【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻
,尤其涉及一种采用自由曲面透镜实现离轴照明的光刻曝光装置。
技术介绍
光刻是推动半导体工业迅速发展的一项关键技术,它通过曝光装置和光刻投影物镜将掩膜上的集成电路的结构图形复制到涂有光刻胶的硅片上。在光刻曝光装置中,可通过采用分辨率增强技术(如离轴照明)来提高光刻分辨率和改善焦深,因此光刻曝光装置的性能决定着投影光刻系统的性能。光刻曝光装置一般包括光束扩束器、光束整形器、变焦光学系统、光学积分器和中继光学系统几个主要部分,其中光束整形器用于实现光刻系统所需的离轴照明模式。光刻曝光装置中常用的光束整形器有光阑(B.W.Smith,L.Zavyalova,J.S.Petersen,“Illumination pupil filtering using modified quadrupole apertures,”Proc.SPIE 3334,384-394(1998))、衍射光学元件(Diffractive Optical Elements,DOEs)(M.D.Himel,R.E.Hutchins,J.C.Colvin,“Design and fabrication of customized illumination patterns for low k1 lithography:a diffractive approach,”Proc.SPIE 4364,1436-1442(2001))、微反射镜阵列(M.Mulder,A.Engelen,O.Noordman,“Performance of a programmable illu ...
【技术保护点】
一种采用自由曲面透镜实现离轴照明的光刻曝光装置,其特征在于包括激光光源(LS)、光束扩束器(1)、自由曲面透镜光束整形器(2)、滤波光阑(3)、变焦光学系统(4)、光学积分器(5)、准直光学系统(6)、视场光阑(7)、中继光学系统(8)、掩膜(M)、光刻投影物镜(PL)、光刻胶(W);中继光学系统(8)包括前透镜组(8.1)、中间反射镜(8.2)和后透镜组(8.3);激光光源(LS)的出射激光光束依次经过光束扩束器(1)、自由曲面透镜光束整形器(2)、滤波光阑(3)、变焦光学系统(4)、光学积分器(5)、准直光学系统(6)、视场光阑(7)、中继光学系统(8)、掩膜(M)、光刻投影物镜(PL),最后照射至光刻胶(W);滤波光阑(3)所处位置和光学积分器(5)的前表面所处位置是变焦光学系统(4)的一对共轭位置,光学积分器(5)后表面所处位置和视场光阑(7)所处位置是准直光学系统(6)的一对共轭位置,视场光阑(7)所处位置和掩膜(M)所处位置是中继光学系统(8)的一对共轭位置,掩膜(M)所处位置和光刻胶(W)所处位置是光刻投影物镜(PL)的一对共轭位置。
【技术特征摘要】
1.一种采用自由曲面透镜实现离轴照明的光刻曝光装置,其特征在于包括激光光源(LS)、光束扩束器(1)、自由曲面透镜光束整形器(2)、滤波光阑(3)、变焦光学系统(4)、光学积分器(5)、准直光学系统(6)、视场光阑(7)、中继光学系统(8)、掩膜(M)、光刻投影物镜(PL)、光刻胶(W);中继光学系统(8)包括前透镜组(8.1)、中间反射镜(8.2)和后透镜组(8.3);激光光源(LS)的出射激光光束依次经过光束扩束器(1)、自由曲面透镜光束整形器(2)、滤波光阑(3)、变焦光学系统(4)、光学积分器(5)、准直光学系统(6)、视场光阑(7)、中继光学系统(8)、掩膜(M)、光刻投影物镜(PL),最后照射至光刻胶(W);滤波光阑(3)所处位置和光学积分器(5)的前表面所处位置是变焦光学系统(4)的一对共轭位置,光学积分器(5)后表面所处位置和视场光阑(7)所处位置是准直光学系统(6)的一对共轭位置,视场光阑(7)所处位置和掩膜(M)所处位置是中继光学系统(8)的一对共轭位置,掩膜(M)所处位置和光刻胶(W)所处位置是光刻投影物镜(PL)的一对共轭位置。2.根据权利要求1所述的一种采用自由曲面透镜实现离轴照明的光刻曝光装置,其特征在于所述的自由曲面透镜光束整形器(2)包括前表面平面(S1)、后表面自由曲面(S2)和侧面圆柱面(S3),前表面平面(S1)与后表面自由曲面(S2)通过侧面圆柱面(S3)相连接,前表面平面(S1)垂直于激光光束传播方向,后表面自由曲面(S2)用于偏折激光光束;后表面自由曲面(S2)包括...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑臻荣,吴仍茂,李海峰,邢莎莎,刘旭,
申请(专利权)人:浙江大学,
类型:发明
国别省市:86[中国|杭州]
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