【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及热敏器件，尤其是涉及加速ptc热敏电阻阻值下降的组件及方法。
技术介绍
1、在电网中，10kv、35kv干式电磁式电压互感器故障频发，轻则造成pt高压侧熔断器熔断，重则有可能引起pt绝缘闪络而爆炸，甚至造成母线三相短路事故。其中，导致pt高压侧熔断器熔丝熔断甚至母线短路故障的原因主要是由于pt过电压。
2、在中性点不接地系统和小电流接地系统中，pt正常运行情况下，其三相基本平衡，电源中性点电压基本没有位移。但当系统出现扰动（如，合闸接空母线、单相弧光接地故障消失、系统负荷剧烈变化等），电源中性点电位相对于地电位发生偏移，导致单相、两相或者三相电压出现不平衡升高，从而可能引起pt的非线性特性铁芯铁饱和，进而使pt出现持续性、高幅值的谐振过电压，即出现铁磁谐振过电压。
3、目前，针对上述中pt过电压所采取的消谐抑制措施主要分为“改变系统参数”和“增加系统阻尼”两类。其中，“增加系统阻尼”的措施之一是pt高压侧中性点通过电阻接地。
4、ptc材料由于具有正温度系数的特性，即在温度到达一定阈值后，在极小的增温幅度下，ptc热敏电阻的电阻率急剧增加至极限值；反之，其温度下降至一定阈值后，在极小的降温幅度下，ptc热敏电阻的电阻率迅速下降。因此，ptc热敏电阻成为目前治理pt过电压的一种比较理想的抑制过电压用阻尼电阻。
5、然而，在将ptc热敏电阻作为pt高压侧中性点接地用电阻的实际应用中，ptc热敏电阻外部有绝缘保护的要求，为满足该要求，常见的方案是在其外表包覆橡胶外壳。如此，
技术实现思路
1、为解决上述
技术介绍
中提出的ptc热敏电阻在抑制较大的过电压后，受于其外表所包裹的橡胶外壳的阻碍，自身的温度不能快速冷却至低阈值以通过极小地降温使其电阻率迅速下降进入低阻态的问题，本专利技术提供如下技术方案：
2、一种pt限流消谐用ptc电阻降值加速组件，包括串联在pt高压侧中性点与接地母排之间的一次消谐器以及并联于一次消谐器的定值电阻和执行模块。其中，定值电阻和执行模块串联在一起，并且定值电阻处于执行模块的输入侧。
3、所述执行模块包括用于加速一次消谐器降温的降阻加速组件、用于控制降阻加速组件启闭的nmos和用于控制nmos通断的mcu。其中，mcu与定值电阻串联，降阻加速组件和nmos串联且接入外界电源。
4、所述一次消谐器为流敏型消谐器，其内部的阻尼电阻采用ptc材料制成，其外部壳体侧壁预设有用于安装降阻加速组件的安装位。
5、进一步地，所述降阻加速组件包括嵌块、半导体制冷片和散热翅片。所述嵌块嵌装在一次消谐器预设的安装位内，并且嵌块的内端面与一次消谐器的该处内部阻尼电阻的表面相互抵接。所述半导体制冷片的冷面与嵌块的外端面贴合，半导体制冷片的输入端接入外界电源的正极，而其输出端接入nmos的漏极。所述散热翅片均匀贴合在半导体制冷片的热面。
6、进一步地，所述nmos的源极接地，而其栅极与mcu串联，并且两者的串联电路上接有与nmos并联的防护电阻，mcu通过该防护电阻接地。
7、进一步地，所述一次消谐器预设的安装位为连通一次消谐器外部壳体内外的通口，该通口对嵌块和半导体制冷片的周边表面进行包覆。
8、一种pt限流消谐用ptc电阻降值加速方法，适用于上述pt限流消谐用ptc电阻降值加速组件，具体步骤如下：
9、s1、第一次条件判断，一次消谐器进行消谐过程中，pt高压侧中性点输出的电流分流至定值电阻，并且流向mcu，muc监测定值电阻的实时电流并进行如下判断：
10、当时，mcu被唤醒；
11、当时，mcu保持沉睡，直至增加至符合mcu被唤醒的条件。
12、s2、第二次条件判断，mcu被唤醒后，持续监测和分析定值电阻的实时电流并进行如下判断：
13、当，mcu控制nmos导通并进行计时，降阻加速组件工作对一次消谐器的内部阻尼电阻进行降温以加速该阻尼电阻的下降；
14、当，mcu不对nmos进行动作，nmos保持断开，降阻加速组件不工作，直至符合mcu控制nmos导通的条件。
15、s3、第三次条件判断，mcu持续对采样的电流数据实时刷新并进行如下判断：
16、当mcu从计时开始，直至，定值电阻的电流大小变化呈，mcu计时结束并控制nmos断开，降阻加速组件不工作，结束对一次消谐器内部阻尼电阻的降温，即结束对该阻尼电阻的降值速度的加速；
