【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路，具体是一种带有双浮空场限环的超结结构ldmos器件。
技术介绍
1、功率半导体器件是集成电路中负责电能转换与控制的核心器件。其中，ldmos是最关键的器件之一，由于其优异的开关性能、面积小，以及最重要的能够兼容芯片集成工艺而被广泛应用在消费电子产品、新能源汽车等具有显著经济效益的领域当中。超结ldmos将低掺杂的阻型耐压漂移区改为交替pn柱的结型耐压漂移区，有效提高了ldmos器件的击穿电压值。
2、以传统n型超结结构ldmos为例，如图1所示。其结构组成为：
3、衬底区：p型半导体衬底101，其上方有p型阱102，以及超结n型柱区103a和p型柱区103b。
4、p型体区：由所述的p型阱区102组成。
5、超结区：由所述的n型柱区103a和p型柱区103b组成。
6、源极区：由重型n掺杂区104a组成，和重型p掺杂区105共同接出电极108，作为源/体极。
7、体极区：由重型p掺杂区105组成，和重型n掺杂区104a共同接出电极108。
8、漏极区：由n型重掺杂区104b组成，并接出电极110，作为漏极。
9、栅极区：由二氧化硅电介质层106和其上方多晶硅栅极107组成，并接出电极109，作为栅极。
10、对于p型超结结构ldmos，只需将上述所有掺杂区域互取反即可。
11、传统的超结ldmos由于超结区域下方是p型衬底101，因此杂质电离时p型电荷较n型电荷多，导致p型区与n型
技术实现思路
1、本专利技术通过使用n型缓冲层和浮空场限环技术，优化超结ldmos器件电荷失配问题，改善超结ldmos漏极和超结区电场分布，优化器件的击穿电压，并提升器件优值fom。
2、本专利技术包括衬底区、超结区、源极区、漏极区和栅极区，在所述超结区的上方覆盖有场板，并在超结区采用双浮空场限环结构，用于减缓超结区pn结掺杂时的曲率效应，并同时改变漏极电场分布。
3、进一步说，在所述超结区下方设有缓冲区，用于消除由于引入衬底带来的电荷失配问题。
4、进一步说，所述超结区域范围并未延伸至漏极区，而是提前终止于双浮空场限环前侧。
5、进一步说，所述的场板采用二氧化硅材料。
6、进一步说，所述的缓冲区为轻掺杂区。
7、本专利技术的有益效果：
8、本专利技术相较于传统超结ldmos结构，减缓了超结区pn结掺杂时的曲率效应，并同时改变了漏极电场分布，使超结区部分的电场分布变得更加均匀和分散，避免电场过度集中而发生击穿现象。在超结区域下方使用缓冲区，消除由于引入p型衬底带来的电荷失配问题，从而进一步提高器件的击穿电压bv。
9、本结构与传统超结结构相比，其超结区域范围并未延伸至漏极，而是提前终止于双浮空场限环前侧，这种设计可以降低漏极区域附近的导通电阻ron，进而提升器件的工作电流，从而提高器件的开关速度，进而提高器件优值fom。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种带有双浮空场限环的超结结构LDMOS器件，包括衬底区、超结区、源极区、漏极区和栅极区，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的超结结构LDMOS器件，其特征在于：在所述超结区下方设有缓冲区，用于消除由于引入衬底带来的电荷失配问题。
3.根据权利要求1所述的新型DEMOS器件结构，其特征在于：所述超结区域范围并未延伸至漏极区，而是提前终止于双浮空场限环前侧。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的新型DEMOS器件结构，其特征在于：所述的场板采用二氧化硅材料。
5.根据权利要求4所述的新型DEMOS器件结构，其特征在于：所述的缓冲区为轻掺杂区。
【技术特征摘要】
1.一种带有双浮空场限环的超结结构ldmos器件，包括衬底区、超结区、源极区、漏极区和栅极区，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的超结结构ldmos器件，其特征在于：在所述超结区下方设有缓冲区，用于消除由于引入衬底带来的电荷失配问题。
3.根据权利要求1所述的新型demos...
【专利技术属性】
技术研发人员：许凯，康平瑞，吴永玉，黄霄云，许成刚，宋逸贤，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：
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