【技术实现步骤摘要】
本技术涉及led，具体涉及一种微小间距叠层化集成化封装led。
技术介绍
1、目前的led显示制程中，一般在基板的正反两面分别贴装led芯片和集成电路ic，使用的基板为印刷电路板(pcb)，且通常需要使用多层基板及其中复杂的布线布孔，才能实现高密度的led芯片、驱动ic等元器件的高度集成，这就造成传统led封装体尺寸较大的问题。并且考虑到散热需求，各个封装体之间排列间距大，密度低，从而造成led显示屏分辨率较低。因此，提高led显示屏分辨率的关键在于减小封装尺寸。
技术实现思路
1、基于现有技术中存在的上述问题，本技术提供了一种微小间距叠层化集成化封装led，将led芯片与ic裸晶芯片集成在一起，有效缩小led芯片与ic裸晶芯片的封装尺寸，从而提升led显示屏的分辨率。
2、本技术为解决其技术问题而采用的技术方案是：提供一种微小间距叠层化集成化封装led，包括led芯片和与led芯片电性连接的ic裸晶芯片，还包括用于封装所述led芯片的第一绝缘层和用于封装所述ic裸晶芯片的第二绝缘层，所述led芯片上设置有第一电极和与所述第一电极位于同侧的第二电极，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间还设置有布线层，所述布线层内设置有导电柱，所述导电柱上表面的尺寸小于所述导电柱下表面的尺寸，所述导电柱的上表面与所述第一电极或第二电极电性连接，所述导电柱的下表面与所述ic裸晶芯片电性连接。
3、进一步的，所述led芯片包括第一类型半导体层，所述第一电极安装所述第一类型半导体层上
4、进一步的，所述led芯片还包括第二类型半导体层，所述第二类型半导体层和所述第一类型半导体层之间还设置有发光体。
5、进一步的，所述第二电极设置在所述第二类型半导体层上。
6、进一步的，所述第一电极和所述第二电极伸入所述布线层内与所述导电柱电性连接。
7、进一步的，所述第一绝缘层的厚度在50μm～150μm范围内。
8、进一步的，所述布线层的厚度介于60μm～170μm之间。
9、进一步的，所述一颗ic裸晶芯片与所述三颗led芯片组成一个发光单元，所述相邻两个发光单元的间距为0.7mm。
10、进一步的，所述一发光单元内，相邻led芯片之间的间距为35μm。
11、本技术的有益效果是：本技术提供的一种微小间距叠层化集成化封装led，包括led芯片和与led芯片电性连接的ic裸晶芯片，还包括用于封装所述led芯片的第一绝缘层和用于封装所述ic裸晶芯片的第二绝缘层，所述led芯片上设置有第一电极和与所述第一电极位于同侧的第二电极，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间还设置有布线层，所述布线层内设置有导电柱，所述导电柱上表面的尺寸小于所述导电柱下表面的尺寸，所述导电柱的上表面与所述第一电极或第二电极电性连接，所述导电柱的下表面与所述ic裸晶芯片电性连接。led芯片堆叠设置在ic裸晶芯片上方，实现发光单元或像素内ic裸晶芯片和led芯片堆叠设置的空间布局，减少了单个发光单元所占据的面积，以便于将发光单元的间距做得更小；用导电柱代替传统焊线，用第一绝缘层、第二绝缘层和布线层代替传统基板，从而有效缩小了led芯片与ic裸晶芯片的封装尺寸，提升了led显示屏的分辨率。
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1.一种微小间距叠层化集成化封装LED，其特征在于：包括LED芯片和与LED芯片电性连接的IC裸晶芯片，还包括用于封装所述LED芯片的第一绝缘层和用于封装所述IC裸晶芯片的第二绝缘层，所述LED芯片上设置有第一电极和与所述第一电极位于同侧的第二电极，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间还设置有布线层，所述布线层内设置有导电柱，所述导电柱上表面的尺寸小于所述导电柱下表面的尺寸，所述导电柱的上表面与所述第一电极或第二电极电性连接，所述导电柱的下表面与所述IC裸晶芯片电性连接。
2.根据权利要求1所述的微小间距叠层化集成化封装LED，其特征在于：所述LED芯片包括第一类型半导体层，所述第一电极安装所述第一类型半导体层上。
3.根据权利要求2所述的微小间距叠层化集成化封装LED，其特征在于：所述LED芯片还包括第二类型半导体层，所述第二类型半导体层和所述第一类型半导体层之间还设置有发光体。
4.根据权利要求3所述的微小间距叠层化集成化封装LED，其特征在于：所述第二电极设置在所述第二类型半导体层上。
5.根据权利要求4所述的微小间距叠层化集成
6.根据权利要求4所述的微小间距叠层化集成化封装LED，其特征在于：所述第一绝缘层的厚度在50μm～150μm范围内。
7.根据权利要求4所述的微小间距叠层化集成化封装LED，其特征在于：所述布线层的厚度介于60μm～170μm之间。
8.根据权利要求1所述的微小间距叠层化集成化封装LED，其特征在于：所述一颗IC裸晶芯片与所述三颗LED芯片组成一个发光单元，所述相邻两个发光单元的间距为0.7mm。
9.根据权利要求8所述的微小间距叠层化集成化封装LED，其特征在于：所述一发光单元内，相邻LED芯片之间的间距为35μm。
...【技术特征摘要】
1.一种微小间距叠层化集成化封装led，其特征在于：包括led芯片和与led芯片电性连接的ic裸晶芯片，还包括用于封装所述led芯片的第一绝缘层和用于封装所述ic裸晶芯片的第二绝缘层，所述led芯片上设置有第一电极和与所述第一电极位于同侧的第二电极，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间还设置有布线层，所述布线层内设置有导电柱，所述导电柱上表面的尺寸小于所述导电柱下表面的尺寸，所述导电柱的上表面与所述第一电极或第二电极电性连接，所述导电柱的下表面与所述ic裸晶芯片电性连接。
2.根据权利要求1所述的微小间距叠层化集成化封装led，其特征在于：所述led芯片包括第一类型半导体层，所述第一电极安装所述第一类型半导体层上。
3.根据权利要求2所述的微小间距叠层化集成化封装led，其特征在于：所述led芯片还包括第二类型半导体层，所述第二类型半导体层和所述第一类型半导体层之间还设置有发光体。
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【专利技术属性】
技术研发人员：岳俊跃，张诺寒，廖勇军，王建忠，张喜光，李文庭，吴宪军，徐楹昌，
申请(专利权)人：信阳市谷麦光电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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