17、当mcu从计时开始，并且未到达预设时长时，定值电阻的电流大小变化呈，mcu直接控制nmos断开并停止计时，降阻加速组件不工作，随后重新执行步骤s2。
18、进一步地，所述步骤s1、步骤s2和步骤s3中：
19、为mcu在实时监测定值电阻的电流大小变化过程中，定值电阻的实时电流值。为pt所在电力系统正常运行状态下，一次消谐器内部阻尼电阻在温度为时，定值电阻的电流值。其中，为时间在采样之前采样的若干个一次消谐器的电流值，并且的采样时间与的采样时间紧邻。此外，至少有三个采样节点，即；在时间上为连续的采样节点的电流值，并且的采样时间与作出判断时的的采样时间最为接近。
20、为从mcu计时开始直至计时结束的实时时长；即预设时长，是mcu预设的用于触发结束计时的时长；在这些依次采样的时间点中，相邻的两个采样点时间的间隔时长为，其中，mcu的预设时长与的关系为：，即在预设时长内mcu至少判断四次的状态。
21、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
22、本专利技术一次消谐器的阻尼电阻选用ptc材料，并且通过设置与该一次消谐器并联的执行模块，可以在利用阻尼电阻的正温度系数特性对pt过电压进行抑制之后，通过执行模块中的降阻加速组件加速阻尼电阻的降温，使阻尼电阻的温度快速降至的低域值，进而使阻尼电阻利用其自身特性迅速降低电阻率，进入低阻态；
23、本专利技术并联于一次消谐器的执行模块在电力系统正常运行时，由于阻尼电阻此时呈低阻态而定值电阻阻值远大于阻尼电阻，使pt高压侧中性点电流所流经执行模块的部分极小，可忽略不计，因此，执行模块处于未唤醒状态，不参与电力系统的运行中，从而不会影响电力系统的运行。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种PT限流消谐用PTC电阻降值加速组件，包括串联在PT高压侧中性点与接地母排之间的一次消谐器（1），其特征在于，还包括：并联于一次消谐器（1）的定值电阻和执行模块，定值电阻和执行模块串联在一起，并且定值电阻处于执行模块的输入侧；
2.根据权利要求1所述的PT限流消谐用PTC电阻降值加速组件，其特征在于：所述降阻加速组件（2）包括嵌块（21）、半导体制冷片（22）和散热翅片（23）；
3.根据权利要求2所述的PT限流消谐用PTC电阻降值加速组件，其特征在于：所述NMOS的源极接地，而其栅极与MCU串联，并且两者的串联电路上接有与NMOS并联的防护电阻，MCU通过该防护电阻接地。
4.根据权利要求3所述的PT限流消谐用PTC电阻降值加速组件，其特征在于：所述一次消谐器（1）预设的安装位为连通一次消谐器（1）外部壳体内外的通口，该通口对嵌块（21）和半导体制冷片（22）的周边表面进行包覆。
5.一种PT限流消谐用PTC电阻降值加速方法，适用于权利要求1-4任一项所述的PT限流消谐用PTC电阻降值加速组件，其特征在于，具体步骤如下：<...
【技术特征摘要】
1.一种pt限流消谐用ptc电阻降值加速组件，包括串联在pt高压侧中性点与接地母排之间的一次消谐器（1），其特征在于，还包括：并联于一次消谐器（1）的定值电阻和执行模块，定值电阻和执行模块串联在一起，并且定值电阻处于执行模块的输入侧；
2.根据权利要求1所述的pt限流消谐用ptc电阻降值加速组件，其特征在于：所述降阻加速组件（2）包括嵌块（21）、半导体制冷片（22）和散热翅片（23）；
3.根据权利要求2所述的pt限流消谐用ptc电阻降值加速组件，其特征在于：所述nmos的源极接地，而其栅极与mcu串联，并且两者的串联电路上接有与nmos并联的防护电阻，mcu通过该防护电阻接地。
4.根据权利要求3所述的pt限流消谐用ptc电阻降值加速组件，其特征在于：所述一次消谐器（1）预设的安装位为连通一次消谐器（1）外部...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨海涛，胡啸宇，李坚林，黄伟民，谢佳，丁国成，杨为，吴兴旺，张晨晨，吴杰，谢一鸣，刘俊，王亮，王路伽，郝韩兵，张健，季坤，王正波，马骁兵，石玮佳，王志鹍，
申请(专利权)人：国网安徽省电力有限公司电力科学研究院，
类型：发明
国别省市：
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