【技术实现步骤摘要】
本申请涉及薄膜，特别是涉及一种多种类多层复合膜系制备方法、导电薄膜以及半导体器件。
技术介绍
1、薄膜技术在太阳能、微波、电路、汽车、电子等行业应用非常广泛，而各种膜层之间附着力一直是困扰各个行业发展的普遍问题。目前物理气相沉积技术（pvd）应用越来越广泛，传统技术中很多复合膜层在单台设备条件且缺少靶材的情况下生产多用途复合膜层时无法做到连续溅射。传统技术中对于生产多用途复合膜层时采取的合理方法是，基片返工或者引进多台溅射设备，引进多台溅射设备会大幅增加设备成本和生产成本，基片返工增加工作量并且返工基片也有报废的风险。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种多种类多层复合膜系制备方法。本专利技术的多种类多层复合膜系制备方法通过在第一层金属膜层上进行表面粗化处理，能够增强膜层之间的附着力，使得有些真空下不能结合的膜层可采取机械结合方式进行有效连接，减少设备投入成本，实现单台设备制备多种类多层膜系，有效减少或者阻止基片返工，大幅减少生产成本。
2、本申请一实施例提供了一种多种类多层复合膜系制备方法。
3、一种多种类多层复合膜系制备方法，包括如下步骤：
4、采用真空镀膜方法在基片上制备第一层金属膜层；
5、对所述第一层金属膜层进行表面粗化处理；
6、采用真空镀膜方法在表面粗化处理后的所述第一层金属膜层上制备第二层金属膜层。
7、在其中一些实施例中，所述基片包括陶瓷基片、硅片、绝缘基片或者半导体基片。
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9、在其中一些实施例中，采用真空镀膜方法在基片上制备第一层金属膜层时，具体包括如下步骤：采用清洗剂对所述基片进行清洗除去表面污染物，所述清洗剂包括氢氟酸、盐酸与纯水，其中，氢氟酸、盐酸与纯水的体积比为2~5ml:2~5ml:100ml。
10、在其中一些实施例中，所述多种类多层复合膜系制备方法还满足下述条件中的至少一种：
11、（1）所述第一层金属膜层的制备材料包括金属al、cr、ni、mn、pd、bi、nb、ta、pa、v、ti以及w中的一种或几种组成的合金；
12、（2）所述第一层金属膜层的制备材料包括al、cr、ni、mn、pd、bi、nb、ta、pa、v、ti或者w的金属氮化物或者金属氧化物。
13、在其中一些实施例中，所述第一层金属膜层的厚度为100nm~300nm。
14、在其中一些实施例中，对所述第一层金属膜层进行表面粗化处理时，具体包括如下步骤：
15、破真空后对所述第一层金属膜层进行湿法喷砂处理，喷砂压强为0.1mpa~0.2mpa，喷砂时间为5s-20s，湿法喷砂处理后干燥处理；
16、对干燥处理后的所述第一层金属膜层进行等离子体刻蚀处理，刻蚀压强为0.1pa~1pa，刻蚀气体为氩气，刻蚀时间为20s-50s。
17、在其中一些实施例中，所述多种类多层复合膜系制备方法还包括如下步骤：
18、采用真空镀膜方法在表面粗化处理后的所述第一层金属膜层上制备所述第二层金属膜层~第n层金属膜层，其中，n为≥3的整数。
19、在其中一些实施例中，所述多种类多层复合膜系制备方法还满足下述条件中的至少一种：
20、（1）所述第二层金属膜层的厚度为100nm~300nm；
21、（2）所述第n层金属膜层的厚度为100nm~300nm。
22、在其中一些实施例中，所述多种类多层复合膜系制备方法还满足下述条件中的至少一种：
23、（1）所述第二层金属膜层的制备材料与所述第n层金属膜层的制备材料分别独立地包括金属al、cr、ni、mn、pd、bi、nb、ta、pa、v、ti以及w中的一种或几种组成的合金；
24、（2）所述第二层金属膜层的制备材料与所述第n层金属膜层的制备材料分别独立地包括al、cr、ni、mn、pd、bi、nb、ta、pa、v、ti或者w的金属氮化物或者金属氧化物。
25、在其中一些实施例中，在表面粗化处理后的所述第一层金属膜层上制备所述第二层金属膜层~所述第n层金属膜层采用的真空镀膜工艺与制备所述第一层金属膜层时的真空镀膜工艺相同。
26、在其中一些实施例中，所述第一层金属膜层为单膜层或者不定膜层。
27、本申请一实施例还提供了一种导电薄膜。
28、一种导电薄膜，采用所述多种类多层复合膜系制备方法制备而成。
29、本申请一实施例还提供了一种半导体器件。
30、一种半导体器件包括所述导电薄膜。
