本技术公开了一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，包括壳体，壳体内部设置有双输出散热器，双输出散热器上端安装有氮化镓晶体管，氮化镓晶体管上端连接市电输入功率组件，市电输入功率组件上端连接若干个高压电容滤波，市电输入功率组件上端位于高压电容滤波一侧连接隔值电容，双输出散热器两侧均安装有GaN mosfet模块、低压变压器、输出电感滤波、肖特基整流和输出正负极铜巴，本双输出电源中，有效的缩短各个部件的链接距离和模块化结构，从而减小各个部件发热体量，在相同的功率大小的情况下，这种结构的散热器体积相对较小，在散热器很小的情况下可以做倍功率传统IGBT控制的输出，形成相同功率的双输出结构。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及开关电源，具体涉及一种基于氮化镓功率器件的双输出电源。
技术介绍
1、传统igbt结构上是电压控制的三极管，开关速度比gan mosfet慢些，特别是offtime开关损耗会变大，速度慢，效率低，gan mosfet的特点是，在高热性、高腐蚀性环境使用寿命更长功率容量小，开关速度快，大大提高效率，低噪声、能耗低、稳定性和节能的特点，可以减小开关电源整体体积，提高开关电源在表面处理环境中使用寿命。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本技术提供一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，包括壳体，所述壳体内部设置有双输出散热器，所述双输出散热器上端安装有氮化镓晶体管，所述氮化镓晶体管上端连接市电输入功率组件，所述市电输入功率组件上端连接若干个高压电容滤波，所述市电输入功率组件上端位于高压电容滤波一侧连接隔值电容，所述双输出散热器两侧均安装有gan mosfet模块、低压变压器、输出电感滤波、肖特基整流和输出正负极铜巴。
2、优选的：所述壳体包括前盖板、左侧板、右侧板、顶盖和输出后盖板。
3、优选的：所述前盖板上设置有电源开关，前盖板位于电源开关的一侧设置有控制触摸屏。
4、优选的：所述输出后盖板中部安装有散热风扇，且输出后盖板对应散热风扇开设有通孔。
5、优选的：所述输出后盖板一侧上端安装有外控控制输出，输出后盖板另一侧上端安装有市电进电口，输出后盖板中部两侧处均安装有双输出正极，输出后盖板底部两侧处均安装有双输出负极。
>6、优选的：所述氮化镓晶体管设置有四个，两个所述氮化镓晶体管为一组。7、优选的：所述gan mosfet模块连接输出正负极铜巴的负极。
8、优选的：所述输出正负极铜巴的负极连接双输出负极。
9、优选的：所述输出低压滤波电容连接输出正负极铜巴的正极。
10、优选的：所述输出正负极铜巴的正极连接双输出正极。
11、本技术的技术效果和优点：
12、本技术是gan mosfet电子技术取替传统igbt控制开关电源，gan mosfet的特点是，在高热性、高腐蚀性环境使用寿命更长功率容量小，开关速度快，大大提高效率，能耗低节能的特点，可以减小开关电源整体体积，提高开关电源在表面处理环境中使用寿命，更适合现场生产线有限空间的安装。
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【技术保护点】
1.一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，包括壳体，其特征在于，所述壳体内部设置有双输出散热器(7)，所述双输出散热器(7)上端安装有氮化镓晶体管(1)，所述氮化镓晶体管(1)上端连接市电输入功率组件(11)，所述市电输入功率组件(11)上端连接若干个高压电容滤波(2)，所述市电输入功率组件(11)上端位于高压电容滤波(2)一侧连接隔值电容(3)，所述双输出散热器(7)两侧均安装有GaN mosfet模块(5)、低压变压器(6)、输出电感滤波(8)、肖特基整流(9)和输出正负极铜巴(10)。
2.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述壳体包括前盖板(22)、左侧板(18)、右侧板(21)、顶盖(23)和输出后盖板(15)。
3.根据权利要求2所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述前盖板(22)上设置有电源开关(19)，前盖板(22)位于电源开关(19)的一侧设置有控制触摸屏(20)。
4.根据权利要求2所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述输出后盖板(15)中部安装有散热风扇(16)，且输出后盖板(15)对应散热风扇(16)开设有通孔。
5.根据权利要求2所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述输出后盖板(15)一侧上端安装有外控控制输出(14)，输出后盖板(15)另一侧上端安装有市电进电口(17)，输出后盖板(15)中部两侧处均安装有双输出正极(12)，输出后盖板(15)底部两侧处均安装有双输出负极(13)。
6.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述氮化镓晶体管(1)设置有四个，两个所述氮化镓晶体管(1)为一组。
7.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述GaN mosfet模块(5)连接输出正负极铜巴(10)的负极。
8.根据权利要求7所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述输出正负极铜巴(10)的负极连接双输出负极(13)。
9.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述输出低压滤波电容(4)连接输出正负极铜巴(10)的正极。
10.根据权利要求9所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述输出正负极铜巴(10)的正极连接双输出正极(12)。
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【技术特征摘要】
1.一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，包括壳体，其特征在于，所述壳体内部设置有双输出散热器(7)，所述双输出散热器(7)上端安装有氮化镓晶体管(1)，所述氮化镓晶体管(1)上端连接市电输入功率组件(11)，所述市电输入功率组件(11)上端连接若干个高压电容滤波(2)，所述市电输入功率组件(11)上端位于高压电容滤波(2)一侧连接隔值电容(3)，所述双输出散热器(7)两侧均安装有gan mosfet模块(5)、低压变压器(6)、输出电感滤波(8)、肖特基整流(9)和输出正负极铜巴(10)。
2.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述壳体包括前盖板(22)、左侧板(18)、右侧板(21)、顶盖(23)和输出后盖板(15)。
3.根据权利要求2所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述前盖板(22)上设置有电源开关(19)，前盖板(22)位于电源开关(19)的一侧设置有控制触摸屏(20)。
4.根据权利要求2所述的一种基于氮化镓功率器件的双输出电源，其特征在于，所述输出后盖板(15)中部安装有散热风扇(16)，且输出后盖板(15)对应散热风扇(16)开设有通...
【专利技术属性】
技术研发人员：官权学，邓志克，侯鸿斌，施佳抄，
申请(专利权)人：广州精原科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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