本发明专利技术涉及锁离合状态采集电路及集成该锁离合状态采集电路的射频识别电子标签。包括开关（Ｓ１）、第一ＮＭＯＳ管（ＭＲ１）、第二ＮＭＯＳ管（ＭＲ２）、第三ＮＭＯＳ管（ＭＲ３）、第四ＮＭＯＳ管（ＭＲ４）、ＰＭＯＳ管（Ｔ１）、三极管（Ｔ２）、第五ＮＭＯＳ管（Ｔ３）、电源电池（Ｂ１）、触发器（Ｄ１）和直流－直流电压转换电路。本发明专利技术的有益效果：本发明专利技术的锁离合状态采集电路具有低功耗和抗干扰的优点，并且可以集成在电子标签内部，因此锁离合状态采集电路可以比较容易的和电子标签结合作为物流行业中集装箱、保险箱流转的物联网监控节点，能及时的监控集装箱、保险箱的锁离合状态，保证了集装箱、保险箱流转的安全性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子电路
，尤其涉及锁具的锁离合状态采集电路及采用该电 路的射频识别电子标签。
技术介绍
射频识别(RFID，Radio Frequency Identification)技术是利用射频方式远距离 的通信以达到物品的识别、追踪、定位和管理等目的。射频识别技术在工业自动化，商业自 动化，交通运输控制管理，防伪等众多领域，甚至军事用途具有广泛的应用前景，目前已引 起了广泛的关注。利用射频识别技术制作的电子标签和阅读器被广泛的使用，特别是作为物联网的 节点的电子标签，可以有效的存储所附着物品的各种信息并通过与阅读器的通信传输这些 信息。在集装箱运输管理、保险箱等物流行业中，人们希望能通过在集装箱上附着电子标签 的方式有效的监控锁离合(开启和关闭)状态信息，监控开启集装箱或保险箱的行为。现有技术中的绝大部分电子锁只具备防盗、报警的功能，只有少部分电子锁具备 锁离合状态采集功能，而这些具有锁离合状态采集电路的锁具普遍采用磁装置配合继电器 的方法实现对锁离合状态的采集。但是，这种锁具的锁离合状态采集电路具有如下缺点 1.由于继电器消耗功耗大，若使用外部电源存在产品体积大的缺点，若使用电池，则存在电 池电量消耗过快，产品持续使用时间短的缺点。2.由于采用了磁装置，锁具在强磁和强电的 环境下，容易受到外界环境的干扰，从而错误的判断锁的离合状态。由于现有的具有锁离合状态采集电路的锁具存在上述缺点，因此不适合与电子标 签结合作为物联网的节点使用。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有的锁离合状态采集电路存在功耗过大和易受外界 电磁干扰的缺点，提出了一种锁离合状态采集电路。为了实现上述目的，提供了 一种锁离合状态采集电路，锁离合状态采集电路，包括 开关(Si)、第一 NMOS 管(MRl)、第二 NMOS 管(MR2)、第三 NMOS 管(MR3)、第四 NMOS 管(MR4)、 PMOS管(Tl)、三极管(T2)、第五NMOS管(T3)、电源电池(Bi)、触发器(Dl)和直流-直流 电压转换电路，所述电源电池(Bi)是从外部接入整体电路；所述第一 NMOS管(MRl)栅极 和漏极相连接后，再与电池(Bi)正极相连；所述第一 NMOS管(MRl)源极与开关(Si)的第 一端(a)相连接；所述第二 NMOS管(MR2)栅极和漏极相连接后，再与开关(Si)的第二端 (b)连接；所述第二 NMOS管(MR2)源极连接到地；所述第三NMOS管(MR3)栅极和漏极相连 接后，再与PMOS管(Tl)漏极相连接；所述第三NMOS管(MR3)源极与三极管(T2)基极相 连接；所述第四NMOS管(MR4)栅极和漏极相连接后，再与电池(Bi)正极相连接；所述第四 NMOS管(MR4)源极与三极管(T2)集电极相连接；所述三极管(T2)基极和开关(Si)的第 二端(b)相连接；所述三极管(T2)集电极和PMOS管(Tl)栅极连接；所述三极管(T2)基极和第五NMOS管(T3)漏极连接；所述PMOS管(Tl)的源极和第四NMOS管(MR4)的栅极和 漏极相连接；所述PMOS管(Tl)漏极和直流-直流电压转换电路的电源端(I)相连接；所 