【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及超构材料，尤其涉及的是一种压电超构材料结构。
技术介绍
1、目前，基于非线性同步开关阻尼电路(ssd：synchronized switcheddamping)技术的压电超材料结构中，目前仅限为一维超材料梁结构和电感型同步开关阻尼电路(ssdi：synchronized switch damping on inductor)技术在力电耦合材料中的基础应用研究。
2、然而，一维力电耦合超材料结构的机械波调控能力有限，只能在单个方向产生宽频带隙，而电感型同步开关阻尼电路技术作为一种被动控制技术，宽频阻尼性能相对于半主动控制技术较弱。
3、因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种压电超构材料结构，以解决现有压电超材料结构机械波调控能力较差、宽频阻尼性能较弱的问题。
2、本专利技术的技术方案如下：
3、本专利技术提供了一种压电超构材料结构，其包括：
4、二维板基体；
5、压电片，所述压电片阵列周期性地设置在所述二维板基体的表面；
6、非线性增强型ssdv分流电路，与所述压电片连接，用于在所述压电片发生应变时，产生宽频的电磁谐振带隙。
7、本专利技术的进一步设置，所述非线性增强型ssdv分流电路包括：电子开关、电感与自适应电压源；其中，
8、所述电子开关的一端与所述压电片连接，所述电子开关的另一端与所述电感
9、所述电感的另一端与所述自适应电压源连接。
10、本专利技术的进一步设置，每一所述压电片连接一所述非线性增强型ssdv分流电路。
11、本专利技术的进一步设置，沿所述二维板基体的横向方向上，每两个所述压电片共用一个所述非线性增强型ssdv分流电路，所述非线性增强型ssdv分流电路连接在两所述压电片之间。
12、本专利技术的进一步设置，每四个所述压电片构成一个周期性单元，所述非线性增强型ssdv分流电路连接在交叉方向上的两个压电片之间。
13、本专利技术的进一步设置，每四个所述压电片构成一个周期性单元，所述非线性增强型ssdv分流电路连接在相邻的两个压电片之间。
14、本专利技术的进一步设置，相邻两所述压电片之间的距离相等。
15、本专利技术的进一步设置，所述压电片附着于所述二维板基体的表面上。
16、本专利技术的进一步设置，所述压电片为矩形压电片。
17、本专利技术的进一步设置，所述二维板基体为矩形基体。
18、本专利技术所提供的一种压电超构材料结构，压电超构材料结构包括：二维板基体；压电片，所述压电片阵列周期性地设置在所述二维板基体的表面；非线性增强型ssdv分流电路，与所述压电片连接，用于在所述压电片发生应变时，产生宽频的电磁谐振带隙。本专利技术通过将压电片阵列设置在二维板基体上，并通过非线性增强型ssdv分流电路与压电片连接，当压电片发生应变，出现结构位移极值时，可以对压电电压进行放大处理，以提高宽频阻尼性能，产生宽频的电磁谐振带隙，从而能够产生衰减性能更强的低频减振效果，同时采用二维板基体也实现了二维平面内不同方向的机械波带隙的调控。
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1.一种压电超构材料结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的压电超构材料结构，其特征在于，所述非线性增强型SSDV分流电路包括：电子开关、电感与自适应电压源；其中，
3.根据权利要求1或2所述的压电超构材料结构，其特征在于，每一所述压电片连接一所述非线性增强型SSDV分流电路。
4.根据权利要求1或2所述的压电超构材料结构，其特征在于，沿所述二维板基体的横向方向上，每两个所述压电片共用一个所述非线性增强型SSDV分流电路，所述非线性增强型SSDV分流电路连接在两所述压电片之间。
5.根据权利要求1或2所述的压电超构材料结构，其特征在于，每四个所述压电片构成一个周期性单元，所述非线性增强型SSDV分流电路连接在交叉方向上的两个压电片之间。
6.根据权利要求1或2所述的压电超构材料结构，其特征在于，每四个所述压电片构成一个周期性单元，所述非线性增强型SSDV分流电路连接在相邻的两个压电片之间。
7.根据权利要求1所述的压电超构材料结构，其特征在于，相邻两所述压电片之间的距离相等。
8.根据权
9.根据权利要求1所述的压电超构材料结构，其特征在于，所述压电片为矩形压电片。
10.根据权利要求1所述的压电超构材料结构，其特征在于，所述二维板基体为矩形基体。
...【技术特征摘要】
1.一种压电超构材料结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的压电超构材料结构，其特征在于，所述非线性增强型ssdv分流电路包括：电子开关、电感与自适应电压源；其中，
3.根据权利要求1或2所述的压电超构材料结构，其特征在于，每一所述压电片连接一所述非线性增强型ssdv分流电路。
4.根据权利要求1或2所述的压电超构材料结构，其特征在于，沿所述二维板基体的横向方向上，每两个所述压电片共用一个所述非线性增强型ssdv分流电路，所述非线性增强型ssdv分流电路连接在两所述压电片之间。
5.根据权利要求1或2所述的压电超构材料结构，其特征在于，每四个所述压电片构成一个周期性单元...
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