【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料加工，具体为超高频石英晶片腐蚀的控制方法。
技术介绍
1、对于at或bt切型的石英晶片，厚度决定其频率。高基频的石英晶片，如200m以上，晶片厚度在10μm以下，甚至更小，传统晶片研磨工艺，已经远远达不到此厚度要求，必须通过晶片腐蚀的方式，把晶片厚度减小到目标厚度。
2、目前市场上对于高基频晶片的腐蚀控制，一直是尚未攻克的难点，现有的腐蚀手段难以保证晶片腐蚀的一致性，晶片各个位置腐蚀的一致性和晶片腐蚀质量，为了对超高频石英晶片腐蚀进行有效控制，可以减小加工难度，提高加工效率，还可以大幅度提升产品合格率，减少成本浪费。目前市场上150m左右的高基频谐振器甚是少见，对于200m以上的高基频谐振器，对晶片腐蚀工艺提出挑战，使得难以对超高频英晶片腐蚀程度进行有效的控制。
技术实现思路
1、(一)解决的技术问题
2、针对现有技术的不足，本专利技术提供了超高频石英晶片腐蚀的控制方法，解决现有超高频晶片腐蚀一致性差，腐蚀质量差的问题。
3、(二)技术方案
4、为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：超高频石英晶片腐蚀的控制方法，包括晶片腐蚀频率控制和晶片腐蚀表面质量控制；
5、所述晶片腐蚀频率控制包括腐蚀前频率控制和腐蚀中频率控制；
6、所述腐蚀中频率控制包括腐蚀液控制和目标频率控制；
7、所述晶片腐蚀表面质量控制包括腐蚀前晶片表面质量控制、腐蚀中晶片表面质量控制和腐蚀后晶片表
8、优选的，所述腐蚀前频率控制，对腐蚀前晶片进行频率筛选，频率测试定位到整片晶片上的所有凹槽，计算频率分布，频率平均值及频率散差，通过计算值对晶片进行频率分类腐蚀。
9、优选的，所述腐蚀中频率控制，采用在相同腐蚀环境下对现有腐蚀晶片连接频率监测设备，通过监测腐蚀液中晶片的实时频率，获得整批晶片的频率。
10、优选的，所述腐蚀液控制，腐蚀液在腐蚀槽内实现循环流动，保证石英晶片可以完全与腐蚀液接触并及时带走发生化学反应产生的热量及生成物，保证腐蚀液的ph值及浓度的稳定性，保证腐蚀槽内每片晶片腐蚀速度的一致性。
11、优选的，所述目标频率控制，在整批腐蚀晶片中固定一片晶片，并连接频率检测设备，此设备监测此片晶片在腐蚀过程中的时时频率，保证此观察晶片和其他晶片在相同的腐蚀环境中同时腐蚀，通过观测频率检测设备上晶片频率的走向，来计算腐蚀时间和腐蚀速度。
12、优选的，所述腐蚀前晶片表面质量控制，对晶片表面脏污进行清洗；
13、清洗方法：酸性清洗剂浸泡10min，超纯水清洗10min，碱性清洗剂浸泡10min，超纯水清洗10min，超声波清洗10min，频率20khz，超纯水清洗10min，酸性清洗剂10min，超纯水清洗10min，异丙醇分三次浸泡，烤箱烘干(105℃)，15min。
14、优选的，所述酸性清洗剂为硝酸溶液，ph值控制在5～6之间，碱性清洗剂为弱碱性清洗剂，ph控制在7～8之间。
15、优选的，所述腐蚀中晶片表面质量控制，保证腐蚀环境稳定，腐蚀环境包括腐蚀液浓度稳定，腐蚀流场稳定，腐蚀液温度稳定，晶片表面反应速率稳定。
16、优选的，所述腐蚀后晶片表面质量控制，腐蚀后晶片表面清洗方法：超纯水清洗10min，碱性清洗剂浸泡10min，超纯水清洗10min，酸性清洗剂浸泡10min，超纯水清洗10min，烤干。
17、本专利技术公开了超高频石英晶片腐蚀的控制方法，其具备的有益效果如下：
18、1、该超高频石英晶片腐蚀的控制方法，通过对晶片腐蚀频率控制和晶片腐蚀表面质量控制，解决由于腐蚀量过大导致的晶片表面质量差和晶片腐蚀不均匀的问题，提供超薄晶片腐蚀过程的控制方法，可以保证晶片腐蚀的一致性，晶片各个位置腐蚀的一致性和晶片腐蚀质量，简化后续加工难度。
