【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属膜层湿法蚀刻，具体涉及一种混酸型纯钼蚀刻液及蚀刻方法。
技术介绍
1、在tft(薄膜场效应晶体管)基材的生产中，混酸型蚀刻液多见于铜钼、铝钼或者钼铝钼的金属叠层，以形成预定图案的电路。混酸型蚀刻液的主要组分为硝酸、磷酸和乙酸，硝酸用于氧化铜、铝和钼生成相应的金属氧化物，磷酸与金属氧化物反应生成相应的盐，乙酸作为缓冲溶液的主要组分，控制蚀刻反应速度。
2、在一些特殊制程例如ltps低温多晶硅元件的生产中，有见采用纯钼金属层作为电路材质，因此需要相适应地配置纯钼蚀刻液。常见的纯钼层厚度范围为例如
3、基于目前液晶显示器高密度细导线图像的精度和质量要求，为了确保后续蒸镀工序金属线的连续，taper(蚀刻倾角)的技术规格为小于55°，优选40°～55°；cd-bias(关键尺寸偏差)根据线宽和膜厚具体确定，例如玻璃衬底钼层的cd-bias双边优选不大于0.5m，硅衬底钼层的cd-bias双边优选不大于1.5μm。采用如cn103255417a中记载范围内的2％硝酸、65％磷酸和18％乙酸的组合混酸作为蚀刻液处理纯钼，mo的整体蚀刻形貌与蚀刻钼铝钼或者铝钼金属叠层所得形貌差异明显，纯钼形貌表现为：当钼层膜厚小于半边关键尺寸偏差达0.26μm，蚀刻倾角为65～80°，如图1所示；当mo层膜厚大于半边关键尺寸偏差达0.42μm，蚀刻倾角为60～70°，如图2所示。改进的蚀刻液中加入硝酸盐，但是对较薄和较厚钼层的蚀刻倾角改善效果有限。由于对膜厚不同的钼层蚀刻兼容性较差，现有的铜钼、钼铝钼蚀刻液不适于转用
技术实现思路
1、本专利技术的目的之一在于克服现有技术中存在的缺陷，提供一种混酸型纯钼蚀刻液，通过向混酸体系中加入组合盐作为添加剂，使其适用于各种厚度的纯钼膜层蚀刻，蚀刻倾角和关键尺寸偏差均能控制在预定的技术规格范围内。
2、为了实现上述技术效果，本专利技术的技术方案为：一种混酸型纯钼蚀刻液，按质量百分比计，主要组成为：2％～7％的硝酸、50％～60％的磷酸、21％～30％的乙酸、2.5％～7％的添加剂以及6％～17％的去离子水；
3、所述添加剂为选自磷酸盐、硝酸盐、乙酸盐、钼酸盐、磷酸氢盐中的两种以上的组合。
4、进一步的，硝酸、磷酸、乙酸、添加剂以及去离子水的质量百分比之和不低于95％，更进一步的，不低于98％。磷酸氢盐包括磷酸一氢盐和磷酸二氢盐。2％～7％的硝酸、50％～60％的磷酸、21％～30％的乙酸、2.5％～7％的添加剂以及6％～17％的去离子水的质量百分比之和可选为95％、96％、97％、98％、99％、100％点值以及以上述两点值作为最大值和最小值的区间。
5、优选的技术方案为，所述添加剂为选自锂盐、钾盐、钠盐和铵盐中的一种或两种以上的组合；
6、进一步的，所述添加剂为锂盐、钾盐和钠盐的一种或两种以上的组合。
7、优选的技术方案为，所述添加剂为硝酸盐和选自磷酸盐、乙酸盐、钼酸盐、磷酸氢盐一种以上的组合；进一步的，所述添加剂为磷酸盐和硝酸盐的组合。
8、优选的技术方案为，按质量百分比计，主要组成为：3％～6％的硝酸、50％～60％的磷酸、23％～29％的乙酸、3％～6％的添加剂以及7％～13％的去离子水。
9、优选的技术方案为，所述磷酸盐和硝酸盐的质量之比为(0.7～1.2)：1；
10、进一步的，所述磷酸盐和硝酸盐的质量之比为(0.9～1.2)：1。
11、具体的，磷酸盐和硝酸盐的质量之比为0.7:1、0.8:1、0.9:1、0.10:1、1.1:1、1.2：1点值以及以上述两点值作为最大值和最小值的区间。
12、优选的技术方案为，所述磷酸盐和/或硝酸盐为钾盐。
13、优选的技术方案为，所述混酸型纯钼蚀刻液中还包括0.03％～0.75％的磺酸化合物；所述磺酸化合物为选自甲磺酸、2-羟基乙磺酸、3-羟基丙磺酸、1，4-丁二磺酸中的至少一种。具体的，混酸型纯钼蚀刻液中磺酸化合物的质量百分比为0.03％、0.1％、0.2％、0.3％、0.4％、0.5％、0.6％、0.7％、0.75％点值以及以上述两点值作为最大值和最小值的区间。
