【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。
技术介绍
1、存储器因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。为了提高存储器的存储容量，通常需要将多个芯片单元叠加在一起，并通过引线将各芯片单元与外部电路相连接。但是，不同的芯片单元连接的引线长短不一，易产生延时。
2、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开提供一种半导体结构及其形成方法、存储器，可避免信号延时，提高产品良率。
2、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构，包括：
3、衬底，包括外接电路；
4、芯片组，设于所述衬底的一侧，且包括多个沿垂直于所述衬底的方向间隔分布的芯片单元，各所述芯片单元之间电性连接；
5、导电结构，至少设于一所述芯片单元的表面；
6、引线，一端与所述导电结构连接，另一端延伸至所述芯片单元外侧，并与所述外接电路连接。
7、在本公开的一种示例性实施例中，所述导电结构包括：
8、布线层，设于所述芯片单元的表面；
9、连接垫，设于所述芯片单元的表面，且与所述布线层靠近所述芯片单元的边缘的一侧连接，所述引线与所述连接垫接触连接；
10、第一导电凸点，设于所述芯片单元的表面，且与所述布线层接触连接，所
11、在本公开的一种示例性实施例中，所述导电结构位于所述芯片组中最靠近所述衬底的所述芯片单元的表面。
12、在本公开的一种示例性实施例中，所述芯片组包括镜像设置的第一芯片单元和第二芯片单元，所述第二芯片单元位于所述第一芯片单元远离所述衬底的一侧，所述导电结构设于所述第一芯片单元靠近所述第二芯片单元的表面。
13、在本公开的一种示例性实施例中，所述第二芯片单元靠近所述第一芯片单元的表面设有第二导电凸点，所述第二导电凸点与所述第一导电凸点相对设置，所述芯片组还包括：
14、连接部，位于所述第一导电凸点和所述第二导电凸点之间，所述第一导电凸点、所述连接部及所述第二导电凸点将所述第一芯片单元和所述第二芯片单元间隔开预设距离。
15、在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体结构还包括：
16、绝缘填充层，填满相邻的所述芯片单元之间的间隙。
17、在本公开的一种示例性实施例中，所述芯片组的数量为多个，多个所述芯片组沿垂直于所述衬底的方向层叠分布，且各所述芯片组之间均绝缘设置；每个所述芯片组均具有与之对应的所述导电结构和所述引线。
18、在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体结构还包括：
19、粘接层，设于所述衬底与最靠近所述衬底的所述芯片组之间。
20、在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体结构还包括：
21、多个封装层，各所述封装层一一对应的设置于各所述芯片组之间，并填满各所述芯片组之间的间隙。
22、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的形成方法，包括：
23、提供衬底，所述衬底包括外接电路；
24、在所述衬底的一侧形成芯片组，所述芯片组包括多个沿垂直于所述衬底的方向间隔分布的芯片单元，各所述芯片单元之间电性连接；
25、在至少设于一所述芯片单元的表面形成导电结构；
26、形成引线，所述引线的一端与所述导电结构连接，另一端延伸至所述芯片单元外侧，并与所述外接电路连接。
27、在本公开的一种示例性实施例中，所述在至少设于一所述芯片单元的表面形成导电结构，包括：
28、在至少一所述芯片单元的表面形成布线层；
29、在形成有所述布线层的所述芯片单元的表面形成连接垫，所述连接垫与所述布线层靠近所述芯片单元的边缘的一侧连接，所述引线与所述连接垫接触连接；
30、在形成有所述布线层的所述芯片单元的表面形成第一导电凸点，所述第一导电凸点与所述布线层接触连接，且所述第一导电凸点在所述衬底上的正投影与所述连接垫在所述衬底上的正投影无交叠。
31、在本公开的一种示例性实施例中，所述导电结构形成于所述芯片组中最靠近所述衬底的所述芯片单元的表面。
32、在本公开的一种示例性实施例中，所述芯片组包括镜像设置的第一芯片单元和第二芯片单元，所述第二芯片单元形成于所述第一芯片单元远离所述衬底的一侧，所述导电结构形成于所述第一芯片单元靠近所述第二芯片单元的表面。
33、在本公开的一种示例性实施例中，所述形成方法还包括：
34、在所述第二芯片单元靠近所述第一芯片单元的表面形成第二导电凸点，所述第二导电凸点与所述第一导电凸点相对设置；
35、所述在所述衬底的一侧形成芯片组还包括：
36、在所述第一导电凸点的表面形成连接部，所述连接部位于所述第一导电凸点和所述第二导电凸点之间，所述第一导电凸点、所述连接部及所述第二导电凸点将所述第一芯片单元和所述第二芯片单元间隔开预设距离。
37、在本公开的一种示例性实施例中，所述形成方法还包括：
38、形成绝缘填充层，所述绝缘填充层填满相邻的所述芯片单元之间的间隙。
39、在本公开的一种示例性实施例中，所述芯片组的数量为多个，多个所述芯片组沿垂直于所述衬底的方向层叠分布，且各所述芯片组之间均绝缘设置；每个所述芯片组均具有与之对应的所述导电结构和所述引线。
40、在本公开的一种示例性实施例中，所述形成方法还包括：