19、2、该超高频石英晶片腐蚀的控制方法，腐蚀液在腐蚀槽内实现循环流动，保证石英晶片可以完全与腐蚀液接触并及时带走发生化学反应产生的热量及生成物，保证腐蚀液的ph值及浓度的稳定性，保证腐蚀槽内每片晶片腐蚀速度的一致性，在整批腐蚀晶片中固定一片晶片，并连接频率检测设备，此设备监测此片晶片在腐蚀过程中的时时频率，保证此观察晶片和其他晶片在相同的腐蚀环境中同时腐蚀，通过观测频率检测设备上晶片频率的走向，来计算腐蚀时间和腐蚀速度。
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1.超高频石英晶片腐蚀的控制方法，其特征在于，包括晶片腐蚀频率控制和晶片腐蚀表面质量控制；
2.根据权利要求1所述的超高频石英晶片腐蚀的控制方法，其特征在于：所述腐蚀前频率控制，对腐蚀前晶片进行频率筛选，频率测试定位到整片晶片上的所有凹槽，计算频率分布，频率平均值及频率散差，通过计算值对晶片进行频率分类腐蚀。
3.根据权利要求1所述的超高频石英晶片腐蚀的控制方法，其特征在于：所述腐蚀中频率控制，采用在相同腐蚀环境下对现有腐蚀晶片连接频率监测设备，通过监测腐蚀液中晶片的实时频率，获得整批晶片的频率。
4.根据权利要求3所述的超高频石英晶片腐蚀的控制方法，其特征在于：所述腐蚀液控制，腐蚀液在腐蚀槽内实现循环流动，保证石英晶片可以完全与腐蚀液接触并及时带走发生化学反应产生的热量及生成物，保证腐蚀液的pH值及浓度的稳定性，保证腐蚀槽内每片晶片腐蚀速度的一致性。
5.根据权利要求1所述的超高频石英晶片腐蚀的控制方法，其特征在于：所述目标频率控制，在整批腐蚀晶片中固定一片晶片，并连接频率检测设备，此设备监测此片晶片在腐蚀过程中的时时频率，保证此
6.根据权利要求1所述的超高频石英晶片腐蚀的控制方法，其特征在于：所述腐蚀前晶片表面质量控制，对晶片表面脏污进行清洗；
7.根据权利要求6所述的超高频石英晶片腐蚀的控制方法，其特征在于：所述酸性清洗剂为硝酸溶液，PH值控制在5～6之间，碱性清洗剂为弱碱性清洗剂，PH控制在7～8之间。
8.根据权利要求1所述的超高频石英晶片腐蚀的控制方法，其特征在于：所述腐蚀中晶片表面质量控制，保证腐蚀环境稳定，腐蚀环境包括腐蚀液浓度稳定，腐蚀流场稳定，腐蚀液温度稳定，晶片表面反应速率稳定。
9.根据权利要求1所述的超高频石英晶片腐蚀的控制方法，其特征在于：所述腐蚀后晶片表面质量控制，腐蚀后晶片表面清洗方法：超纯水清洗10min，碱性清洗剂浸泡10min，超纯水清洗10min，酸性清洗剂浸泡10min，超纯水清洗10min，烤干。
...【技术特征摘要】
1.超高频石英晶片腐蚀的控制方法，其特征在于，包括晶片腐蚀频率控制和晶片腐蚀表面质量控制；
2.根据权利要求1所述的超高频石英晶片腐蚀的控制方法，其特征在于：所述腐蚀前频率控制，对腐蚀前晶片进行频率筛选，频率测试定位到整片晶片上的所有凹槽，计算频率分布，频率平均值及频率散差，通过计算值对晶片进行频率分类腐蚀。
3.根据权利要求1所述的超高频石英晶片腐蚀的控制方法，其特征在于：所述腐蚀中频率控制，采用在相同腐蚀环境下对现有腐蚀晶片连接频率监测设备，通过监测腐蚀液中晶片的实时频率，获得整批晶片的频率。
4.根据权利要求3所述的超高频石英晶片腐蚀的控制方法，其特征在于：所述腐蚀液控制，腐蚀液在腐蚀槽内实现循环流动，保证石英晶片可以完全与腐蚀液接触并及时带走发生化学反应产生的热量及生成物，保证腐蚀液的ph值及浓度的稳定性，保证腐蚀槽内每片晶片腐蚀速度的一致性。
5.根据权利要求1所述的超高频石英晶片腐蚀的控制方法，其特征在于：所述目标频率控制，在整批腐蚀晶片中固定一片晶片，并连接频率检...
【专利技术属性】
技术研发人员：万杨，吴丰顺，张小伟，刘明帆，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：
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