【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体加工，尤其涉及一种表征硅片形貌的方法。
技术介绍
1、在绝缘体上硅(silicon-on-insulator，soi)的生产过程中，通过键合的方式将两片硅衬底通过氢键结合在一起，但是在键合过程中，键合波会沿接触点呈现二维扩散，导致键合波在边缘处减弱，硅片边缘容易发生键合不良的状况，从而引起硅片边缘出现圆形顶层硅脱落的缺陷，大大降低了soi的良率。而硅片表面形貌的状态直接关系着集成电路芯片表面质量的优劣，所以需要不断对硅片的形貌进行监控。因此，硅片表面形貌不仅可以用来评价硅片的质量，还可以用来监控硅片的制作过程以及优化硅片的制作工艺。
2、目前，市面上大多数厂商的量测机台的量测原理为直线运动、来回扫描量测，故测机数据也是按直线排列分布的量测数据，这些数据大多为离散型数据，无法覆盖到整个硅片表面上的每个点位。对于这些数据，工程师主要是通过肉眼，来回切换每条量测线并检查其中的量测点的数据是否分布比较均匀，而无法对硅片的整体表面样貌进行可视化观察。此外，由于数据量较大，按上述方法操作繁琐且耗时，还易造成识别误差。
技术实现思路
1、本申请所要解决的技术问题是提供一种表征硅片形貌的方法，根据硅片的表面数据对其表面形貌进行表征，能够充分反应硅片的表面形貌，精确度高，进而根据生成的表面形貌变化图对硅片的质量进行评估，能够预测硅片表面是否会产生键合缺陷，从而对硅片的制作过程进行优化。
2、为了解决上述问题，本申请提供了一种表征硅片形貌的方法，包括如下步骤：获
3、在一些实施例中，所述的获取硅片多个坐标点的厚度数据的步骤进一步包括：获取硅片多个坐标点的text格式的厚度数据；将所述text格式的厚度数据转换成txt文件格式的厚度数据；将所述txt文件格式的厚度数据转换成数据拟合所需格式的厚度数据。
4、在一些实施例中，对多个所述坐标点进行点位划分具体是将多个坐标点划分为时钟的3点钟方向、6点钟方向、9点钟方向以及12点钟方向四个点位方向。
5、在一些实施例中，所述的分别获取多个所述坐标点距离硅片圆心的距离的步骤进一步包括：分别获取所述坐标点至相邻两点位方向的距离作为直角三角形的两直角边的边长；根据勾股定理计算出所述直角三角形的斜边的边长作为所述坐标点距离硅片圆心的距离。
6、在一些实施例中，所述的根据坐标点距离硅片圆心的距离以及坐标点对应的厚度数据，对点位划分后的所有所述坐标点的厚度数据进行拟合，得到不同点位方向上的硅片边缘形貌图的步骤进一步包括：以坐标点距离硅片圆心的距离作为横坐标、以坐标点对应的厚度数据为纵坐标进行画图，得到不同点位方向上的所述硅片边缘形貌图。
7、在一些实施例中，所述方法进一步包括：基于所述硅片边缘形貌图调整硅片边缘厚度变化量与硅片中心厚度变化量的关系，以优化硅片制作工艺。
8、在一些实施例中，调整所述硅片边缘厚度变化量大于所述硅片中心厚度变化量的0.5倍。
9、为了解决上述问题，本申请还提供了一种表征硅片形貌的装置，包括：第一获取模块，用于获取硅片多个坐标点的厚度数据；划分模块，用于对所有所述坐标点进行点位划分；第一获取模块，用于分别获取所有所述坐标点距离硅片圆心的距离；拟合模块，用于根据坐标点距离硅片圆心的距离以及坐标点对应的厚度数据，对点位划分后的所有所述坐标点的厚度数据进行拟合，得到不同点位方向上的硅片边缘形貌图。
10、在一些实施例中，所述拟合模块进一步用于以坐标点距离硅片圆心的距离作为横坐标、以坐标点对应的厚度数据为纵坐标进行画图，得到不同点位方向上的所述硅片边缘形貌图。
11、上述技术方案，通过获取硅片多个坐标点的厚度数据以及所有坐标点距离硅片圆心的距离，并对所有得到的坐标点进行点位划分，然后根据坐标点距离硅片圆心的距离以及坐标点对应的厚度数据，对点位划分的所有所述坐标点的厚度数据进行拟合，从而得到不同点位方向上的硅片边缘形貌图。采用硅片表面多个坐标点的厚度数据对硅片的表面形貌进行表征，能够充分反应硅片的表面形貌，精确度高，进而根据生成的硅片边缘形貌图对硅片的质量进行评估，能够预测硅片表面是否会产生键合缺陷，从而对硅片的制作过程进行优化。
12、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
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1.一种表征硅片形貌的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的获取硅片多个坐标点的厚度数据的步骤进一步包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对多个所述坐标点进行点位划分具体是将多个坐标点划分为时钟的3点钟方向、6点钟方向、9点钟方向以及12点钟方向四个点位方向。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的分别获取所有所述坐标点距离硅片圆心的距离的步骤进一步包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的根据坐标点距离硅片圆心的距离以及坐标点对应的厚度数据，对点位划分后的所有所述坐标点的厚度数据进行拟合，得到不同点位方向上的硅片边缘形貌图的步骤进一步包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：基于所述硅片边缘形貌图调整硅片边缘厚度变化量与硅片中心厚度变化量的关系，以优化硅片制作工艺。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，调整所述硅片边缘厚度变化量大于所述硅片中心厚度变化量的0.5倍。
8.一种表征硅片
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第一获取进一步用于获取硅片多个坐标点的TEXT格式的厚度数据，将所述TEXT格式的厚度数据转换成txt文件格式的厚度数据，将所述txt文件格式的厚度数据转换成数据拟合所需格式的厚度数据。
10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述拟合模块进一步用于以坐标点距离硅片圆心的距离作为横坐标、以坐标点对应的厚度数据为纵坐标进行画图，得到不同点位方向上的所述硅片边缘形貌图。
...【技术特征摘要】
1.一种表征硅片形貌的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的获取硅片多个坐标点的厚度数据的步骤进一步包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对多个所述坐标点进行点位划分具体是将多个坐标点划分为时钟的3点钟方向、6点钟方向、9点钟方向以及12点钟方向四个点位方向。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的分别获取所有所述坐标点距离硅片圆心的距离的步骤进一步包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的根据坐标点距离硅片圆心的距离以及坐标点对应的厚度数据，对点位划分后的所有所述坐标点的厚度数据进行拟合，得到不同点位方向上的硅片边缘形貌图的步骤进一步包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘燕，汪聪颖，陈智勇，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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