31、本专利技术的多种类多层复合膜系制备方法通过在第一层金属膜层上进行表面粗化处理，能够增强膜层之间的附着力，例如，本申请通过喷砂方式增加第一层金属膜层表面粗糙度，除去表面氧化层后便于再次沉积其他膜层，使得膜层间采取机械结合方式，提高了膜层之间的附着力，使得有些真空下不能结合的膜层可采取机械结合方式进行有效连接，减少设备投入成本，实现单台设备制备多种类多层膜系，有效减少或者阻止基片返工，大幅减少生产成本。
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1.一种多种类多层复合膜系制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的多种类多层复合膜系制备方法，其特征在于，所述基片（100）包括陶瓷基片、硅片、绝缘基片或者半导体基片。
3.根据权利要求2所述的多种类多层复合膜系制备方法，其特征在于，所述陶瓷基片包括氧化铝陶瓷基片、氮化铝陶瓷基片，所述半导体基片包括太阳能电池片。
4.根据权利要求1所述的多种类多层复合膜系制备方法，其特征在于，采用真空镀膜方法在基片（100）上制备第一层金属膜层（200）时，具体包括如下步骤：采用清洗剂对所述基片（100）进行清洗除去表面污染物，所述清洗剂包括氢氟酸、盐酸与纯水，其中，氢氟酸、盐酸与纯水的体积比为2~5mL:2~5mL:100mL。
5.根据权利要求1所述的多种类多层复合膜系制备方法，其特征在于，所述多种类多层复合膜系制备方法还满足下述条件中的至少一种：
6.根据权利要求1~5任意一项所述的多种类多层复合膜系制备方法，其特征在于，所述第一层金属膜层（200）的厚度为100nm~300nm。
7.根据权利要
8.根据权利要求1~5任意一项所述的多种类多层复合膜系制备方法，其特征在于，所述多种类多层复合膜系制备方法还包括如下步骤：
9.根据权利要求8所述的多种类多层复合膜系制备方法，其特征在于，所述多种类多层复合膜系制备方法还满足下述条件中的至少一种：
10.根据权利要求9所述的多种类多层复合膜系制备方法，其特征在于，所述多种类多层复合膜系制备方法还满足下述条件中的至少一种：
11.根据权利要求8所述的多种类多层复合膜系制备方法，其特征在于，在表面粗化处理后的所述第一层金属膜层（200）上制备所述第二层金属膜层（300）~所述第N层金属膜层（400）采用的真空镀膜工艺与制备所述第一层金属膜层（200）时的真空镀膜工艺相同。
12.根据权利要求1~5、9~11任意一项所述的多种类多层复合膜系制备方法，其特征在于，所述第一层金属膜层（200）为单膜层或者不定膜层。
13.一种导电薄膜，其特征在于，采用权利要求1~12任意一项所述的多种类多层复合膜系制备方法制备而成。
14.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求13所述的导电薄膜。
...【技术特征摘要】
1.一种多种类多层复合膜系制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的多种类多层复合膜系制备方法，其特征在于，所述基片（100）包括陶瓷基片、硅片、绝缘基片或者半导体基片。
3.根据权利要求2所述的多种类多层复合膜系制备方法，其特征在于，所述陶瓷基片包括氧化铝陶瓷基片、氮化铝陶瓷基片，所述半导体基片包括太阳能电池片。
4.根据权利要求1所述的多种类多层复合膜系制备方法，其特征在于，采用真空镀膜方法在基片（100）上制备第一层金属膜层（200）时，具体包括如下步骤：采用清洗剂对所述基片（100）进行清洗除去表面污染物，所述清洗剂包括氢氟酸、盐酸与纯水，其中，氢氟酸、盐酸与纯水的体积比为2~5ml:2~5ml:100ml。
5.根据权利要求1所述的多种类多层复合膜系制备方法，其特征在于，所述多种类多层复合膜系制备方法还满足下述条件中的至少一种：
6.根据权利要求1~5任意一项所述的多种类多层复合膜系制备方法，其特征在于，所述第一层金属膜层（200）的厚度为100nm~300nm。
7.根据权利要求1~5任意一项所述的多种类多层复合膜系制备方法，其特征在于，对所述第一层金属膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：程吉霖，余斌，覃洪高，
申请(专利权)人：通威太阳能成都有限公司，
类型：发明
国别省市：
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