【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体器件的制造
，特别是大功率平面结双向TVS 二极管的制备方法。
技术介绍
长期以来，在半导体器件制造领域，人们在结构设计、成本降低、可靠性、提高产品 的性价比等方面，作出了不懈的努力。当今TVS 二极管芯片制造中较先进的技术是采用一 种低电阻率的N型双磨单晶片进行制备，其工艺步骤为酸洗、清洗、扩散、刻槽、玻璃钝化、 化学镀、合金、化学镀、蒸金、测试、划片、裂片，该方法的不足之处为产品生产工艺中包括 两次扩散，一次是N+型扩散，另一次是P型扩散，由于产品是台面结结构，因此是深结扩散， 扩散时间长，产品的少子寿命下降，且硅片容易翘曲，造成碎片，操作不方便；产品的电极 用化学镀方式形成，需要进行两次镀膜，且为保证产品的可靠性，镀层表面必须覆盖一层金 (Αμ )膜，工艺复杂；PN结的保护采用挖槽、玻璃钝化的方式，工艺流程长；直接在玻璃钝化 层上划片，影响产品的可靠性；产品采用的是台面工艺，硅片的有效利用率低，生产成本高。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种工艺简单、电流密度大、漏电流小、质量稳定可靠的 大功率平面结双向TVS 二极管芯片。本技术在N区的正反两面分别设置P扩散区，在所述两个P扩散区的另一面 分别设置镀膜区，在所述P扩散区外周的N区表面设置PN结平面SiO2保护区。本技术分别在N区的正反两面分别设置P扩散区，由于产品是平面结结构，因 此采用浅结扩散，扩散时间短，产品寿命长，性能好，硅片不翘曲，产品碎片率低。产品采用 平面工艺生产，不需要挖槽，硅片的利用率高，产品的电流密度大。避免了在玻璃钝化层上 划片而产生的玻璃钝化膜应力，PN结...
【技术保护点】
一种大功率平面结双向ＴＶＳ二极管芯片，其特征在于在Ｎ区的正反两面分别设置Ｐ扩散区，在所述两个Ｐ扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述Ｐ扩散区外周的Ｎ区表面设置ＰＮ结平面ＳｉＯ↓［２］保护区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周明，苏学杰，穆连和，顾理健，
申请(专利权)人：南通明芯微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]
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