【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料测试领域，具体涉及一种外延片c-v测试前处理方法。
技术介绍
1、汞探针测试外延层电阻率是在目前外延片生产中普遍采用的测试方法，利用c-v测试，通过电容-电压关系，可以得到肖特基势垒在硅外延层一侧的掺杂浓度分布。在c-v测试中，为防止漏电导致测量失败，需要对硅外延片表面进行钝化处理，即在硅外延片表面形成一层薄氧化层。
2、在目前硅外延片c-v测试中，对硅外延片进行前处理时，主要使用的湿法钝化方法有过氧化氢法和碘化银溶液浸泡法。对于过氧化氢法，需要将过氧化氢溶液加热至80℃进行处理，而过氧化氢本身易分解，在规模化生产中应用困难；对于碘化银溶液浸泡法，碘化银溶液制备相对价格较高，且溶液需回收处理，大规模生产使用相对成本较高。
技术实现思路
1、专利技术目的：本专利技术的目的是提供一种可规模化使用且环保经济的外延片c-v测试前处理方法。
2、技术方案：一种外延片c-v测试前处理方法，包括以下步骤：
3、(1)配制hf溶液和kio3溶液；
4、(2)将配置好的hf溶液、kio3溶液分别注入hf试剂槽、kio3试剂槽中；
5、(3)将外延片放入hf试剂槽中，浸没在hf溶液中，取出后用去离子水冲洗；
6、(4)经hf溶液处理后，将外延片放入kio3试剂槽中，浸没在kio3溶液中，取出后用去离子水冲洗并甩干。
7、具体的，步骤(1)中，配制hf溶液为将体积分数40％的hf酸与去离子水以体积
8、具体的，步骤(1)中，配制kio3溶液为将体积分数10％的kio3溶液与去离子水以体积比1:500混合。
9、具体的，步骤(3)中，外延片浸没在hf溶液中的时间为2～5min。
10、具体的，步骤(4)中，外延片浸没在kio3溶液中的时间为2～15min。
11、有益效果：与现有技术相比，本专利技术的显著效果是：通过配制浓度适当的kio3溶液，替代现有技术中高温下稳定性差的过氧化氢和成本较高的碘化银试剂试剂，作为新的外延片c-v测试前处理用钝化试剂，在钝化效果满足工艺要求的前提下，兼具成本低廉，环境友好的优点，并且可以满足大批量测试的需求。
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1.一种外延片C-V测试前处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的外延片C-V测试前处理方法，其特征在于：步骤(1)中，配制HF溶液为将HF体积分数40％的HF酸与去离子水以体积比1:1混合。
3.根据权利要求2所述的外延片C-V测试前处理方法，其特征在于：步骤(1)中，配制KIO3溶液为将KIO3体积分数10％的KIO3溶液与去离子水以体积比1:500混合。
4.根据权利要求1所述的外延片C-V测试前处理方法，其特征在于：步骤(3)中，外延片浸没在HF溶液中的时间为2～5min。
5.根据权利要求1所述的外延片C-V测试前处理方法，其特征在于：步骤(4)中，外延片浸没在KIO3溶液中的时间为2～15min。
【技术特征摘要】
1.一种外延片c-v测试前处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的外延片c-v测试前处理方法，其特征在于：步骤(1)中，配制hf溶液为将hf体积分数40％的hf酸与去离子水以体积比1:1混合。
3.根据权利要求2所述的外延片c-v测试前处理方法，其特征在于：步骤(1)中，配制kio3溶液为将kio...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘文宾，黄宇程，邓雪华，
申请(专利权)人：南京国盛电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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