述第五NMOS管(T3)源极连接到地；所述第五NMOS管(T3)栅极与触发器(Dl)的数据输出 端(Q)相连接；所述的触发器(Dl)的数据输入端(D)与开关(Si)的第二端(b)相连接；所 述触发器(Dl)的时钟输入端(CP)输入射频识别电子标签的数字基带处理器的电压控制信 号(p0Wer_C0ntr0l)；所述触发器(Dl)的电源端(VDD)与锁离合信号开关(Si)的第二端 (b)相连接；所述直流-直流(DC-DC)电压转换电路电压输入端⑴连接至PMOS管(Tl)漏 极；所述直流-直流(DC-DC)电压转换电路接地输入端(J)连接到地；所述的直流-直流 (DC-DC)电压转换电路分别向射频识别电子标签的射频模拟前端输出低电平工作电压和高 电平工作电压，向射频识别电子标签的数字基带处理器输出第一锁离合信号(switCh_on) 和第二锁离合信号(keyjpened)。本专利技术的另一目的是为了解决电子标签对锁离合状态监控的困难，提出了一种集 成锁离合状态采集电路的射频识别电子标签，可以容易的将锁离合状态信息采集到射频识 别电子标签。为了实现上述目的，提供了一种集成上述锁离合状态采集电路的射频识别电子标 签，所述电子标签包括天线、射频模拟前端和数字基带处理器，所述射频模拟前端包括上述 基准稳压电路，所述数字基带处理器包括状态控制机模块，其特征在于，所述射频模拟前端 还包括上述锁离合状态采集电路，所述锁离合状态采集电路与数字基带处理器的状态控制 机模块连接并向状态控制机模块输出第一锁离合状态信号和第二锁离合状态信号，同时接 收状态控制机模块输入的电压控制信号(poWer_Control)，所述锁离合状态采集电路与射 频模拟前端的基准稳压电路连接并向基准稳压电路提供高电平工作电压和低电平工作电 压。本专利技术的有益效果本专利技术的锁离合状态采集电路相对现有的锁离合状态采集电 路具有低功耗和抗干扰的优点，并且可以集成在电子标签内部，因此锁离合状态采集电路 可以比较容易的和电子标签结合作为物流行业中集装箱、保险箱流转的物联网监控节点， 能及时的监控集装箱、保险箱的锁离合状态，保证了集装箱、保险箱流转的安全性。同时采 用锁离合状态采集电路的射频识别电子标签兼顾了射频场中普通无源超高频电子标签的 功能，同时无论外界有无射频场均能完成对于开锁次数的记录。由于本专利技术采用的是无源 超高频电子标签，还可以有效的减小功耗的消耗和实物的体积，降低了对于外部电源的依 赖，增强了对于各种特殊应用场合的实用性。附图说明图1是本专利技术锁离合采集电路原理图。图2是集成本专利技术的锁离合采集电路的射频识别电子标签原理图。附图标记说明开关Si、第一NMOS管MR1、第二NMOS管MR2、第三NMOS管MR3、第四 匪OS管MR4、PMOS管Tl、三极管T2、第五匪OS管T3、电源电池Bi、触发器Dl。解码器模块 101、循环校验模块102、输入预处理模块103、状态控制机模块104、输出预处理模块105、编 码器模块106、存储器访问控制模块107、伪随机数发生器模块108、碰撞计数器模块109、定 时计数器模块110、时钟产生模块111、复位产生模块112、MTP存储器113。整流电路201、基准稳压电路202、调制电路203、解调电路204、复位电路205、时钟电路206。 具体实施例方式下面结合附图和具体的具体实施例对本专利技术做进一步的说明如图1所示，锁离合状态采集电路的电路结构如下开关状态采集电路包括开关 S1、第一 NMOS 管 MRl、第二 NMOS 管 MR2、第三 NMOS 管 MR3、第四 NMOS 管 MR4、PMOS 管 T1、三 极管T2、第五NMOS管T3、电源电池Bi、触发器Dl和直流-直流电压转换电路。结合图1，各器件和端口的连接方式如下所述电源电池Bl是从外部接入整体电 路；所述第一 NMOS管MRl栅极和漏极相连接后，再与电池Bl正极相连；所述第一 NMOS管 MRl源极与开关Sl的第一端a相连接；所述第二 本文档来自技高网...
