【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体催化剂，尤其涉及一种高熵半导体催化剂及其制备方法与应用。
技术介绍
1、解决环境污染和保护生态平衡是当前社会面临的重要问题之一；对于有机污染物的处理，选择理想的催化剂进行高效催化降解是一种有效的方法，而高熵催化剂具有多种活性中心和功能多样化的特点，因此在催化降解领域中具有重要的作用。
2、然而，现有的高熵材料的制备方法存在一些缺点，如能源消耗量大、所用合成设备要求高以及纳米结构的偏析等，使得高熵催化剂的催化效率与预期效果存在差距。
3、因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种高熵半导体催化剂及其制备方法与应用，旨在解决现有高熵半导体催化剂在热解过程中易出现材料偏析现象而导致催化性能降低等问题。
2、本专利技术的技术方案如下：
3、一种高熵半导体催化剂的制备方法，包括步骤：
4、将至少一种金属盐与水进行混合，得到金属盐溶液；
5、将所述金属盐溶液与胺类有机配体进行混合，经离心洗涤、冻干处理，得到多金属配合物；
6、在惰性气氛下对所述多金属配合物进行煅烧处理，得到高熵半导体催化剂。
7、所述的高熵半导体催化剂的制备方法，其中，所述金属盐包括氯化铁、氯化钴、氯化镍、氯化铜、氯化锌、氯化锰、氯化铟、氯化铒、氯铂酸、氯金酸、氯化镧、磷钨酸钠、硝酸镓、硝酸铁、硝酸锰、硝酸铜、硝酸钴中的一种或多种。
8、
9、所述的高熵半导体催化剂的制备方法，其中，所述胺类有机配体包括二乙烯三胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺、氨基葡萄糖中的一种或多种。
10、所述的高熵半导体催化剂的制备方法，其中，所述胺类有机配体与所述金属盐溶液中的金属盐的摩尔比为1:2-4:1。
11、所述的高熵半导体催化剂的制备方法，其中，所述煅烧处理的升温速率为2℃-10℃，所述煅烧处理的温度为200℃-400℃，所述煅烧处理的保温时间为10min-60min。
12、所述的高熵半导体催化剂的制备方法，其中，所述离心洗涤的转速为5000rpm-10000rpm，所述离心洗涤的次数为3-5次。
13、所述的高熵半导体催化剂的制备方法，其中，所述冻干处理的温度为-45℃至-55℃，所述冻干处理的时间为30h-40h。
14、一种高熵半导体催化剂，利用所述高熵半导体催化剂的制备方法制得。
15、一种高熵半导体催化剂在污染物催化降解中的应用。
16、有益效果：本专利技术提供一种高熵半导体催化剂及其制备方法与应用，高熵半导体催化剂的制备方法包括步骤：将至少一种金属盐与水进行混合，得到金属盐溶液；将所述金属盐溶液与胺类有机配体进行混合，经离心洗涤、冻干处理，得到多金属配合物；在惰性气氛下对所述多金属配合物进行煅烧处理，得到高熵半导体催化剂。本专利技术在配位原子锚定的情况下限制金属原子的移动，从而获得碳氮掺杂的高熵半导体催化剂。利用该制备方法制得的高熵半导体催化剂具有催化活性位点丰富、化学稳定性好和各元素分布均匀的特点，且本专利技术涉及的制备方法工艺简洁易实现，生产过程绿色环保，易于规模化生产，有利于规模化推广使用。
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1.一种高熵半导体催化剂的制备方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的高熵半导体催化剂的制备方法，其特征在于，所述金属盐包括氯化铁、氯化钴、氯化镍、氯化铜、氯化锌、氯化锰、氯化铟、氯化铒、氯铂酸、氯金酸、氯化镧、磷钨酸钠、硝酸镓、硝酸铁、硝酸锰、硝酸铜、硝酸钴中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的高熵半导体催化剂的制备方法，其特征在于，所述金属盐溶液的浓度为1mol/L-10mol/L。
4.根据权利要求1所述的高熵半导体催化剂的制备方法，其特征在于，所述胺类有机配体包括二乙烯三胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺、氨基葡萄糖中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的高熵半导体催化剂的制备方法，其特征在于，所述胺类有机配体与所述金属盐溶液中的金属盐的摩尔比为1:2-4:1。
6.根据权利要求1所述的高熵半导体催化剂的制备方法，其特征在于，所述煅烧处理的升温速率为2℃-10℃，所述煅烧处理的温度为200℃-400℃，所述煅烧处理的保温时间为10min-60min。
7.根据权利要求1所述的高熵半导体催化
8.根据权利要求1所述的高熵半导体催化剂的制备方法，其特征在于，所述冻干处理的温度为-45℃至-55℃，所述冻干处理的时间为30h-40h。
9.一种高熵半导体催化剂，其特征在于，利用如权利要求1-8任一项所述的高熵半导体催化剂的制备方法制得。
10.一种如权利要求9所述的高熵半导体催化剂在污染物催化降解中的应用。
...【技术特征摘要】
1.一种高熵半导体催化剂的制备方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的高熵半导体催化剂的制备方法，其特征在于，所述金属盐包括氯化铁、氯化钴、氯化镍、氯化铜、氯化锌、氯化锰、氯化铟、氯化铒、氯铂酸、氯金酸、氯化镧、磷钨酸钠、硝酸镓、硝酸铁、硝酸锰、硝酸铜、硝酸钴中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的高熵半导体催化剂的制备方法，其特征在于，所述金属盐溶液的浓度为1mol/l-10mol/l。
4.根据权利要求1所述的高熵半导体催化剂的制备方法，其特征在于，所述胺类有机配体包括二乙烯三胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺、氨基葡萄糖中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的高熵半导体催化剂的制备方法，其特征在于，所述胺类有机配体与所述金属盐溶液中的金属盐的摩尔比为1:2-...
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