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发光装置及其制作方法制造方法及图纸

技术编号:40580537 阅读:13 留言:0更新日期:2024-03-06 17:23
本发明专利技术公开了一种发光装置及其制作方法,该发光装置可以工作在3A/mm<supgt;2</supgt;以上的高电流密度下,包括支架,具有相反的第一表面和第二表面,所述第一表面上设有图案化的导电层;LED器件,形成于该封装支架的第一表面上,包括绝缘基板及位于该绝缘基板上的多个发光单元,所述多个发光单元包含半导体层序列、第一电极和第二电极,该半导体层序列具有第一类型半导体层和第二类型半导体层以及位于两者之间的有源层,其中第一类型半导体层位于半导体层序列的正侧,第一电极和第二电极朝向正侧,并分别通过引线与所述封装支架上的导电层连接,其中第一电极与第一类型半导体层形成电性连接,第二电极与第二类型半导体层形成电性连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件领域,具体为一种发光装置及其制作方法


技术介绍

1、发光二极管被广泛地用于固态照明光源。相较于传统的白炽灯泡和荧光灯,发光二极管具有耗电量低以及寿命长等优点,因此发光二极管已逐渐取代传统光源,并且应用于各种领域,如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等。


技术实现思路

1、为解决上述的至少一个问题,本专利技术提出了一种集成式led发光装置,其可以工作在3a/mm2以上的高电流密度下,例如4a/mm2,或者5a/mm2。

2、一种发光装置,包括:支架,具有相反的第一表面和第二表面,所述第一表面上设有图案化的导电层;led器件,形成于该封装支架的第一表面上,包括绝缘基板及位于该绝缘基板上的多个发光单元,所述多个发光单元包含半导体层序列、第一电极和第二电极,该半导体层序列具有第一类型半导体层和第二类型半导体层以及位于两者之间的有源层,其中第一类型半导体层位于半导体层序列的正侧,第一电极和第二电极朝向正侧,其中第一电极与第一类型半导体层形成电性连接,第二电极与第二类型半导体层形成电性连接;所述第一电极和第二电极分别通过引线与所述封装支架上的导电层连接。

3、本专利技术还提供了一种发光装置的制作方法,包括步骤:(1)提供支架,其具有相反的第一表面和第二表面,所述第一表面上设有图案化的导电层;(2)制作led器件,其包括绝缘基板及位于该绝缘基板上的多个发光单元,所述多个发光单元包含半导体层序列、第一电极和第二电极,该半导体层序列具有第一类型半导体层和第二类型半导体层以及位于两者之间的有源层,其中第一类型半导体层位于半导体层序列的正侧,第一电极和第二电极朝向正侧,其中第一电极与第一类型半导体层形成电性连接,第二电极与第二类型半导体层形成电性连接;(3)将该led器件放置于所述支架上,其中绝缘基板与支架连接;(4)制作引线,将该多个发光单元的第一电极和第二电极分别与所述封装支架上的导电层连接。

4、优选的,至少一个发光单元的半导体层序列通过一散热层分别与该绝缘基板连接,独立形成热导通道。更佳的,所述散热层与所述第一类型半导体层接触。

5、在一些实施例中,所述多个发光单元形成于同一绝缘基板上,在所述led器件上没有形成直接的电性连接,通过所述引线及导电层形成电性连接。进一步的,所述多个发光单元的每个发光单元均具有第一电极和第二电极,该多个发光单元的第一电极和第二电极分别通过引线与所述封装支架上的导电层连接。

6、本专利技术所述发光装置的各个芯片共用同一基板,可以解决上述提出的各芯片间的间距过大导致的光输出功率密度较低的问题,每个芯片之间的间距可以达到30μm以下,甚至在10μm以下,很大限度降低整个封装结构的发光面积,提升光功率输出密度;进一步地,可以实现热电分离的结构,为高电流密度驱动提供良好基础。

7、本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

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【技术保护点】

1.发光装置,包括:

2.根据权利要求1所述的发光装置,所述多个发光单元的工作电流密度为3A/mm2以上。

3.根据权利要求1所述的发光装置,所述LED器件至少两个不同发光单元的第一电极和第二电极相邻。

4.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于:所述LED器件至少两个发光单元串联或并联连接。

5.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于:至少一个发光单元的半导体层序列通过一散热层分别与该绝缘基板连接,独立形成热导通道。

6.根据权利要求5所述的发光装置,其特征在于:所述散热层与所述第一类型半导体层接触。

7.根据权利要求6所述的发光装置,其特征在于:所述散热层为金属材料层。

8.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于:所述多个发光单元形成于同一绝缘基板上,在所述LED器件上没有形成直接的电性连接,通过所述引线及导电层形成电性连接。

9.根据权利要求8所述的发光装置,其特征在于:所述多个发光单元的每个发光单元均具有第一电极和第二电极,该多个发光单元的第一电极和第二电极分别通过引线与所述支架上的导电层连接。

10. 根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于:该多个发光单元的出光角度为130以下。

11.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于:所述导电层由多个导电块构成,每个发光单元与两个所述导电块连接。

12.根据权利要求11所述的发光装置,其特征在于:所述LED器件包括N个发光单元,所述导电层包括N+1个导电块。

13.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于:所述LED器件的至少一个发光单元具有多个贯穿第二类型半导体层、有源层的凹部,第一电极具有多个延伸部,该多个延伸部通过该凹部与第一类型半导体层接触。

14.根据权利要求13所述的发光装置,其特征在于:所述第一电极与第一类型半导体层接触的面积为第一类型半导体层的面积的4%~6%。

15.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于:所述绝缘基板的散热型基板。

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【技术特征摘要】

1.发光装置,包括:

2.根据权利要求1所述的发光装置,所述多个发光单元的工作电流密度为3a/mm2以上。

3.根据权利要求1所述的发光装置,所述led器件至少两个不同发光单元的第一电极和第二电极相邻。

4.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于:所述led器件至少两个发光单元串联或并联连接。

5.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于:至少一个发光单元的半导体层序列通过一散热层分别与该绝缘基板连接,独立形成热导通道。

6.根据权利要求5所述的发光装置,其特征在于:所述散热层与所述第一类型半导体层接触。

7.根据权利要求6所述的发光装置,其特征在于:所述散热层为金属材料层。

8.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于:所述多个发光单元形成于同一绝缘基板上,在所述led器件上没有形成直接的电性连接,通过所述引线及导电层形成电性连接。

9.根据权利要求8所述的发光装置,其特征在于:所述多个发光单...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄少华曾晓强张灿源杨剑锋
申请(专利权)人:泉州三安半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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