【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电阻绝对值修调，具体涉及一种浮动高压电阻绝对值修调装置和方法。
技术介绍
1、在集成电路制造和应用过程中，为了达到需要的精度，满足特定的需求，比如需要精确调整运放的增益，经常需要修调电阻绝对值。通常需要修调的电阻两端可以是任意高压。
2、现有的集成电阻绝对值修调方法主要有两种。
3、方法1、激光修调；直接激光修调电阻值，实时测试器件的指标，比如增益，该方法对设备要求很高。
4、方法2、寄存器修调：如图1所示，通过调整寄存器找到修调码，然后通过efuse（电子保险丝）固定修调状态；该方法需要串联高压管开关，为了减小增益非线性，开关阻抗必须足够小，另外，为了保证寄生二极管不导通，需要串联两个高压管共源连接，串联的两个管子需要独立阱，需要更大的面积。
5、基于这一技术背景，本专利技术研究了一种浮动高压电阻绝对值修调装置和方法。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提出一种浮动高压电阻绝对值修调装置和方法，该装置的低压修调开关可工作在高压下，减小了芯片面积，同时，寄存器修调和激光修调相结合，同时解决了修调精度和低压修调开关在高压下工作的问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术第一方面提供一种浮动高压电阻绝对值修调装置，包括：
3、主电阻，为被修调电阻；
4、多个修调支路，每个修调支路包括依次电连接的低压修调开关、金属熔丝和修调电阻，各个修调支路均与所述主电阻并联；
6、所述主电阻与各个修调支路并联形成的电阻作为绝对电阻；
7、所述绝对电阻的绝对值修调通过对每个修调支路的金属熔丝熔断或不熔断进行控制；
8、每个修调支路的金属熔丝熔断的方式为激光熔断。
9、本专利技术第二方面提供一种上述的装置中进行的浮动高压电阻绝对值修调方法，包括：
10、基于绝对电阻所需要修调的绝对值，确定需要熔断金属熔丝的修调支路；
11、激光熔断需要熔断的金属熔丝。
12、本专利技术的有益效果包括：
13、（1）本专利技术提出的浮动高压电阻绝对值修调装置，低压修调开关可工作在高压下，减小了芯片面积，同时，寄存器修调和激光修调相结合，同时解决了修调精度和低压修调开关在高压下工作的问题。
14、（2）本专利技术提出的浮动高压电阻绝对值修调装置，两个串联的mos管通过源极相互电连接，且两个串联的mos管的源极与衬底电连接，确保了低压修调期间任何电流方向下都不会有寄生二极管导通的情况。
15、（3）本专利技术提出的浮动高压电阻绝对值修调装置，低压修调开关不需要额外的保护开关去偏置开关的另一端，不会有额外的电流引起增益误差，电路简单，对版图要求降低，同时，所有低压修调开关上电默认都为打开，这样即便是通过激光断开的低压修调开关也不会有浮空节点。
16、本专利技术的其它特征和优点将在随后具体实施方式部分予以详细说明。
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1.一种浮动高压电阻绝对值修调装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述主电阻为高压电阻；
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述两个串联的低压修调开关为两个串联的MOS管；
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述两个串联的MOS管的栅极相互电连接，栅极电压通过所述寄存器的相应位控制；
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，各个修调支路的修调电阻按着权值大小依次排列。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，每个修调支路的修调电阻的计算式为：
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述修调电阻为高压电阻；
8.一种权利要求1-7中任意一项所述的装置中进行的浮动高压电阻绝对值修调方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，基于绝对电阻所需要修调的绝对值，确定需要熔断金属熔丝的修调支路包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，激光熔断需要熔断的金属熔丝包括：
【技术特征摘要】
1.一种浮动高压电阻绝对值修调装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述主电阻为高压电阻；
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述两个串联的低压修调开关为两个串联的mos管；
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述两个串联的mos管的栅极相互电连接，栅极电压通过所述寄存器的相应位控制；
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，各个修调支路的修调电阻按着权值大小依次排列。
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【专利技术属性】
技术研发人员：古淑荣，刘银才，
申请(专利权)人：苏州领慧立芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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