【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工的，具体涉及了一种液态源蒸发罐设备、一种液态源蒸发罐的补液方法、一种液态源蒸发罐的补液方装置，以及一种计算机可读存储介质。
技术介绍
1、在半导体加工制成中，有些薄膜沉积工艺，例如，原子层沉积(atomiclayerdeposition，ald)工艺由于其原理所限，相较于化学气相沉积(chemicalvapordeposition，cvd)工艺，它的薄膜生长速率非常慢，因此，在保证薄膜性能参数满足需求规格的情况下，单次循环生长膜厚(gpc)及其长期稳定性是薄膜沉积工艺的关键性能参数。
2、gpc的稳定性与液态化学源输送到腔体这一步骤(dosing)的稳定性有直接关联，dosing的稳定性又与液态源蒸发罐内的液位稳定性和液体温度稳定性息息相关。进一步地，液位稳定性和液体温度稳定性又与液态化学源的补液操作有很大的关系。
3、现有的液态源的补液操作受限于蒸发罐的结构设计，一般只能在设备进行干法清洗(dry clean)时或者停工(idle)时进行补液，补液频率会受到限制。并且，一次的补液量会占到整个蒸发罐容积的2％～4％，这会对蒸发罐内的液位的稳定性产生影响，进而会影响dosing过程中的化学源蒸汽的分压状态。此外，一次性补液量比较大，还对蒸发罐内液态源的温度稳定性造成影响，需要较长来使得蒸发罐内整个液体的温度趋于稳定，这也就导致了需要较长的稳定时间才能使dosing稳定下来。
4、为了解决现有技术中存在的上述问题，本领域亟需一种改进的液态源蒸发罐技术，对于补液时机不再有限制
技术实现思路
1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。
2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本专利技术提供了一种液态源蒸发罐设备、一种液态源蒸发罐的补液方法、一种液态源蒸发罐的补液装置，以及一种计算机可读存储介质，对于补液时机不再有限制要求，能够实现高频次小剂量的补液，并且对于补液部分能进行有效的预热，从而提升液态源蒸发罐内的液位稳定性和液体温度稳定性，有利于稳定dosing的工作条件，提升沉积工艺的稳定性。
3、具体来说，根据本专利技术的第一方面提供的上述液态源蒸发罐设备，包括：储液区，其内部储存液态化学源；补液组件，位于所述储液区的下方，包括补液管道和加热装置，其中，所述补液管道的末端通过阀门连接所述储液区，用以同时容纳并传输提供给所述储液区的多次补液，所述加热装置设于所述补液管道的下方，用以预热所述补液管道内的所述多次补液，其中，对所述储液区的单次补液量低于所述储液区的总容积的千分之一。
4、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述补液管道的容积低于所述储液区的总容积的千分之五。
5、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述补液管道弯曲地布设在所述加热装置的上表面。
6、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述补液管道由内向外螺旋地分布在所述加热装置的上表面。
7、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述加热装置设置于所述液态源蒸发罐设备的底板中，所述底板的厚度至少大于5mm。
8、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，还包括第一温度传感器和第二温度传感器，所述第一温度传感器设于所述储液区内，用以检测所述储液区内的液态化学源的温度，所述第二温度传感器设于所述补液管道内，用以检测所述补液管道内补充溶液的温度，其中，所述补充溶液的温度大于所述液态化学源的温度。
9、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，还包括液位检测计，设于所述储液区内，用以检测所述储液区内的液态化学源的液位。
10、此外，根据本专利技术的第二方面提供的上述液态源蒸发罐的补液方法，使用本专利技术的第一方面提供的上述液态源蒸发罐设备进行补液，所述补液方法包括以下步骤：获取所述储液区内的液态化学源的当前液位；以及响应于所述液态化学源的当前液位低于标准液位，将所述补液管道内预热好的多次补液分批次提供给所述储液区，进行多次补液，其中，对所述储液区的单次补液量低于所述储液区的总容积的千分之一。
11、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，补液方法还包括：响应于所述储液区内的液态化学源的液位变化量大于液位变化阈值，提出警示，以加快补液进度。
12、此外，根据本专利技术的第三方面提供的上述液态源蒸发罐的补液装置。该液态源蒸发罐的补液装置包括存储器及处理器。所述处理器连接所述存储器，并被配置用于实施本专利技术的第二方面提供的上述的液态源蒸发罐的补液方法。
13、此外，根据本专利技术的第四方面还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令。所述计算机指令被处理器执行时，实施本专利技术的第二方面提供的上述的液态源蒸发罐的补液方法。
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1.一种液态源蒸发罐设备，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的液态源蒸发罐设备，其特征在于，所述补液管道的容积低于所述储液区的总容积的千分之五。
3.如权利要求1所述的液态源蒸发罐设备，其特征在于，所述补液管道弯曲地布设在所述加热装置的上表面。
4.如权利要求3所述的液态源蒸发罐设备，其特征在于，所述补液管道由内向外螺旋地分布在所述加热装置的上表面。
5.如权利要求1所述的液态源蒸发罐设备，其特征在于，所述加热装置设置于所述液态源蒸发罐设备的底板中，所述底板的厚度至少大于5mm。
6.如权利要求1所述的液态源蒸发罐设备，其特征在于，还包括第一温度传感器和第二温度传感器，所述第一温度传感器设于所述储液区内，用以检测所述储液区内的液态化学源的温度，所述第二温度传感器设于所述补液管道内，用以检测所述补液管道内补充溶液的温度，其中，所述补充溶液的温度大于所述液态化学源的温度。
7.如权利要求1所述的液态源蒸发罐设备，其特征在于，还包括液位检测计，设于所述储液区内，用以检测所述储液区内的液态化学源的液位。
...【技术特征摘要】
1.一种液态源蒸发罐设备，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的液态源蒸发罐设备，其特征在于，所述补液管道的容积低于所述储液区的总容积的千分之五。
3.如权利要求1所述的液态源蒸发罐设备，其特征在于，所述补液管道弯曲地布设在所述加热装置的上表面。
4.如权利要求3所述的液态源蒸发罐设备，其特征在于，所述补液管道由内向外螺旋地分布在所述加热装置的上表面。
5.如权利要求1所述的液态源蒸发罐设备，其特征在于，所述加热装置设置于所述液态源蒸发罐设备的底板中，所述底板的厚度至少大于5mm。
6.如权利要求1所述的液态源蒸发罐设备，其特征在于，还包括第一温度传感器和第二温度传感器，所述第一温度传感器设于所述储液区内，用以检测所述储液区内的液态化学源的温...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭华强，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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