【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种将半导体晶圆等薄板状精密电子衬底(以下，简称为“衬底”)加热的衬底处理装置及衬底处理装置的泄漏判定方法。
技术介绍
1、半导体器件的制造过程中，使用将衬底加热的衬底处理装置。这种衬底处理装置中，以极短时间将半导体晶圆加热的闪光灯退火(fla：flash lamp annealing)备受瞩目。闪光灯退火是使用氙闪光灯(以下，简称为“闪光灯”时，意指氙闪光灯)，对半导体晶圆的表面照射闪光，由此仅使半导体晶圆的表面在极短时间(数毫秒以下)升温的热处理技术。
2、氙闪光灯的放射分光分布从紫外区到近红外区，波长比以往的卤素灯短，与硅的半导体晶圆的基础吸收带大体一致。因此，从氙闪光灯对半导体晶圆照射闪光时，透过光较少，能使半导体晶圆急速升温。此外也判明，如果是数毫秒以下的极短时间的闪光照射，那么能仅将半导体晶圆的表面附近选择性升温。
3、这种闪光灯退火使用于需要极短时间的加热的处理，例如典型来说，注入到半导体晶圆的杂质的活化。如果从闪光灯对通过离子注入法注入着杂质的半导体晶圆的表面照射闪光，那么能使所述半导体晶圆的表面以极短时间升温到活化温度，能不使杂质扩散得较深，而仅执行杂质活化。
4、另一方面，也尝试在氨等反应性气体的氛围中进行闪光灯退火。例如，揭示出一边将收容着形成高介电常数栅极绝缘膜(high-k膜)的半导体晶圆的腔室内维持减压状态，一边形成氨氛围，对所述半导体晶圆照射闪光并加热，由此在高介电常数栅极绝缘膜的成膜后进行热处理。为了解决随着栅极绝缘膜的薄膜化进展而漏电流增大的问题
5、日本专利特开2019-046847号公报所揭示的闪光灯退火装置中，在对腔室内供给反应性气体之前，将腔室内的氛围排气，减压到约100pa。此外，闪光加热处理结束后，也将腔室内减压，排出反应性气体。这种将腔室内减压到未达大气压的装置中，当腔室发生泄漏时，会产生无法减压的问题。尤其，处理氨等反应性气体的情况下，当腔室发生泄漏时，也会产生危险的反应性气体漏出到腔室外的问题。因此，检测腔室中有无泄漏变得重要。另外，作为闪光灯退火装置的腔室发生泄漏的原因，列举设置在腔室的石英窗破损，或对腔室进行供排气的配管不良等。
6、作为检测有无泄漏的方法，也考虑例如搭载用来检测石英窗破裂的感测器等硬件构成，但担心会妨碍闪光照射。为了应对这种问题，日本专利特开2019-046847号公报中，揭示出如下的技术：即使从排气部对腔室内的减压开始起的经过时间超出预设的阈值，也根据压力计的测定值是否达到目标压力而判定腔室有无发生泄漏。根据这种日本专利特开2019-046847号公报所记载的技术，监视从开始减压起的经过时间，判定泄漏的发生，能以简单构成检测腔室有无泄漏。
7、[
技术介绍
文献]
8、[专利文献]
9、[专利文献1]日本专利特开2019-046847号公报
技术实现思路
1、[专利技术要解决的问题]
2、但是，泄漏量或气体排出效率因腔室内的温度而不同，所以担心因腔室内的温度而导致泄漏判定的精度降低。例如，腔室内的温度较高的情况下，由于存在于腔室内的气体的温度也较高，所以气体密度变小。当气体密度变小时，气体排出效率变高，另一方面，有将气体封闭到腔室内时的泄漏量增加的倾向，检测微少泄漏时，担心这种依存温度的气体的行为会成为错误检测的原因。
3、本专利技术是鉴于所述问题而完成的，目的在于提供一种能精度良好地检测腔室有无泄漏的衬底处理装置，及衬底处理装置的泄漏判定方法。
4、本专利技术是鉴于所述问题而完成的，目的在于提供一种能检测微少的处理异常，及通过微少的处理异常的检测预示装置全体的故障的异常检测装置。
5、[解决问题的技术手段]
6、为解决所述问题，技术方案1的专利技术的特征在于，其是一种加热收容在腔室的衬底的衬底处理装置的泄漏判定方法，具备：加热步骤，在所述腔室内对所述衬底进行加热处理；搬出步骤，在所述加热步骤之后，从所述腔室搬出所述衬底；温度测量步骤，测量所述腔室内的氛围温度；及泄漏判定步骤，进行所述腔室的泄漏判定处理；将所述衬底从所述腔室搬出后，等待到所述氛围温度降温到规定的待机指定温度为止，在所述氛围温度达到所述待机指定温度时，开始所述泄漏判定处理。
