System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种cascode型功率模块的动态特性预测方法及系统技术方案_技高网

一种cascode型功率模块的动态特性预测方法及系统技术方案

技术编号:40660724 阅读:11 留言:0更新日期:2024-03-18 18:53
本发明专利技术公开了一种cascode型功率模块的动态特性预测方法及系统,对功率模块内器件的工作状态进行分析,获取功率模块各支路的电流方向,并对功率模块内器件的工作状态划分;获取功率模块内器件的结电容非线性特性;获取功率模块内器件的跨导非线性特性;根据各支路的电流方向并结合有限元分析方法,获取功率模块和PCB电路板中的寄生参数;结合功率模块内器件的结电容非线性特性、跨导非线性特性和功率模块和PCB电路板中的寄生参数,根据对功率模块内器件的工作状态划分结果,确认各阶段之间的切换条件,构建功率模块各阶段的电压电流方程并进行求解,得到功率模块各阶段的动态特性预测结果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及宽禁带半导体器件领域,具体为一种cascode型功率模块的动态特性预测方法及系统


技术介绍

1、有关电力电子器件的建模一直是电力电子器件研究的重点之一,其中,硅mosfet的建模已较为成熟。随着氮化镓器件技术的成熟和应用,针对gan器件的建模引起了专家学者的广泛关注。gan器件包括增强型(e-mode)氮化镓和耗尽型(p-mode)氮化镓,后者在使用时往往构建为cascode形式。关于增强型gan器件的建模,西安交通大学的王康平等人提出了增强型gan器件的分段模型,考虑了寄生电感的影响、寄生电容的非线性及器件跨导的非线性,列写了开通和关断过程的电压电流关系式,并由此计算了开关损耗,但是该拓扑结构简单,不能简单地用于cascode型功率模块。

2、谢瑞良等同样针对增强型gan器件,建立了基于双曲正切函数的连续解析模型,该模型能够精确地反映增强型gan晶体管电流-电压特性和电容-电压特性的非线性,但是这种非线性特性并不适用于强非线性场合,难以准确描述cascode型功率模块的非线性特性。

3、现有对场板结构的gan晶体管在关断状态下的结电容进行了基于物理特性的建模,建立了器件的物理参数与电气参数之间的关系,同时揭示了这些结电容非线性的物理根源,但是结果表征通过该方法搭建的模型与实际情况一致性不高。对于共源共栅型gan器件的建模,美国cpes中心进行了一系列深入的研究。为了计算共源共栅型gan器件的功率损耗,他们综合考虑了封装和pcb引入的寄生电感、结电容的非线性和晶体管自身跨导等因素,提出了共源共栅型gan器件的精确解析模型,并且指出了器件封装内部寄生电感之间的耦合现象,提出了一种准确提取器件封装寄生电感的方法,搭建了共源共栅型gan器件的仿真模型,并基于该仿真模型研究了封装和寄生电感对器件特性的影响,此外,还研究了改善共源共栅型gan器件的封装所带来的寄生参数优化,但是这一模型并没有考虑到低压硅mosfet由于参数变化在各阶段可能处于不同的状态,导致模型连贯性差,不够精确。

4、上述研究现状表明,现有关于gan器件建模的研究主要集中在单管及其简单应用电路的建模上,且各自只侧重所建模型在某些方面的精确性,尚少有文献对器件间寄生参数的耦合进行全面准确的建模,以及对多参数影响下cascode型gan器件的工作模态做全面分析。


技术实现思路

1、针对现有技术中存在的问题,本专利技术提供一种cascode型功率模块的动态特性预测方法及系统,用以预测整体功率模块的动态特性。

2、本专利技术是通过以下技术方案来实现:

3、一种cascode型功率模块的动态特性预测方法,包括以下步骤:

4、s1、对功率模块内器件的工作状态进行分析,获取功率模块各支路的电流方向,并对功率模块内器件的工作状态划分;

5、s2、获取功率模块内器件的结电容非线性特性;

6、s3、获取功率模块内器件的跨导非线性特性;

7、s4、根据各支路的电流方向并结合有限元分析方法,获取功率模块和pcb电路板中的寄生参数;

8、s5、结合功率模块内器件的结电容非线性特性、跨导非线性特性和功率模块和pcb电路板中的寄生参数,根据对功率模块内器件的工作状态划分结果,确认各阶段之间的切换条件,构建功率模块各阶段的电压电流方程并进行求解,得到功率模块各阶段的动态特性预测结果。

9、优选的,步骤1中所述功率模块内器件的工作状态划分方法如下:

10、截止区,硅mosfet和氮化镓hemt等效于输出电容coss0和coss1;

