【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体模块。
技术介绍
1、以往，公知有具备mosfet(metal oxide semiconductor field effecttransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulated gate bipolartransistor，绝缘栅双极晶体管)等电力用开关元件的半导体模块。这种半导体模块搭载于工业设备至家电、信息终端、汽车用设备的所有电子设备。在专利文献1中，公开了以往的半导体模块(功率模块)。专利文献1所记载的半导体模块具备半导体元件、以及支撑基板(陶瓷基板)。半导体元件例如是si(硅)制的igbt。支撑基板支撑半导体元件。支撑基板包含绝缘性的基材、以及层叠于基材的两面的导体层。基材例如由陶瓷构成。各导体层例如由cu(铜)构成，在一方的导体层接合有半导体元件。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2015－220382号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、近年来，要求电子设备的节能化、高性能化以及小型化等。因此，需要搭载于电子设备的半导体模块的性能提高、小型化等。
3、本公开是鉴于上述事情而提出的方案，一个课题是提供一种半导体模块，其在实现性能提高、小型化等的方面具有优选的模块构造。
4、用于解决课题的方案
5、本公开的半导体模块具备：导电基板，其具有朝向厚度方向的一方侧的主面、以及朝向与上述主面相反的一侧的背面；
6、专利技术效果
7、根据上述的结构，例如能够提供在实现性能提高、小型化等的方面优选的半导体模块构造。
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1.一种半导体模块，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体模块，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体模块，其特征在于，
6.根据权利要求4或5所述的半导体模块，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体模块，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体模块，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的半导体模块，其特征在于，具备：
11.根据权利要求1至10任一项中所述的半导体模块，其特征在于，
12.根据权利要求1至11任一项中所述的半导体模块，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的半导体模块，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体模块，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体模块，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体模块，其特征在于，
6.根据权利要求4或5所述的半导体模块，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体模块，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：谷川昂平，林健二，福田谅介，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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