【技术保护点】
锁离合状态采集电路，包括开关（Ｓ１）、第一ＮＭＯＳ管（ＭＲ１）、第二ＮＭＯＳ管（ＭＲ２）、第三ＮＭＯＳ管（ＭＲ３）、第四ＮＭＯＳ管（ＭＲ４）、ＰＭＯＳ管（Ｔ１）、三极管（Ｔ２）、第五ＮＭＯＳ管（Ｔ３）、电源电池（Ｂ１）、触发器（Ｄ１）和直流－直流电压转换电路，所述电源电池（Ｂ１）是从外部接入整体电路；所述第一ＮＭＯＳ管（ＭＲ１）栅极和漏极相连接后，再与电池（Ｂ１）正极相连；所述第一ＮＭＯＳ管（ＭＲ１）源极与开关（Ｓ１）的第一端（ａ）相连接；所述第二ＮＭＯＳ管（ＭＲ２）栅极和漏极相连接后，再与开关（Ｓ１）的第二端（ｂ）连接；所述第二ＮＭＯＳ管（ＭＲ２）源极连接到地；所述第三ＮＭＯＳ管（ＭＲ３）栅极和漏极相连接后，再与ＰＭＯＳ管（Ｔ１）漏极相连接；所述第三ＮＭＯＳ管（ＭＲ３）源极与三极管（Ｔ２）基极相连接；所述第四ＮＭＯＳ管（ＭＲ４）栅极和漏极相连接后，再与电池（Ｂ１）正极相连接；所述第四ＮＭＯＳ管（ＭＲ４）源极与三极管（Ｔ２）集电极相连接；所述三极管（Ｔ２）基极和开关（Ｓ１）的第二端（ｂ）相连接；所述三极管（Ｔ２）集电极和ＰＭＯＳ管（Ｔ１）栅极连接；所述三极管（Ｔ２）基极和第五ＮＭＯＳ管（Ｔ３）漏极连接；所述ＰＭＯＳ管（Ｔ１）的源极和第四ＮＭＯＳ管（ＭＲ４）的栅极和漏极相连接；所述ＰＭＯＳ管（Ｔ１）漏极和直流－直流电压转换电路的电源端（Ｉ）相连接；所述第五ＮＭＯＳ管（Ｔ３）源极连接到地；所述第五ＮＭＯＳ管（Ｔ３）栅极与触发器（Ｄ１）的数据输出端（Ｑ）相连接；所述的触发器（Ｄ１）的数据输入端（Ｄ）与开关（Ｓ１）的第二端（ｂ）相连接；所述触发器（Ｄ１）的时钟输入端（ＣＰ）输入射频识别电子标签的数字基带处理器的电压控制信号（ｐｏｗｅｒ＿ｃｏｎｔｒｏｌ）；所述触发器（Ｄ１）的电源端（ＶＤＤ）与锁离合信号开关（Ｓ１）的第二端（ｂ）相连接；所述直流－直流（ＤＣ－ＤＣ）电压转换电路电压输入端（Ｉ）连接至ＰＭＯＳ管（Ｔ１）漏极；所述直流－直流（ＤＣ－ＤＣ）电压转换电路接地输入端（Ｊ）连接到地；所述的直流－直流（ＤＣ－ＤＣ）电压转换电路分别向射频识别电子标签的射频模拟前端输出低电平工作电压和高电平工作电压，向射频识别电子标签的数字基带处理器输出第一锁离合信号（ｓｗｉｔｃｈ＿ｏｎ）和第二锁离合信号（ｋｅｙ＿ｏｐｅｎｅｄ）。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王耀，咸凛，文光俊，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]
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