7、此外，技术方案2的专利技术根据技术方案1的专利技术，其特征在于，所述泄漏判定步骤包含第1判定步骤与第2判定步骤中的至少一个，其中所述第1判定步骤一边停止气体对所述腔室内的供给，一边进行气体从所述腔室的排出，通过所述腔室内的气压是否在第1期间减压到未达第1阈值，判定有无泄漏；所述第2判定步骤停止气体对所述腔室内的供给及气体的排出，将所述腔室内维持减压状态，通过在第2期间从所述腔室的泄漏量是否未达第2阈值，判定有无泄漏。
8、此外，技术方案3的专利技术根据技术方案2的专利技术，其特征在于，第2期间的开始时期比停止气体对所述腔室内的供给及气体从所述腔室的排出的封闭期间的开始时期后，所述封闭期间的结束时期与所述第2期间的结束时期一致。
9、此外，技术方案4的专利技术根据技术方案1到3中任一项的专利技术，其特征在于，所述待机指定温度为常温。
10、此外，技术方案5的专利技术根据技术方案2的专利技术，其特征在于，所述待机指定温度是高于常温的高温，还具备表格制作步骤，制作将所述待机指定温度与所述第1阈值及所述第2阈值中的至少一个互相建立对应的对应表格，所述泄漏判定步骤中，从所述对应表格撷取与指定的所述待机指定温度对应的所述第1阈值及所述第2阈值中的至少一个，进行所述泄漏判定处理。
11、此外，技术方案6的专利技术根据技术方案1的专利技术，其特征在于，还具备时程设定步骤，设定执行所述泄漏判定步骤的时期。
12、此外，技术方案7的专利技术根据技术方案6的专利技术，其特征在于，在到达所述时程设定步骤中设定的所述时期的时点，所述腔室内在执行所述衬底的所述加热处理时，在所述衬底的所述加热处理结束而将所述衬底从所述腔室搬出后，开始所述泄漏判定处理。
13、此外，技术方案8的专利技术根据技术方案1的专利技术，其特征在于，所述加热步骤中，由连续点亮灯及闪光灯进行光照射，对所述衬底进行加热处理。
14、此外，技术方案9的专利技术的特征在于，一种对衬底进行加热处理的衬底处理装置，具备：腔室，收容所述衬底；加热部，将收容在所述腔室的所述衬底加热；气体供给部，对所述腔室内供给气体；气体排出部，从所述腔室排出气体；温度计，测量所述腔室内的氛围温度；及压力计，测量所述腔室内的气压；将加热处理结束的所述衬底从所述腔室搬出后，等待到所述氛围温度降温到规定的待机指定温度为止，在所述氛围温度达到所述待机指定温度时，开始所述腔室的泄漏判定处理。
15、技术方案10的专利技术根据技术方案9的专利技术，其特征在于，所述泄漏判定处理包含第1判定与第2判定中的至少一个本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种泄漏判定方法，其特征在于，其是加热收容在腔室的衬底的衬底处理装置的泄漏判定方法，且具备：
2.根据权利要求1所述的泄漏判定方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的泄漏判定方法，其特征在于，
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的泄漏判定方法，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的泄漏判定方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的泄漏判定方法，其特征在于，还具备：
7.根据权利要求6所述的泄漏判定方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的泄漏判定方法，其特征在于，
9.一种衬底处理装置，其特征在于，其是对衬底进行加热处理的衬底处理装置，还具备：
10.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的衬底处理装置，其特征在于，
12.根据权利要求9到11中任一权利要求所述的衬底处理装置，其特征在于，所述待机指定温度为常温。
13.根据权利要求10或11所述的衬底处理装置，其特征在于，
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