【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板清洗领域，具体涉及一种防交叉污染基板清洗装置及方法。
技术介绍
1、在现有的基板清洗技术中，经常用到臭氧水、双氧水作为清洗液，由于用uv光激活臭氧水、双氧水等产生的oh自由基的氧化能力远高于臭氧水、双氧水本身。因此，利用uv激活后的臭氧水、双氧水等清洗液清洗基板，已然成为一种更有效的清洗方式。
2、例如本专利申请的申请人以往所申请的申请号为201810175587.8，专利名称为高浓度oh自由基发生装置的专利申请中，就是往基板表面喷淋清洗液，通过安装于外壳的紫外线发光组件照射基板表面。本专利技术的专利技术人发现，这就存在两个问题：
3、一是当清洗液流量较大时，基板表面和紫外线发光组件的底部之间及基板表面和外壳的底部之间，都充满了清洗液，这样基板表面的污染颗粒有风险通过运动的清洗液反向污染紫外线发光组件底部或外壳底部，造成清洗过程中的交叉污染，这对于有零颗粒清洗要求的基板来说，是不可接受的，会造成实际基板生产成品率下降的问题。
4、二是当清洗液流量较小时，基板和紫外线发光组件之间的清洗液水膜较薄，基板表面和紫外线发光组件的底部之间及基板表面和外壳的底部之间，没有充满清洗液，这样不存在上述的交叉污染问题，但由于石英腔体底部和基板表面之间充满空气，空气会吸收uv光，导致uv激活的oh自由基浓度下降，降低了清洗能力。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种防交叉污染基板清洗装置，它能够避免基板交叉污染
2、又能够提高uv激活的oh自由基浓度。
3、为了解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：一种防交叉污染基板清洗装置，包括：
4、承载旋转机构，用于支撑定位并带动基板旋转；
5、喷淋机构，至少用于向所述基板中间区域喷淋清洗液，所述清洗液在基板的旋转作用下形成水膜并被甩出，被配置为在uv光照的作用下产生oh自由基；
6、uv光照机构，位于所述基板上方，至少用于向所述基板表面的清洗液提供uv光照；
7、氮气喷射机构，用于向所述uv光照机构和所述基板之间喷射氮气以至少在水膜和所述uv光照机构之间形成氮气隔离层。
8、进一步为了提高整个装置的集成度，防交叉污染基板清洗装置还包括壳体，所述uv光照机构安装在所述壳体内；其中，
9、所述喷淋机构包括设置在所述壳体底部的多个喷淋口及连通所述喷淋口的清洗液通道；
10、所述氮气喷射机构包括设置在所述壳体底部的多个喷射口及连通所述喷射口的氮气通道。
11、进一步为了在清洗液沿清洗液通道流动的过程中也能被照射，从而提高oh自由基浓度，所述uv光照机构具有至少两个，所述清洗液通道形成于相邻uv光照机构之间，所述uv光照机构还用于向所述清洗液通道内的清洗液提供uv光照。
12、进一步，所述uv光照机构具有并列间隔设置的两个，均包括石英壳和安装在所述石英壳内的至少一个uv灯管，所述清洗液通道形成于两个石英壳之间。
13、进一步，所述壳体的底部具有正对所述清洗液通道的喷淋口板，所述喷淋口设置在所述喷淋口板上。
14、进一步，所述壳体的底部还设置有分布于所述喷淋口板两侧并邻近所述喷射口的喷射口板，所述喷射口板设置有正对所述基板的多个喷射口。
15、进一步为了方便uv光照机构在壳体内的安装，并防止壳体接触清洗液，所述壳体的两侧分别具有用于托起所述uv光照机构的托起部，所述托起部的相对侧均设置有多个所述喷射口，所述水膜的厚度小于所述托起部与所述基板之间的距离。
16、进一步为了方便壳体与工艺臂之间的连接，所述壳体配置有用于与工艺臂相连接的连接部。
17、进一步，所述基板为光掩模版或硅片或玻璃。
18、进一步，所述清洗液为纯水或臭氧水或过氧化氢或sc1或sc2。
19、本专利技术还提供了一种防交叉污染基板清洗方法，方法包括：
20、支撑定位并带动基板旋转；
21、同时向基板中间区域喷淋清洗液、向基板上表面提供uv光照、向基板及其上方部件之间的空腔喷射氮气；
22、清洗液在uv光照的作用下产生oh自由基，清洗液在基板的旋转作用下形成水膜并被甩出，实现对基板清洗，氮气在水膜和基板上方部件之间形成氮气隔离层。
23、采用上述技术方案后，当执行清洗工艺时，控制清洗液流量以及基板的转速，使得基板表面的清洗液水膜厚度小于uv光照机构和基板之间的距离，避免清洗液接触到uv光照机构，从而避免基板表面的污染颗粒通过运动的清洗液反向污染uv光照机构，这样可以避免交叉污染问题，同时调节氮气流量使得uv光照机构和基板之间形成的空腔中形成微正压的氮气氛围，避免有空气在空腔中吸收uv光，使得uv照射基板表面的清洗液形成oh自由基浓度最大化，从而提升对基板的清洗能力。
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1.一种防交叉污染基板清洗装置，其特征在于，
2.根据权利要求1防交叉污染基板清洗装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的防交叉污染基板清洗装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的防交叉污染基板清洗装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的防交叉污染基板清洗装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的防交叉污染基板清洗装置，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的防交叉污染基板清洗装置，其特征在于，
8.根据权利要求2所述的防交叉污染基板清洗装置，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的防交叉污染基板清洗装置，其特征在于，
10.根据权利要求1所示的防交叉污染基板清洗装置，其特征在于，
11.一种防交叉污染基板清洗方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种防交叉污染基板清洗装置，其特征在于，
2.根据权利要求1防交叉污染基板清洗装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的防交叉污染基板清洗装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的防交叉污染基板清洗装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的防交叉污染基板清洗装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的防交叉污染基...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐飞，
申请(专利权)人：常州瑞择微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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