【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言涉及一种光刻胶粘附性的检测方法。
技术介绍
1、在半导体光刻工艺中，光刻胶的粘附性变化会影响湿法刻蚀侧掏距离，导致结构和形貌不符合预期，同时粘附性变差可能直接造成显影后或刻蚀过程中光刻胶剥落。
2、如何有效地对光刻胶在晶圆上的黏附性进行量测是一个重要课题，在半导体湿法刻蚀晶圆上的薄膜层时，对光刻胶的选择和湿法刻蚀的工艺参数调整具有很重要的指导意义。
技术实现思路
1、在申请内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本申请的申请内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
2、针对目前存在的问题，本申请提供了一种光刻胶粘附性的检测方法，所述检测方法包括：
3、提供衬底，并在所述衬底上涂覆光刻胶层；
4、采取掩膜版对所述光刻胶层的不同区域分别进行曝光；在所述不同区域，分别采取不同的曝光焦距；
5、对曝光后的所述光刻胶层进行显影，以得到分别与所述不同区域相对应的多个图案块；
6、根据不同曝光焦距所对应的所述图案块确定所述光刻胶的粘附性等级。
7、在本申请的一些实施例中，所述根据不同曝光焦距所对应的所述图案块确定所述光刻胶的粘附性等级，包括：
8、分别对不同曝光焦距所对应的所述图案块进行冲洗；
9、根据冲洗后不同曝光焦距所对应的所述图案块在所
10、在本申请的一些实施例中，所述根据不同曝光焦距所对应的所述图案块确定所述光刻胶的粘附性等级，包括：
11、分别以不同曝光焦距所对应的所述图案块为掩膜对所述衬底进行湿法刻蚀；
12、根据不同曝光焦距所对应的图案块的湿法刻蚀的侧掏距离确定所述光刻胶的粘附性等级。
13、在本申请的一些实施例中，所述掩膜版包括多个长宽比不同的子图案，每个所述图案块包括多个长宽比不同的子图案块。
14、在本申请的一些实施例中，不同类型的光刻胶在所述衬底上具有不同的涂覆厚度，多个所述子图案中尺寸最小的子图案的宽度为最小厚度光刻胶层的厚度的1/10。
15、在本申请的一些实施例中，不同类型的光刻胶在所述衬底上具有不同的涂覆厚度，多个所述子图案中尺寸最大的子图案的宽度为最大厚度光刻胶层的厚度的2倍。
16、在本申请的一些实施例中，对于每一个所述子图案，其自身的长度大于10倍的自身宽度。
17、在本申请的一些实施例中，所述衬底包括多个材质不同的区域，在每个所述区域均形成有所述多个图案块。
18、在本申请的一些实施例中，所述衬底包括晶圆，所述晶圆上形成有多个彼此间隔设置的条形沟槽，多个所述条形沟槽中分别填充有不同材质。
19、在本申请的一些实施例中，所述多个材质不同的区域中的每个区域包括以下其中之一：硅、氧化硅、氮化硅、铝。
20、本申请的光刻胶粘附性的检测方法，通过掩膜版对衬底上的光刻胶层的不同区域分别进行曝光，且不同区域，分别采取不同的曝光焦距，从而在显影后可以根据分别与不同区域相对应的多个图案块来确定光刻胶的粘附性等级，能够更为准确地确定光刻胶的粘附性等级。
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1.一种光刻胶粘附性的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：
2.如权利要求1所述的光刻胶粘附性的检测方法，其特征在于，所述根据不同曝光焦距所对应的所述图案块确定所述光刻胶的粘附性等级，包括：
3.如权利要求1所述的光刻胶粘附性的检测方法，其特征在于，所述根据不同曝光焦距所对应的所述图案块确定所述光刻胶的粘附性等级，包括：
4.如权利要求1所述的光刻胶粘附性的检测方法，其特征在于，所述掩膜版包括多个长宽比不同的子图案，每个所述图案块包括多个长宽比不同的子图案块。
5.如权利要求4所述的光刻胶粘附性的检测方法，其特征在于，不同类型的光刻胶在所述衬底上具有不同的涂覆厚度，多个所述子图案中尺寸最小的子图案的宽度为最小厚度光刻胶层的厚度的1/10。
6.如权利要求4所述的光刻胶粘附性的检测方法，其特征在于，不同类型的光刻胶在所述衬底上具有不同的涂覆厚度，多个所述子图案中尺寸最大的子图案的宽度为最大厚度光刻胶层的厚度的2倍。
7.如权利要求4所述的光刻胶粘附性的检测方法，其特征在于，对于每一个所述子图案，其自身的长度
8.如权利要求1所述的光刻胶粘附性的检测方法，其特征在于，所述衬底包括多个材质不同的区域，在每个所述区域均形成有所述多个图案块。
9.如权利要求8所述的光刻胶粘附性的检测方法，其特征在于，所述衬底包括晶圆，所述晶圆上形成有多个彼此间隔设置的条形沟槽，多个所述条形沟槽中分别填充有不同材质。
10.如权利要求8所述的光刻胶粘附性的检测方法，其特征在于，所述多个材质不同的区域中的每个区域包括以下其中之一：硅、氧化硅、氮化硅、铝。
...【技术特征摘要】
1.一种光刻胶粘附性的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：
2.如权利要求1所述的光刻胶粘附性的检测方法，其特征在于，所述根据不同曝光焦距所对应的所述图案块确定所述光刻胶的粘附性等级，包括：
3.如权利要求1所述的光刻胶粘附性的检测方法，其特征在于，所述根据不同曝光焦距所对应的所述图案块确定所述光刻胶的粘附性等级，包括：
4.如权利要求1所述的光刻胶粘附性的检测方法，其特征在于，所述掩膜版包括多个长宽比不同的子图案，每个所述图案块包括多个长宽比不同的子图案块。
5.如权利要求4所述的光刻胶粘附性的检测方法，其特征在于，不同类型的光刻胶在所述衬底上具有不同的涂覆厚度，多个所述子图案中尺寸最小的子图案的宽度为最小厚度光刻胶层的厚度的1/10。
6.如权利要求4所述的光刻胶...
【专利技术属性】
技术研发人员：张弓玉帛，杨慧，袁立春，
申请(专利权)人：芯联集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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