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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光刻胶材料中痕量金属离子含量的检测方法。
技术介绍
1、光刻胶材料拥有独特的电性能和物理性能,但光刻胶材料也容易被污染,细微的污染都可能改变光刻胶材料的性质。通常光刻胶材料中的金属杂质限量控制在ppb(10-9)级别,控制和监测光刻工艺中金属离子的含量,是集成电路产业链中非常重要的环节。
2、目前的测试方法主要采用电感耦合等离子体质谱仪(icp-ms)测试光刻胶材料中金属杂质。icp-ms是一种将icp技术和质谱技术结合在一起的分析仪器。
3、目前市面上售卖的电感耦合等离子体质谱仪包含两种模式:cool氢气模式及he模式两种检测模式。cool氢气模式会进氢气以消除样品中杂元素对待测元素的干扰。
4、目前icp-ms法测试光刻胶材料中金属离子不是很成熟,检测条件参数等需进一步优化。例如,现在icp-ms多是测试水相中的金属离子,即在样品中加各种酸,通过微波消解法等处理成无机水溶液再测试。但是传统的处理方法经过加酸、消解、转移、定容过程,极易引入金属离子污染,而光刻胶中金属离子含量极少,为避免传统处理方法带来的污染,光刻胶中金属离子测试采用有机溶剂体系,即将样品直接溶解在电子级有机溶剂中直接进样测试。有机体系与水系中测金属离子目标元素响应、背景干扰情况均有所区别,这就需要研究如何去除背景干扰、选择合适的检测参数。
技术实现思路
1、本专利技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种光刻胶材料中痕量金属离子含量的检测方法。<
...【技术保护点】
1.一种光刻胶材料中痕量金属离子含量的检测方法,其特征在于,所述测试方法包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的光刻胶材料中痕量金属离子含量的检测方法,其特征在于,所述有机溶剂是含0.5%~2%硝酸的N-甲基吡咯烷酮;
3.根据权利要求1或2所述的光刻胶材料中痕量金属离子含量的检测方法,其特征在于,所述Cool氢气模式测定标准溶液还包含将电感耦合等离子体质谱仪设置为以下检测参数的步骤:
4.根据权利要求1或2所述的光刻胶材料中痕量金属离子含量的检测方法,其特征在于,所述He模式测定标准溶液还包含将电感耦合等离子体质谱仪设置为以下检测参数的步骤:
5.根据权利要求1所述的光刻胶材料中痕量金属离子含量的检测方法,其特征在于,步骤d)中,还包含以下步骤:采用有机溶剂对光刻胶材料样品进行稀释,并超声均匀,得到样品溶液。
6.根据权利要求1所述的光刻胶材料中痕量金属离子含量的检测方法,其特征在于,所述电感耦合等离子体质谱仪中采用氧气含量20%的氩氧混合气的等离子体气体。
7.根据权利要求1所述的光刻胶材料中痕量金属离子
...【技术特征摘要】
1.一种光刻胶材料中痕量金属离子含量的检测方法,其特征在于,所述测试方法包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的光刻胶材料中痕量金属离子含量的检测方法,其特征在于,所述有机溶剂是含0.5%~2%硝酸的n-甲基吡咯烷酮;
3.根据权利要求1或2所述的光刻胶材料中痕量金属离子含量的检测方法,其特征在于,所述cool氢气模式测定标准溶液还包含将电感耦合等离子体质谱仪设置为以下检测参数的步骤:
4.根据权利要求1或2所述的光刻胶材料中痕量金属离子含量的检测方法,其特征在于,所述he模式测定标准溶液还包含将电感耦合...
【专利技术属性】
技术研发人员:张锁慧,胡明华,潘新刚,傅志伟,
申请(专利权)人:徐州博康信息化学品有限公司,
类型:发明
国别省市:
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