【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种存储器的制备方法。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)为一种挥发性(volatile)存储器，是许多电子产品中不可或缺的关键元件。dram是由数目庞大的存储单元(memory cell)聚集形成的一阵列区，用来存储数据。
2、现有的存储器通常主要由衬底结构、支撑成结构以及电容结构构成，存储器的制备通常需要用到蚀刻工艺进行蚀刻，以去除多余的膜层或部件。而电容结构的下电极，在蚀刻过程中极易受到损伤，即第一电极在蚀刻过程中极易受到损伤，导致电容不稳定，影响存储器的性能。
技术实现思路
1、鉴于此，本申请提供一种存储器的制备方法，以降低在蚀刻过程中第一电极受到损伤的风险。
2、本申请提供一种存储器的制备方法，包括：
3、提供一衬底结构；
4、在所述衬底结构上形成具有第一通孔的支撑结构层，所述第一通孔贯穿所述支撑结构层以形成间隔设置的支撑结构；
5、在所述支撑结构的侧面以及所述衬底结构上形成第一蚀刻保护层；
6、对所述第一蚀刻保护层进行第一蚀刻处理，形成具有第二通孔的第一蚀刻保护部，所述第二通孔贯穿所述第二蚀刻保护部以暴露所述衬底结构，所述第二通孔与所述第一通孔贯通；
7、在所述第一蚀刻保护部上形成第一电极，并延伸所述第二通孔中，以与所述衬底结构接触；
8、对所述第一蚀刻保护部以及所述支撑结构进行第二
9、在所述第一电极、所述第一保护部以及所述支撑部上依次层叠形成电容介质层以及第二电极。
10、在一些实施例中，在所述第一蚀刻保护部上形成第一电极之后，在对所述第一蚀刻保护部以及所述支撑结构进行第二蚀刻处理之前，还包括：
11、在所述第一电极以及所述支撑结构上形成第二蚀刻保护层；
12、在对所述第一蚀刻保护部以及所述支撑结构进行第二蚀刻处理中，还包括：
13、去除所述第二蚀刻保护层。
14、在一些实施例中，所述第一蚀刻保护层包括tio2和si中的至少一种。
15、在一些实施例中，所述第二蚀刻保护层包括tio2和si中的至少一种。
16、在一些实施例中，所述在所述衬底结构上形成具有第一通孔的支撑结构层，所述第一通孔贯穿所述支撑结构层以形成间隔设置的支撑结构中，包括：
17、在所述衬底结构上依次形成支撑结构层的绝缘层、牺牲层以及上支撑层，并进行图案化处理形成第一通孔，所述第一通孔贯穿所述绝缘层以形成多个间隔设置的绝缘部，所述第一通孔贯穿所述牺牲层以形成多个间隔设置的牺牲部，所述第一通孔贯穿所述上支撑层以形成多个间隔设置的上支撑部，一所述绝缘部、一所述上支撑部以及一所述牺牲部构成一支撑结构，所述支撑结构包括间隔设置第一支撑结构以及第二支撑结构。
18、在一些实施例中，所述对所述第一蚀刻保护部以及所述支撑结构进行第二蚀刻处理中，包括：
19、对所述第一支撑结构以及所述第二支撑结构进行蚀刻处理，去除所述第一支撑结构的牺牲部、所述第二支撑结构的牺牲部以及第二支撑结构的上支撑部以形成支撑部，并去除部分所述第一蚀刻保护部以形成第一保护部，所述第一保护部包括间隔设置的第一子保护部以及第二子保护部，所述第一子保护部位于所述第一电极与所述上支撑部之间，所述第二子保护部位于所述第一电极与所述绝缘部之间。
20、在一些实施例中，所述对所述第一支撑结构以及所述第二支撑结构进行蚀刻处理，去除所述第一支撑结构的牺牲部、所述第二支撑结构的牺牲部以及第二支撑结构的上支撑部以形成支撑部，并去除部分所述第一蚀刻保护部以形成第一保护部中，包括：
21、对所述第二支撑结构进行干蚀刻处理，去除所述第二支撑结构的所述上支撑部；
22、对所述第一蚀刻保护部、所述第一支撑结构以及所述第二支撑结构进行湿蚀刻处理，去除所述第一支撑结构以及所述第二支撑结构的所述牺牲部。
23、在一些实施例中，在对所述第一蚀刻保护部以及所述支撑结构进行第二蚀刻处理之后，在所述第一电极、所述第一保护部以及所述支撑部上依次层叠形成电容介质层以及第二电极之前，还包括：
24、在所述衬底结构、所述第一电极以及所述支撑部上形成介电保护层。
25、本申请提供一种存储器的制备方法，包括：提供一衬底结构；在衬底结构上形成具有第一通孔的支撑结构层，第一通孔贯穿支撑结构层以形成间隔设置的支撑结构；在支撑结构的侧面以及衬底结构上形成第一蚀刻保护层；对第一蚀刻保护层进行第一蚀刻处理，形成具有第二通孔的第一蚀刻保护部，第二通孔贯穿第二蚀刻保护部以暴露衬底结构，第二通孔与第一通孔贯通；在第一蚀刻保护部上形成第一电极，并延伸第二通孔中，以与衬底结构接触；对第一蚀刻保护部以及支撑结构进行第二蚀刻处理，支撑结构形成支撑部，第一蚀刻保护部形成第一保护部，第一保护部位于部分支撑部与第一电极之间；在第一电极、第一保护部以及支撑部上依次层叠形成电容介质层以及第二电极，以降低在蚀刻过程中第一电极受到损伤的风险。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，在所述第一蚀刻保护部上形成第一电极之后，在对所述第一蚀刻保护部以及所述支撑结构进行第二蚀刻处理之前，还包括：
3.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述第一蚀刻保护层包括TiO2和Si中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述所述第二蚀刻保护层包括TiO2和Si中的至少一种。
5.根据权利要求2所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底结构上形成具有第一通孔的支撑结构层，所述第一通孔贯穿所述支撑结构层以形成间隔设置的支撑结构中，包括：
6.根据权利要求5所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述对所述第一蚀刻保护部以及所述支撑结构进行第二蚀刻处理中，包括：
7.根据权利要求6所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述对所述第一支撑结构以及所述第二支撑结构进行蚀刻处理，去除所述第一支撑结构的牺牲部、所述第二支撑结构的牺牲部以及第二支撑结构的上支撑部以形成支撑部，
8.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，在对所述第一蚀刻保护部以及所述支撑结构进行第二蚀刻处理之后，在所述第一电极、所述第一保护部以及所述支撑部上依次层叠形成电容介质层以及第二电极之前，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，在所述第一蚀刻保护部上形成第一电极之后，在对所述第一蚀刻保护部以及所述支撑结构进行第二蚀刻处理之前，还包括：
3.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述第一蚀刻保护层包括tio2和si中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述所述第二蚀刻保护层包括tio2和si中的至少一种。
5.根据权利要求2所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底结构上形成具有第一通孔的支撑结构层，所述第一通孔贯穿所述支撑结构层以形成间隔设置的支撑结构中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王喜勤，吕佐文，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。