【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容涉及电子装置制造，并且更具体地涉及用于电子装置制造设备的泵送衬垫及其制造和使用方法的一个或多个具体实施方式。
技术介绍
1、电子装置制造设备通常包括一个或多个处理腔室，处理腔室具有基板支撑件，在处理过程中基板位于基板支撑件上。在一些处理中，加压气体被引入基板上方并径向向下流出到基板上以沉积膜。泵送衬垫可用于将气流引导到基板的表面上。习知的泵送衬垫设计有统一的孔尺寸，挡板用于凭经验调整基板上沉积的均匀性。与另一位置的孔相比，挡板提供流动障碍以减少或防止穿过一个位置的孔的显著压力变化。这种习知的泵送衬垫难以优化，因为存在许多自由度(例如，挡板的数量、挡板与泵送孔之间的距离、挡板的角度尺寸等)。由于调整过程是经验性的，每次优化构造时，都会测试一个新部件。这个调整过程非常耗时，而且空间限制通常会限制挡板的使用。因此，泵送衬垫不可避免地具有比其他区域向基板输送更多气体的一些区域，导致向处理过的基板输送不均匀的气体。
技术实现思路
1、本文公开一种用于处理腔室的泵送衬垫的各种具体实施方式，泵送衬垫包含：主体，主体被构造为围绕处理腔室的基板支撑件，主体包含：多个开口，多个开口构造成围绕基板支撑件并接收源自向基板支撑件输送的处理气体的未反应处理气体或反应气体产物中的至少一种，其中多个开口中的一个或多个第一开口具有第一尺寸，第一尺寸不同于多个开口中的一个或多个第二开口的第二尺寸，并且其中多个开口中的每个开口被构造为提供气体质量流动速率，气体质量流动速率在目标气体质量流动速率的±5％内；以及
2、本文进一步公开根据各种具体实施方式的一种半导体处理腔室，半导体处理腔室包括：基板支撑件，基板支撑件用于支撑基板；面板，面板用于将处理气体输送到基板；以及泵送衬垫，泵送衬垫布置在基板支撑件周围，泵送衬垫包括：多个开口，多个开口构造成围绕基板支撑件并接收源自向基板支撑件输送的处理气体的未反应处理气体或反应气体产物中的至少一种，其中多个开口中的一个或多个第一开口具有第一尺寸，第一尺寸不同于多个开口中的一个或多个第二开口的第二尺寸，并且其中多个开口中的每个开口被构造为提供气体质量流动速率，气体质量流动速率在目标气体质量流动速率的±5％内；以及气体出口，气体出口被构造为从泵送衬垫抽空经由多个开口接收的未反应处理气体或反应处理气体副产物中的至少一种。
3、在更进一步的具体实施方式中，本文公开一种制造可变尺寸开口泵送衬垫的方法，方法包括以下步骤：形成泵送衬垫的主体；以及在主体中形成多个开口，其中多个开口构造成围绕基板支撑件并接收源自向基板支撑件输送的处理气体的未反应处理气体或反应气体产物中的至少一种，其中多个开口中的一个或多个第一开口具有第一尺寸，第一尺寸不同于多个开口中的一个或多个第二开口的第二尺寸，并且其中多个开口中的每个开口被构造为提供气体质量流动速率，气体质量流动速率在目标气体质量流动速率的±5％内；以及气体出口，气体出口被构造为从泵送衬垫抽空经由多个开口接收的未反应处理气体或反应处理气体副产物中的至少一种。
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1.一种用于处理腔室的泵送衬垫，所述泵送衬垫包含：
2.如权利要求1所述的泵送衬垫，其中所述多个开口包括约10个开口到约120个开口。
3.如权利要求1所述的泵送衬垫，其中所述多个开口包括多组开口，其中对于所述多组开口中的每组开口，所述组内的每个开口具有相同的尺寸。
4.如权利要求1所述的泵送衬垫，其中所述多个开口中的每个开口为圆形、矩形、方形、三角形或这些形状的组合。
5.如权利要求1所述的泵送衬垫，其中所述多个开口被构造为围绕所述基板支撑件的所述周边均匀地间隔开。
6.如权利要求1所述的泵送衬垫，其中所述多个开口布置成使得靠近所述气体出口的开口较少并且远离所述气体出口的开口较多。
7.如权利要求1所述的泵送衬垫，其中所述多个开口经布置以防止处理气体流过所述基板支撑件的停滞区。
8.如权利要求1所述的泵送衬垫，其中所述多个开口布置成并行线、蜂窝图样或并行线与蜂窝图样的组合。
9.如权利要求1所述的泵送衬垫，其中所述多个开口的尺寸从靠近所述气体出口的第一点到第二点逐渐增加。
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