14、优选的技术方案为，所述混酸型纯钼蚀刻液中磺酸化合物的质量百分比为0.1％～0.55％；
15、进一步的，所述磺酸化合物为3-羟基丙磺酸和/或1，4-丁二磺酸。
16、本专利技术的目的之二在于提供一种纯钼膜层的蚀刻方法，采用上述的混酸型纯钼蚀刻液，所述钼层覆设于衬底。
17、优选的技术方案为，蚀刻温度不大于45℃；
18、进一步的，蚀刻温度为37～44℃；
19、进一步的，所述纯钼膜层的厚度为
20、进一步的，所述所述衬底为ito(氧化铟锡)衬底、玻璃衬底或者硅衬底。
21、本专利技术的优点和有益效果在于：
22、该混酸型纯钼蚀刻液在硝酸、磷酸和乙酸的混酸体系基础上添加盐，利用优化的各酸组分含量和盐添加剂，调节对纯钼的蚀刻速率，使混酸型纯钼蚀刻液兼容于各种厚度的钼单层蚀刻，蚀刻倾角稳定于40～55°，并且有效减小钼层的关键尺寸偏差，满足各种厚度纯钼的蚀刻技术要求；
23、该蚀刻液的钼离子负载最高可达5000ppm，使用寿命较长。
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1.一种混酸型纯钼蚀刻液，其特征在于，按质量百分比计，主要组成为：2％～7％的硝酸、50％～60％的磷酸、21％～30％的乙酸、2.5％～7％的添加剂以及6％～17％的去离子水；
2.根据权利要求1所述的混酸型纯钼蚀刻液，其特征在于，所述添加剂为选自锂盐、钾盐、钠盐和铵盐中的一种或两种以上的组合；
3.根据权利要求1所述的混酸型纯钼蚀刻液，其特征在于，所述添加剂为硝酸盐和选自磷酸盐、乙酸盐、钼酸盐、磷酸氢盐一种以上的组合；进一步的，所述添加剂为磷酸盐和硝酸盐的组合。
4.根据权利要求1所述的混酸型纯钼蚀刻液，其特征在于，按质量百分比计，主要组成为：3％～6％的硝酸、50％～60％的磷酸、23％～29％的乙酸、3％～6％的添加剂以及7％～13％的去离子水。
5.根据权利要求1所述的混酸型纯钼蚀刻液，其特征在于，所述磷酸盐和硝酸盐的质量之比为(0.7～1.2)：1；
6.根据权利要求2所述的混酸型纯钼蚀刻液，其特征在于，所述磷酸盐和/或硝酸盐为钾盐。
7.根据权利要求1所述的混酸型纯钼蚀刻液，其特征在于，所述混酸
8.根据权利要求7所述的混酸型纯钼蚀刻液，其特征在于，所述混酸型纯钼蚀刻液中磺酸化合物的质量百分比为0.1％～0.55％；
9.一种纯钼膜层的蚀刻方法，其特征在于，采用权利要求1至8中任意一项所述的混酸型纯钼蚀刻液，所述钼层覆设于衬底。
10.根据权利要求9所述的蚀刻方法，其特征在于，蚀刻温度不大于45℃；
...【技术特征摘要】
1.一种混酸型纯钼蚀刻液，其特征在于，按质量百分比计，主要组成为：2％～7％的硝酸、50％～60％的磷酸、21％～30％的乙酸、2.5％～7％的添加剂以及6％～17％的去离子水；
2.根据权利要求1所述的混酸型纯钼蚀刻液，其特征在于，所述添加剂为选自锂盐、钾盐、钠盐和铵盐中的一种或两种以上的组合；
3.根据权利要求1所述的混酸型纯钼蚀刻液，其特征在于，所述添加剂为硝酸盐和选自磷酸盐、乙酸盐、钼酸盐、磷酸氢盐一种以上的组合；进一步的，所述添加剂为磷酸盐和硝酸盐的组合。
4.根据权利要求1所述的混酸型纯钼蚀刻液，其特征在于，按质量百分比计，主要组成为：3％～6％的硝酸、50％～60％的磷酸、23％～29％的乙酸、3％～6％的添加剂以及7％～13％的去离子水。
5.根据权利要求1所述的混酸型纯...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾梦佳，沈夏军，徐杨，章佳寅，吴晓芳，朱龙，李涛，
申请(专利权)人：江阴江化微电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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