【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制冷制热领域，尤其涉及一种多温区分别控温的双级半导体制冷器。
技术介绍
1、半导体制冷器(tec)利用半导体的热电效应制冷，具有无噪声、无振动、体积小等优点，常被用于电子设备或无线通讯设备中某些元件的冷却。在一些应用场合中，往往需要同时对设备内部的多个集成元件进行冷却，例如在应用了多通道波分复用技术的微波光子链路中，需要使用tec对多个集成的大功率激光器进行冷却。
2、现有技术一般是将被控温元器件的封装基板分别贴装在多个单级tec上，通过tec不断抽运被控温元器件产生的热量使其在恒温条件下工作，但是随着温度的升高，tec的热面温度升高，为达到相同的冷面温度，tec的功耗也随之上升，导致tec工作效能下降，而市面上能实现高效制冷和功耗控制的双级tec往往只有一个制冷面，无法实现同时控制多个不同的发热元件维持在不同的温度。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提供一种多温区分别控温的双级半导体制冷器，旨在解决现有半导体制冷器无法兼顾分别控温和高效制冷的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提出的一种多温区分别控温的双级半导体制冷器包括：
3、若干第一基板，与所述第一基板相对设置的第二基板，以及与所述第二基板相对设置的第三基板；
4、第一半导体热电层，设置于所述第一基板和所述第二基板之间；
5、第二半导体热电层，设置于所述第二基板和所述第三基板之间；
6、第一导线，设置于所述第一半导体热电层与
7、第二导线，设置于所述第二半导体热电层与所述第二基板、第三基板之间。
8、可选地，所述第一半导体热电层和所述第二半导体热电层包括若干p型半导体电偶和n型半导体电偶，所述p型半导体电偶与所述n型半导体电偶交错排列。
9、可选地，所述p型半导体电偶与相邻的所述n型半导体电偶通过所述第一导线或所述第二导线连接，以使所述p型半导体电偶和所述n型半导体电偶形成由若干p/n电偶对构成的串联线路。
10、可选地，所述导线在所述串联线路两端有露出引脚，用于连接外部控制电路。
11、可选地，所述第一导线和所述第二导线为金属材料。
12、可选地，所述第一基板、第二基板和第三基板为绝缘导热材料。
13、可选地，所述第一基板和所述第二基板上分别贴装有热敏电阻。
14、与现有技术相比，本专利技术产生的有益效果在于：通过设置双级制冷避免了单级半导体制冷器因热端温度升高导致的工作效能下降问题，使得半导体制冷器整体工作效能提升，实现更优的制冷效果，同时，通过对若干第一半导体热电层进行分别控制，实现了对被控温元器件的分别控温，且通过精确控温降低了半导体制冷器的整体功耗，本专利技术提出的多温区分别控温的双级半导体制冷器兼具分别控温和高效制冷的特点，适用于需要分别控温的小型化集成温控需求。
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1.一种多温区分别控温的双级半导体制冷器，其特征在于，所述双级半导体制冷器包括：
2.如权利要求1所述的多温区分别控温的双级半导体制冷器，其特征在于，所述第一半导体热电层和所述第二半导体热电层包括若干P型半导体电偶和N型半导体电偶，所述P型半导体电偶与所述N型半导体电偶交错排列。
3.如权利要求2所述的多温区分别控温的双级半导体制冷器，其特征在于，所述P型半导体电偶与相邻的所述N型半导体电偶通过所述第一导线或所述第二导线连接，以使所述P型半导体电偶和所述N型半导体电偶形成由若干P/N电偶对构成的串联线路。
4.如权利要求3所述的多温区分别控温的双级半导体制冷器，其特征在于，所述导线在所述串联线路两端有露出引脚，用于连接外部控制电路。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的多温区分别控温的双级半导体制冷器，其特征在于，所述第一导线和所述第二导线为金属材料。
6.如权利要求1所述的多温区分别控温的双级半导体制冷器，其特征在于，所述第一基板、第二基板和第三基板为绝缘导热材料。
7.如权利要求1所述的多温区分别控温的双
...【技术特征摘要】
1.一种多温区分别控温的双级半导体制冷器，其特征在于，所述双级半导体制冷器包括：
2.如权利要求1所述的多温区分别控温的双级半导体制冷器，其特征在于，所述第一半导体热电层和所述第二半导体热电层包括若干p型半导体电偶和n型半导体电偶，所述p型半导体电偶与所述n型半导体电偶交错排列。
3.如权利要求2所述的多温区分别控温的双级半导体制冷器，其特征在于，所述p型半导体电偶与相邻的所述n型半导体电偶通过所述第一导线或所述第二导线连接，以使所述p型半导体电偶和所述n型半导体电偶形成由若干p/n电偶对构成的串联线路。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：李明，薛维亮，马雁潮，王磊，
申请(专利权)人：华毅瀛飞浙江科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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