【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开整体涉及半导体器件领域，并且具体地，涉及包括虚拟字线和在器件层之间的接合区处的p-n结的三维存储器器件及其制造方法。
技术介绍
1、包括每个单元具有一个位的三维竖直nand串的三维存储器器件在t.endoh等人的名称为“具有堆叠的包围栅极晶体管(s-sgt)结构化单元的新型超高密度存储器(novelultra high density memory with a stacked-surrounding gate transistor(s-sgt)structured cell)”，iedm proc.(2001)33-36的文章中公开。
技术实现思路
1、根据本公开的一个方面，提供了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：第一绝缘层和第一导电层的第一交替堆叠；层间介电层，该层间介电层定位在第一交替堆叠上方；第二绝缘层和第二导电层的第二交替堆叠，第二交替堆叠定位在层间介电层上方；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过第二交替堆叠、层间介电层和第一交替堆叠；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构定位在存储器开口中并且包括：第一竖直半导体沟道，该第一竖直半导体沟道竖直延伸穿过第一交替堆叠并且具有第一导电类型的掺杂；第二竖直半导体沟道，该第二竖直半导体沟道竖直延伸穿过第二交替堆叠并且具有第一导电类型的掺杂；以及层间掺杂区，该层间掺杂区定位在第一竖直半导体沟道与第二竖直半导体沟道之间并且具有第二导电类型的掺杂，并且提供与第一竖直半导体沟道的第一p-n结并提供与第二竖直半导体沟道的第二
2、根据本公开的另一方面，一种形成三维半导体器件的方法，该方法包括：在半导体材料层上方形成第一绝缘层和第一间隔物材料层的第一交替堆叠、层间介电层以及第二绝缘层和第二间隔物材料层的第二交替堆叠，其中第一间隔物材料层和第二间隔物材料层分别形成为第一导电层和第二导电层或者随后分别被第一导电层和第二导电层替代；以及形成穿过第一交替堆叠、层间介电层和第二交替堆叠的存储器开口填充结构，其中存储器开口填充结构包括：第一竖直半导体沟道，该第一竖直半导体沟道竖直延伸穿过第一交替堆叠并且具有第一导电类型的掺杂；第二竖直半导体沟道，该第二竖直半导体沟道竖直延伸穿过第二交替堆叠并且具有第一导电类型的掺杂；以及层间掺杂区，该层间掺杂区定位在第一半导体沟道与第二半导体沟道之间并且具有第二导电类型的掺杂，并且提供与第一竖直半导体沟道的第一p-n结并提供与第二竖直半导体沟道的第二p-n结。
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1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中：
3.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中：
4.根据权利要求3所述的三维存储器器件，其中：
5.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述层间掺杂区的圆柱形侧壁接触所述层间介电层的圆柱形表面段。
6.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述存储器开口填充结构包括：
7.根据权利要求6所述的三维存储器器件，其中所述存储器元件的第一竖直堆叠和所述存储器元件的第二竖直堆叠包括至少一个存储器膜的定位在所述第一导电层和所述第二导电层的所述层级处的部分。
8.根据权利要求6所述的三维存储器器件，其中：
9.根据权利要求8所述的三维存储器器件，其中：
10.根据权利要求8所述的三维存储器器件，其中：
11.根据权利要求6所述的三维存储器器件，其中所述存储器元件的第一竖直堆叠和所述存储器元件的第二竖直堆叠包括存储膜的定位在所述第一导电层和所述第二导电层的所述层级处的部分，
12.根据权利要求11所述的三维存储器器件，其中所述层间掺杂区接触所述存储器膜的内侧壁的圆柱形表面段。
13.根据权利要求11所述的三维存储器器件，其中：
14.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中：
15.一种形成三维半导体器件的方法，所述方法包括：
16.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中：
18.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括在所述第一层存储器开口中形成第一存储器膜，其中所述第一存储器膜包括在所述第一间隔物材料层的层级处的第一存储器元件的竖直堆叠。
19.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括：
20.根据权利要求19所述的方法，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中：
3.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中：
4.根据权利要求3所述的三维存储器器件，其中：
5.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述层间掺杂区的圆柱形侧壁接触所述层间介电层的圆柱形表面段。
6.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述存储器开口填充结构包括：
7.根据权利要求6所述的三维存储器器件，其中所述存储器元件的第一竖直堆叠和所述存储器元件的第二竖直堆叠包括至少一个存储器膜的定位在所述第一导电层和所述第二导电层的所述层级处的部分。
8.根据权利要求6所述的三维存储器器件，其中：
9.根据权利要求8所述的三维存储器器件，其中：
10.根据权利要求8所述的三维存储器器件，其中：
11.根据权利要求6所述的三维存储器器件，其中所述存储器元件的第一竖直堆叠...
【专利技术属性】
技术研发人员：张艳丽，张鹏，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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