【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及基材上的可释放且转移到系统基材的微装置的开发。
技术介绍
技术实现思路
1、本专利技术涉及一种用以将微装置从匣基材选择性地转移到系统基材的方法，该方法包括：使匣基材更接近该系统基材；使选定微装置与该系统基材中的垫接触；将该选定微装置接合到该系统基材中的该垫；并且其中用于来自该匣基材的第一选定微装置的离型层在该转移之前被修改或移除，以使得该选定微装置以低于该选定微装置对该垫的接合力的力固持到该匣基材。
【技术保护点】
1.一种用以将微装置从匣基材选择性地转移到系统基材的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述垫是具有导电部分和接合部分的多部分。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一选定微装置的释放是通过经由选择性化学工艺、蚀刻、热或激光工艺移除或改变第一离型层。
4.根据权利要求1所述的方法，其中第二离型层与所述匣基材中的未选定微装置相关联。
5.根据权利要求3所述的方法，其中对于所述选择性化学工艺，光致抗蚀剂被图案化在所述匣基材上以实现对选择性微装置的接近。
6.根据权利要求5所述的方法，其中在所述转移之后，另一光致抗蚀剂被图案化以实现对新选定微装置的接近。
7.根据权利要求2所述的方法，其中使用不同离型层，使得各离型层是通过选定化学物质进行修改或移除，使得第一化学物质移除与所述选定微装置相关的所述离型层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中在将第一选定组微装置转移到所述系统基材之后，使用第二化学物质，所述第二化学物质移除或修改与第二组微装置相关联的离型层。
9.根据权利
10.根据权利要求2所述的方法，其中所述垫的所述接合部分仅针对所述第一选定微装置而形成，而用于第二选定微装置的所述垫的所述接合部分是在所述第一选定微装置的所述转移之后形成在所述系统基材上。
11.根据权利要求2所述的方法，其中与修复工艺相关的所述微装置的所述接合部分是在所述系统基材中的缺陷微装置的测试和识别之后形成。
12.根据权利要求2所述的方法，其中未选定微装置未被转移到所述系统基材，这是因为不存在接合垫或所述接合垫具有小于对应离型层的力。
13.根据权利要求12所述的方法，其中重复用于第一组选定微装置的所述方法，直到所述系统基材的目标区域被完全或部分地填充。
14.根据权利要求12所述的方法，其中第二接合垫组形成到所述系统基材上并且是通过移除顶部层、热、等离子体或其它因素来激活。
15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其中第二供体基材中干扰第一转移微装置的区域不具有微装置。
17.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二微装置供体基材用以将与所述系统基材中的第一微装置相关联的第二微装置转移到不具有第一微装置的另一系统基材或所述系统基材的部分或临时基材中。
18.根据权利要求14所述的方法，其中第二选定微装置组被转移到所述系统基材中，并且重复用于第二组选定微装置转移的此方法，直到所述系统基材的目标区域被完全或部分地填充并且与所述第二微装置相关联的所述离型层在所述转移之前被移除或改变。
19.根据权利要求18所述的方法，其中第三接合垫是在所述第二微装置被转移之后或之前形成在所述系统基材上，并且所述第三接合垫是通过移除顶部层、等离子体工艺、润湿、热或激光来激活。
20.根据权利要求19所述的方法，进一步包括：
21.根据方法20所述的权利要求，其中第三微装置供体基材用以将与所述系统基材中的所述第一微装置和所述第二微装置相关联的第三微装置转移到不具有第一微装置或第二微装置的另一系统基材或所述系统基材的部分或临时基材中。
22.根据权利要求21所述的方法，其中第三选定微装置组被转移到所述系统基材中，并且重复用于所述第二组选定微装置转移的此方法，直到所述系统基材的目标区域被完全或部分地填充并且与所述第三微装置相关联的所述离型层在所述转移之前被移除或改变。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用以将微装置从匣基材选择性地转移到系统基材的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述垫是具有导电部分和接合部分的多部分。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一选定微装置的释放是通过经由选择性化学工艺、蚀刻、热或激光工艺移除或改变第一离型层。
4.根据权利要求1所述的方法，其中第二离型层与所述匣基材中的未选定微装置相关联。
5.根据权利要求3所述的方法，其中对于所述选择性化学工艺，光致抗蚀剂被图案化在所述匣基材上以实现对选择性微装置的接近。
6.根据权利要求5所述的方法，其中在所述转移之后，另一光致抗蚀剂被图案化以实现对新选定微装置的接近。
7.根据权利要求2所述的方法，其中使用不同离型层，使得各离型层是通过选定化学物质进行修改或移除，使得第一化学物质移除与所述选定微装置相关的所述离型层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中在将第一选定组微装置转移到所述系统基材之后，使用第二化学物质，所述第二化学物质移除或修改与第二组微装置相关联的离型层。
9.根据权利要求2所述的方法，其中供体基材中的不同离型层具有不同的修改或移除机制。
10.根据权利要求2所述的方法，其中所述垫的所述接合部分仅针对所述第一选定微装置而形成，而用于第二选定微装置的所述垫的所述接合部分是在所述第一选定微装置的所述转移之后形成在所述系统基材上。
11.根据权利要求2所述的方法，其中与修复工艺相关的所述微装置的所述接合部分是在所述系统基材中的缺陷微装置的测试和识别之后形成。
12.根据权利要求2所述的方法，其中未选定微装置未被转移到所述系统基材，这是因为不存在接合垫或所述接合垫具有小于对应离型层的力。
13.根据...
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