11、在饱和区,硅mosfet和氮化镓hemt等效于受控电流源,由驱动电压vgs0和vgs1控制;

12、在变阻区,硅mosfet和氮化镓hemt等效于导通电阻rds(on)0和rds(on)1。

13、优选的,步骤2结电容非线性特性的获取方法如下:

14、获取功率模块内器件的结电容并进行拟合,得到功率模块内器件的结电容非线性特性。

15、优选的,采用插值拟合或者线性回归拟合方法对结电容并进行拟合。

16、优选的,步骤s3中跨导非线性特性的获取方法如下:

17、获取功率模块内器件的电流和电压曲线,根据电流和电压曲线提取跨导非线性特性。

18、优选的,步骤s4中寄生参数的获取方法如下:

19、基于各支路的电流方向,分别构建pcb板和功率模块的三维物理模型,搭建与实际键合线参数相同的键合线模型,定义电流流入source点和电流流出sink点,再通过有限元仿真得到功率模块和pcb板的寄生参数。

20、优选的,步骤5中对各阶段的电压电流方程进行变换,得到对应的空间状态方程,采用matlab对空间状态方程求解,得到功率模块各阶段的动态特性预测结果。

21、一种cascode型功率模块的动态特性预测方法的系统,包括,

22、电流方向分析模块,用于对功率模块内器件的工作状态进行分析,获取功率模块各支路的电流方向,并对功率模块内器件的工作状态划分;

23、结电容特性模块,用于获取功率模块内器件的结电容非线性特性;

24、跨导特性模块,用于获取功率模块内器件的跨导非线性特性;

25、寄生参数模块,用于根据各支路的电流方向并结合有限元分析方法,获取功率模块和pcb电路板中的寄生参数;

26、动态特性预测模块,用于结合功率模块内器件的结电容非线性特性、跨导非线性特性和功率模块和pcb电路板中的寄生参数,根据对功率模块内器件的工作状态划分结果,确认各阶段之间的切换条件,构建功率模块各阶段的电压电流方程并进行求解,得到功率模块各阶段的动态特性预测结果。

27、与现有技术相比,本专利技术具有以下有益的技术效果:

28、本专利技术提供的一种cascode型功率模块的动态特性预测方法,分析了高压氮化镓hemt和低电压硅mosfet组成的cascode结构功率模块的分别在开通过程和关断过程的寄生电感分布,考虑了低压硅mosfet和高压的非线性,分析了相邻开关模态的切换条件,分析了不同条件下开关模态的不同开关顺序,分析各个开关模态的电路并得到了相应的空间状态方程,通过空间状态方程得到一定条件下的数值解,解得整个开关过程的各个电压电流值。

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【技术保护点】

1.一种cascode型功率模块的动态特性预测方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种cascode型功率模块的动态特性预测方法,其特征在于,步骤1中所述功率模块内器件的工作状态划分方法如下:

3.根据权利要求1所述的一种cascode型功率模块的动态特性预测方法,其特征在于,步骤2结电容非线性特性的获取方法如下:

4.根据权利要求3所述的一种cascode型功率模块的动态特性预测方法,其特征在于,采用插值拟合或者线性回归拟合方法对结电容并进行拟合。

5.根据权利要求1所述的一种cascode型功率模块的动态特性预测方法,其特征在于,步骤S3中跨导非线性特性的获取方法如下:

6.根据权利要求1所述的一种cascode型功率模块的动态特性预测方法,其特征在于,步骤S4中寄生参数的获取方法如下:

7.根据权利要求1所述的一种cascode型功率模块的动态特性预测方法,其特征在于,步骤5中对各阶段的电压电流方程进行变换,得到对应的空间状态方程,采用MATLAB对空间状态方程求解,得到功率模块各阶段的动态特性预测结果。

8.一种执行权利要求1-7任一项所述一种cascode型功率模块的动态特性预测方法的系统,其特征在于,包括,

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【技术特征摘要】

1.一种cascode型功率模块的动态特性预测方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种cascode型功率模块的动态特性预测方法,其特征在于,步骤1中所述功率模块内器件的工作状态划分方法如下:

3.根据权利要求1所述的一种cascode型功率模块的动态特性预测方法,其特征在于,步骤2结电容非线性特性的获取方法如下:

4.根据权利要求3所述的一种cascode型功率模块的动态特性预测方法,其特征在于,采用插值拟合或者线性回归拟合方法对结电容并进行拟合。

5.根据权利要求1所述的一种cascode型...

【专利技术属性】
技术研发人员:卓放宋瑞杰王丰夏镔冰田嘉琛高鹏宇程思悦
申请(专利权)人:西安交通大学
类型:发明
国别省市:

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