41、在所述衬底与最靠近所述衬底的所述芯片组之间形成粘接层。
42、在本公开的一种示例性实施例中，所述形成方法还包括：
43、形成多个封装层，各所述封装层一一对应的设置于各所述芯片组之间，并填满各所述芯片组之间的间隙。
44、根据本公开的一个方面，提供一种存储器，包括上述任意一项所述的半导体结构。
45、本公开的半导体结构及其形成方法、存储器，可将多个芯片单元沿竖直方向堆叠设置，有助于提高存储容量。在此过程中，通过将各芯片单元电性连接，进而可将多个不同的芯片单元中的数据传输至同一个芯片单元中，将引线与导电结构连接，可通过导电结构将芯片单元中的电信号传递至引线，进而通过引线将芯片单元与外接电路连接，实现信号传输。在此过程中，可通过一根引线将芯片组中的多个芯片单元中的信号同时传输至外接电路，避免了同一芯片组中的不同芯片单元的信号传输延时，同时，还可避免绕线，有助于缩小器件体积，避免信号干扰；此外，由于各芯片单元沿垂直于衬底的方向间隔分布，可为引线留出容置空间，进而避免引线断裂，可提高产品良率。
46、应当理解的是，以上的一般描述和后文本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构位于所述芯片组中最靠近所述衬底的所述芯片单元的表面。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述芯片组包括镜像设置的第一芯片单元和第二芯片单元，所述第二芯片单元位于所述第一芯片单元远离所述衬底的一侧，所述导电结构设于所述第一芯片单元靠近所述第二芯片单元的表面。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二芯片单元靠近所述第一芯片单元的表面设有第二导电凸点，所述第二导电凸点与所述第一导电凸点相对设置，所述芯片组还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述芯片组的数量为多个，多个所述芯片组沿垂直于所述衬底的方向层叠分布，且各所述芯片组之间均绝缘设置；每个所述芯片组均具有与之对应的所述导电结构和所述引线。
8.根据权利要求7所述
9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述在至少设于一所述芯片单元的表面形成导电结构，包括：
12.根据权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述导电结构形成于所述芯片组中最靠近所述衬底的所述芯片单元的表面。
13.根据权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述芯片组包括镜像设置的第一芯片单元和第二芯片单元，所述第二芯片单元形成于所述第一芯片单元远离所述衬底的一侧，所述导电结构形成于所述第一芯片单元靠近所述第二芯片单元的表面。
14.根据权利要求13所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：
15.根据权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：
16.根据权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述芯片组的数量为多个，多个所述芯片组沿垂直于所述衬底的方向层叠分布，且各所述芯片组之间均绝缘设置；每个所述芯片组均具有与之对应的所述导电结构和所述引线。
17.根据权利要求16所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：
18.根据权利要求16所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：
19.一种存储器，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的半导体结构。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构位于所述芯片组中最靠近所述衬底的所述芯片单元的表面。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述芯片组包括镜像设置的第一芯片单元和第二芯片单元，所述第二芯片单元位于所述第一芯片单元远离所述衬底的一侧，所述导电结构设于所述第一芯片单元靠近所述第二芯片单元的表面。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二芯片单元靠近所述第一芯片单元的表面设有第二导电凸点，所述第二导电凸点与所述第一导电凸点相对设置，所述芯片组还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述芯片组的数量为多个，多个所述芯片组沿垂直于所述衬底的方向层叠分布，且各所述芯片组之间均绝缘设置；每个所述芯片组均具有与之对应的所述导电结构和所述引线。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
10.一种半导体结...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕开敏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。