【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子，尤其涉及一种悬空纳米栅长t型栅的制备方法。
技术介绍
1、近年来，随着人们对宽带大容量信息传输及抗干扰高速通信的需求持续增长，通信频率不断向高频区拓展。因此对器件频率特性提出了更高的要求，为了实现器件的更高应用频率，最直接的方法是减小hemt器件的栅长，降低载流子在栅下的渡越时间，从而提升器件频率特性。同时，为了平衡栅长减少带来的较大的栅电阻，低寄生的t型栅技术已经成为目前国际上高频超高频器件制备的主流技术。
2、对于高频gaas hemt和gan hemt器件，受到晶圆尺寸和成本限制无法采用最先进的光刻机来实现纳米栅长t型栅的制备，通常采用电子束进行多次直写来完成，消耗大量时间，器件制造效率低下。同时，这种t型栅是中间细长结构，所以制备过程中稳定性差，容易产生倒栅断栅问题。
技术实现思路
1、专利技术目的：本专利技术的目的是提供一种悬空纳米栅长t型栅的制备方法，得到的悬空纳米栅长t型栅具有更低的寄生，提升了器件频率特性。
2、技术方案：本专利技术悬空纳米栅长t型栅的制备方法，包括步骤如下：
3、s1，选取晶圆片，在晶圆片上沉积钝化介质层；
4、s2，在钝化介质层上沉积牺牲层，并在刻蚀牺牲层上沉积刻蚀停止层；
5、s3，在刻蚀停止层上涂敷光刻胶，通过曝光和显影定义一次栅脚区域；
6、s4，刻蚀一次栅脚区域的刻蚀停止层和牺牲层，停止在钝化介质层上，形成一次栅脚，并去除光刻胶；
7
8、s6，对步骤s5得到的圆片，刻蚀暴露出栅脚区域，其他区域停止在刻蚀停止层上；刻蚀介质的厚度大于侧墙介质层厚度和钝化介质层厚度之和；
9、s7，在步骤s6得到的圆片上涂覆光刻胶，通过曝光和显影形成栅帽结构；
10、s8，采用湿法溶液对外延片进行栅挖槽；
11、s9，在圆片上淀积金属层，并剥离掉光刻胶上的金属；
12、s10，采用干法刻蚀掉剩余刻蚀停止层，然后采用湿法腐蚀掉刻蚀牺牲层，形成悬空纳米栅长t型栅。
13、进一步，所述钝化介质层的材料为氮化硅，或二氧化硅或三氧化二铝，所述钝化介质层厚度为10nm～70nm。
14、进一步，所述栅脚的长度d为20nm～150nm。
15、进一步，所述牺牲层的材料为：硅，或锗或者钨。
16、进一步，所示刻蚀停止层的材料为：氮化硅，或二氧化硅或三氧化二铝。
17、进一步，所述侧墙介质层的材料为：氮化硅，或二氧化硅或三氧化二铝。
18、进一步，所示栅金属为ti/pt/au叠层结构。
19、进一步，所述侧墙介质层和钝化介质层不能同时为同一种介质。
20、本专利技术与现有技术相比，其显著效果如下：
21、1、本专利技术采用传统光刻工艺结合侧墙技术，解决了传统光刻技术无法制备纳米栅长t型栅的技术问题，有效的克服了电子束工艺效率低下，提升了器件制备效率；
22、2、本专利技术由于侧墙介质的支撑作用，有效解决了在金属蒸镀后，剥离过程中，由金属粘连造成的栅条坍塌问题，提高目前主流悬空纳米栅长t型栅技术的成品率；
23、3、本专利技术的悬空纳米栅长t型栅，与微型场板t型栅相比，具有更低的寄生，可以提升器件频率特性。
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1.一种悬空纳米栅长T型栅的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：
2.根据权利要求1所述悬空纳米栅长T型栅的制备方法，其特征在于，所述钝化介质层的材料为氮化硅，或二氧化硅或三氧化二铝，所述钝化介质层厚度为10nm～70nm。
3.根据权利要求1所述悬空纳米栅长T型栅的制备方法，其特征在于，所述栅脚的长度d为20nm～150nm。
4.根据权利要求1所述悬空纳米栅长T型栅的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为：硅，或锗或者钨。
5.根据权利要求1所述悬空纳米栅长T型栅的制备方法，其特征在于，所示刻蚀停止层的材料为：氮化硅，或二氧化硅或三氧化二铝。
6.根据权利要求1所述悬空纳米栅长T型栅的制备方法，其特征在于，所述侧墙介质层的材料为：氮化硅，或二氧化硅或三氧化二铝。
7.根据权利要求1所述悬空纳米栅长T型栅的制备方法，其特征在于，所示栅金属为Ti/Pt/Au叠层结构。
8.根据权利要求1-7所述悬空纳米栅长T型栅的制备方法，其特征在于，所述侧墙介质层和钝化介质层不能同时为同一种介质。
【技术特征摘要】
1.一种悬空纳米栅长t型栅的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：
2.根据权利要求1所述悬空纳米栅长t型栅的制备方法，其特征在于，所述钝化介质层的材料为氮化硅，或二氧化硅或三氧化二铝，所述钝化介质层厚度为10nm～70nm。
3.根据权利要求1所述悬空纳米栅长t型栅的制备方法，其特征在于，所述栅脚的长度d为20nm～150nm。
4.根据权利要求1所述悬空纳米栅长t型栅的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为：硅，或锗或者钨。
5.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：张亦斌，孙远，梁宗文，吴少兵，章军云，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：
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