘喷射水流，并控制所述至少一个晶渣清理喷嘴向所述晶圆喷射液体和/或气体，所述第一状态为所述防护罩的开口端与所述晶圆的磨削面抵接，所述第二状态为所述防护罩的开口端与所述晶圆的磨削面之间距离小于或等于预设间距。
7、在第五种可能的实现方式中，结合上述第四种可能的实现方式，所述防护罩包括罩体和软性条，所述软性条的硬度小于所述晶圆的硬度；所述罩体的一端开口，所述软性条连接在所述罩体的开口端；所述防护罩的开口端与所述晶圆的磨削面抵接时所述软性条与所述晶圆的磨削面抵接。
8、在第六种可能的实现方式中，结合上述第三种可能的实现方式、第四种可能的实现方式或第五种可能的实现方式，所述水射流组件包括第一晶渣清理喷嘴、第二晶渣清理喷嘴、第三晶渣清理喷嘴和第四晶渣清理喷嘴；所述第一晶渣清理喷嘴，用于向所述晶圆的圆心处喷射液体和/或气体；所述第二晶渣清理喷嘴和所述第三晶渣清理喷嘴分布于所述水射流喷嘴与所述第一晶渣清理喷嘴的连线两侧，所述第二晶渣清理喷嘴和所述第三晶渣清理喷嘴用于向所述晶圆的边缘喷射液体和/或气体；所述第四晶渣清理喷嘴位于所述水射流喷嘴与所述第一晶渣清理喷嘴的连线上，所述第四晶渣清理喷嘴用于向所述晶圆的边缘区域喷射液体和/或气体。
9、在第七种可能的实现方式中，结合上述第三种可能的实现方式、第四种可能的实现方式或第五种可能的实现方式，所述水射流喷嘴内开设有水流通道；所述水流通道包括第一流动通道、第二流动通道和第三流动通道，所述第一流动通道、所述第二流动通道和所述第三流动通道沿所述水射流喷嘴内水的流动方向依次连通；所述第一流动通道的内径、第二流动通道的内径和所述第三流动通道的内径依次减小。
10、在第八种可能的实现方式中，结合上述第七种可能的实现方式，所述水流通道还包括第一连通通道和第二连通通道；所述第一连通通道设置在所述第一流动通道和所述第二流动通道之间，所述第一连通通道的内径沿着所述水射流喷嘴内水的流动方向逐渐减小；所述第二连通通道设置在所述第二流动通道和所述第三流动通道之间，所述第二连通通道的内径沿着所述水射流喷嘴内水的流动方向逐渐减小。
11、根据本申请实施例的第二方面，提供了一种晶圆加工装置，包括承载台、水射流组件；所述承载台，用于放置经过磨削处理且未经过抛光处理的晶圆，并带动所述晶圆绕所述晶圆的轴线方向旋转；所述水射流组件，用于在所述承载台带动所述晶圆绕所述晶圆的轴线方向转动时，向所述晶圆的边缘喷射水流，以去除所述晶圆的崩边；其中，水射流组件喷射的用于去除崩边的水流压力为：p=kq^2η^4/(s^2)，其中，p为压力，q为流体流量，η为喷嘴效率系数，s为喷嘴口的截面积，k为常数,q^2表示q的2次方，η^4表示η的4次方，s^2表示s的2次方。
12、根据本申请实施例的第三方面，提供了一种晶圆加工方法，包括：将经过磨削处理且未经过抛光处理的晶圆放置在承载台上；控制所述承载台带动所述晶圆绕所述晶圆的轴线方向转动；控制水射流组件向所述晶圆的边缘喷射水流，以去除所述晶圆的崩边。
13、在第九种可能的实现方式中，结合上述第二方面，所述控制水射流组件向所述晶圆的边缘喷射水流，包括：通过移动组件带动所述水射流组件向靠近所述晶圆的方向移动，直至所述水射流组件包括的防护罩处于第一状态或第二状态，其中，所述第一状态为所述防护罩的开口端与所述晶圆的磨削面抵接，所述第二状态为所述防护罩的开口端与所述晶圆的磨削面之间距离小于或等于预设间距；控制所述水射流组件包括的水射流喷嘴向所述晶圆的边缘喷射水流。
14、根据本申请实施例的第四方面，提供了一种晶圆减薄设备，包括：前端模块，位于所述晶圆减薄设备的前端，用于实现晶圆的进出；磨削模块，位于所述晶圆减薄设备的末端，用于晶圆的磨削；抛光清洗模块，位于所述前端模块与所述磨削模块之间，用于晶圆的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶圆加工系统，其特征在于，包括承载台、水射流组件、计算机存储介质；
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述水射流组件喷射的水流的方向与所述晶圆的轴线方向平行，或者，所述水射流组件喷射水流路径的反向延长线与所述晶圆的轴线相交。
3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，还包括角度调整机构；
4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述水射流组件包括水射流喷嘴和至少一个晶渣清理喷嘴；
5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，还包括移动组件；
6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，所述防护罩包括罩体和软性条，所述软性条的硬度小于所述晶圆的硬度；
7.根据权利要求4-6中任一项所述的系统，其特征在于，所述水射流组件包括第一晶渣清理喷嘴、第二晶渣清理喷嘴、第三晶渣清理喷嘴和第四晶渣清理喷嘴；
8.根据权利要求4-6中任一项所述的系统，其特征在于，所述水射流喷嘴内开设有水流通道；
9.根据权利要求8中所述的系统，其特征在于，所述水流通道还包括第一连通通道和第二连通通道；p>
10.一种晶圆加工装置，其特征在于，包括承载台、水射流组件；
11.一种晶圆加工方法，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11中所述的方法，其特征在于，所述控制水射流组件向所述晶圆的边缘喷射水流，包括：
13.一种晶圆减薄设备，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工系统，其特征在于，包括承载台、水射流组件、计算机存储介质；
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述水射流组件喷射的水流的方向与所述晶圆的轴线方向平行，或者，所述水射流组件喷射水流路径的反向延长线与所述晶圆的轴线相交。
3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，还包括角度调整机构；
4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述水射流组件包括水射流喷嘴和至少一个晶渣清理喷嘴；
5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，还包括移动组件；
6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，所述防护罩包括罩体和软性条，所述软性条的硬度小于所述晶圆的硬度；
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈超，付永旭，靳凯强，赵德文，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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