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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种用于电子部件的冷却器,该冷却器包括具有外表面和内表面(3)的底板(1),其中,通道壁(2)布置在该内表面(3)上,从而限定流体通道,其中,至少提供第一种类的通道(4)和第二种类的通道(5),其中,该第一种类的通道(4)和该第二种类的通道(5)的几何形状不同,使得流过该第一种类的通道(4)的流体量不同于流过该第二种类的通道(5)的流体量。
2.根据权利要求1所述的冷却器,其中,流过该第一种类的通道(4)和该第二种类的通道(5)的流体量的差在1.1倍与5倍之间。
3.根据权利要求1或2所述的冷却器,其中,这些通道(4,5)具有相同宽度和/或深度。
4.根据前述权利要求之一所述的冷却器,其中,这些通道壁(2)的厚度是恒定的。
5.根据前述权利要求之一所述的冷却器,其中,该第一种类的通道(4)具有第一流动阻力,并且该第二种类的通道(5)具有第二流动阻力,其中,该第一流动阻力和该第二流动阻力不同。
6.根据前述权利要求之一所述的冷却器,其中,这些通道(4,5)的第一流动阻力和/或第二流动阻力取决于流体流动方向。
8.根据前述权利要求之一所述的冷却器,其中,该第二种类的通道(5)中的通道具有曲折的几何形状。
9.根据前述权利要求之一所述的冷却器,其中,该第一种类的通道(4)和该第二种类的通道(5)被布置成图案。
10.根据前述权利要求之一所述的冷却器,其中,该冷却器包括第三种类的通道,该通道包括第一部分以及与该第一部分串联的第二部分,其中,该第一部分的几何形状使得当流体在第一方向上流过该通道时,一定量的该流体被偏转,并且该第二部分的几何形状使得当该流体在与该第一方向相反的第二方向上流过该通道时,一定量的该流体被偏转。
11.根据前述权利要求之一所述的冷却器,其中,这些第一和/或第二和/或第三种类的通道(4,5)的通道壁(2)包括引起一个流动方向上的反向流和相反方向上的直通流的结构。
12.根据前述权利要求之一所述的冷却器,其中,这些第一和/或第二和/或第三种类的通道(4,5)包括交替的弯曲区段(6),其中,反向通道(8)位于每个弯曲区段(6)处。
13.根据权利要求12所述的冷却器,其中,这些第一和/或第二和/或第三种类的通道(4,5)包括位于每个弯曲区段(6)之间的长形区段(7)。
14.根据前述权利要求12或13之一所述的冷却器,其中,该反向通道(8)的外壁(10)的进入端(9)与该长形区段(7)的外壁(11)齐平。
15.根据前述权利要求之一所述的冷却器,其中,该底板(1)是具有宽度和长度的矩形,其中,该长度是该宽度的至少三倍。
16.根据前述权利要求之一所述的冷却器,其中,该底板(1)通过热锻或冷锻制造。
17.一种半导体功率模块,该半导体功率模块包括根据前述权利要求之一所述的冷却器。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于电子部件的冷却器,该冷却器包括具有外表面和内表面(3)的底板(1),其中,通道壁(2)布置在该内表面(3)上,从而限定流体通道,其中,至少提供第一种类的通道(4)和第二种类的通道(5),其中,该第一种类的通道(4)和该第二种类的通道(5)的几何形状不同,使得流过该第一种类的通道(4)的流体量不同于流过该第二种类的通道(5)的流体量。
2.根据权利要求1所述的冷却器,其中,流过该第一种类的通道(4)和该第二种类的通道(5)的流体量的差在1.1倍与5倍之间。
3.根据权利要求1或2所述的冷却器,其中,这些通道(4,5)具有相同宽度和/或深度。
4.根据前述权利要求之一所述的冷却器,其中,这些通道壁(2)的厚度是恒定的。
5.根据前述权利要求之一所述的冷却器,其中,该第一种类的通道(4)具有第一流动阻力,并且该第二种类的通道(5)具有第二流动阻力,其中,该第一流动阻力和该第二流动阻力不同。
6.根据前述权利要求之一所述的冷却器,其中,这些通道(4,5)的第一流动阻力和/或第二流动阻力取决于流体流动方向。
7.根据前述权利要求之一所述的冷却器,其中,该第一种类的通道(4)中的通道具有几何形状,使得当流体在第一方向上流过该通道时,一定量的该流体被偏转,并且当该流体在与该第一方向相反的第二方向上流过该通道时,不发生偏转。
8.根据前述权利要求之一所述的冷却器,其中,该第二种类的通道(5)中的通道具有曲折的几何形状。
9.根据前述权利要求之一所述的冷却器,...
【专利技术属性】
技术研发人员:亨宁·斯特罗贝尔麦尔,克劳斯·奥勒森,
申请(专利权)人:丹佛斯硅动力有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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