【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种石墨烯基板，包括：
2.根据权利要求1所述的石墨烯基板，其中，所述支承层是BN、AlN、GaN或其组合。
3.根据权利要求1或2所述的石墨烯基板，其中，所述支承层设置在晶片上，优选地设置在蓝宝石晶片或硅晶片上。
4.根据任一前述权利要求所述的石墨烯基板，其中，所述石墨烯层结构是石墨烯单层。
5.根据任一前述权利要求所述的石墨烯基板，其中，所述金属氧化物层具有小于4nm的厚度。
6.根据任一前述权利要求所述的石墨烯基板，其中，所述金属氧化物层具有至少0.5nm、优选地至少1nm、更优选地至少2nm的厚度。
7.根据任一前述权利要求所述的石墨烯基板，其中，所述支承层具有至少5nm、优选地至少15nm、优选地至少50nm的厚度。
8.一种电气器件，包括根据任一前述权利要求所述的石墨烯基板。
9.一种形成石墨烯基板的方法，所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述生长基板还包括晶片、优选地蓝宝石晶片或硅晶片。
11.根据权利要求10所述的方法，其
12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括在所述石墨烯层结构上形成一个或更多个另外的层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述方法包括通过ALD在所述石墨烯层结构上形成另外的金属氧化物层，其中，所述另外的金属氧化物层具有小于5nm的厚度，并且选自由Al2O3、HfO2、MgO、MgAl2O4、Ta2O5、Y2O3、ZrO2和YSZ组成的组；以及
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种石墨烯基板，包括：
2.根据权利要求1所述的石墨烯基板，其中，所述支承层是bn、aln、gan或其组合。
3.根据权利要求1或2所述的石墨烯基板，其中，所述支承层设置在晶片上，优选地设置在蓝宝石晶片或硅晶片上。
4.根据任一前述权利要求所述的石墨烯基板，其中，所述石墨烯层结构是石墨烯单层。
5.根据任一前述权利要求所述的石墨烯基板，其中，所述金属氧化物层具有小于4nm的厚度。
6.根据任一前述权利要求所述的石墨烯基板，其中，所述金属氧化物层具有至少0.5nm、优选地至少1nm、更优选地至少2nm的厚度。
7.根据任一前述权利要求所述的石墨烯基板，其中，所述支承层具有至少5nm、优选地至少15nm、优选地至少50nm的厚度。
8.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：塞巴斯蒂安·狄克逊，雅斯普里特·卡因特，伊沃尔·吉尼，托马斯·詹姆士·巴德科克，
申请(专利权)人：帕拉格拉夫有限公司，
类型：发明
国别省市：
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