【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子封装与测试领域，特别涉及一种芯片老化测试温箱及其均温控制方法。
技术介绍
1、随着智能化普及以及半导体市场的持续增长，芯片、电路板等已经被广泛应用于智能穿戴、手机、车载电子、台式电脑等电子产品中，对芯片的抗老化性能的要求也越来越高，因此在芯片、pcb等产品在量产上市前，需要进行高温老化测试以判断产品热可靠性，而这就需要一个能够使测试产品处于与工作状态相似的温度环境的温箱。
2、市场现有的常规恒温箱，在测试半导体老化产品时，存在内部温度不均匀的问题。比如，申请号为“cn202022600766.7”的中国专利公开了一种芯片老化测试箱，包括具有试验腔的箱体、箱门、箱体内部的送风系统和风道，热风进入试验腔之后仅有少量流动至试验腔的底部，使得试验腔内的上下两端具有较大的温差，测试温度不均匀，影响测试结果的准确性。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提出一种芯片老化测试温箱，旨在解决现有的芯片老化测试温箱中的试验腔内测试温度不均匀的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提出一种芯片老化测试温箱，该芯片老化测试温箱包括：
3、箱体，所述箱体内设有测试腔，所述测试腔用于放置待测芯片，所述箱体具有与所述测试腔连通的进风口、出风口；
4、风机，所述风机的气体出口与所述进风口连通；
5、分流件，所述分流件位于所述箱体内且处于所述进风口处，所述分流件对从所述进风口进入的风进行分流，以使风分别流向所述测试腔的顶部和底
6、在一些实施例中，所述进风口位于所述测试腔的腔侧壁且邻近所述测试腔的顶部设置。
7、在一些实施例中，所述分流件包括分隔板和与所述分隔板呈夹角设置的导流板，所述分隔板的一端对接于所述进风口，所述分隔板的另一端连接于所述导流板的一端，所述导流板的另一端朝向所述测试腔的腔底壁延伸设置且与所述测试腔的腔底壁之间形成供风通过的出口。
8、在一些实施例中，所述箱体包括外箱体和位于所述外箱体中的内箱体，所述内箱体的内腔形成所述测试腔，所述进风口和所述出风口均位于所述内箱体上，所述内箱体的外壁与所述外箱体的内壁之间构成与所述出风口连通的回流通道；
9、所述风机的气体入口与所述回流通道连通，所述回流通道中设有换热器，所述换热器对经所述出风口排出的风进行热量交换。
10、在一些实施例中，所述风机为离心风机；
11、所述离心风机设于所述外箱体的外壁上，所述离心风机的气体入口朝向所述回流通道，所述离心风机的气体出口朝向所述进风口，或者，所述离心风机设于所述内箱体的外壁上，所述离心风机的气体入口朝向所述回流通道，所述离心风机的气体出口朝向所述进风口。
12、在一些实施例中，所述测试腔内设有测试架，所述测试架上设有多个放置层，每一个所述放置层用于放置可搭载待测芯片的老化测试板；
13、所述测试腔内设有过风板，所述过风板位于所述分流件与所述测试架之间，所述过风板上设置有过风孔。
14、在一些实施例中，所述过风孔间隔设有多排，每一个所述放置层与至少一排所述过风孔位置对应。
15、在一些实施例中，所述出风口包括多排出风孔，每一个所述放置层与至少一排所述出风孔对应。
16、在一些实施例中，所述分流件为可运动设置；所述芯片老化测试温箱还包括：
17、驱动组件，所述驱动组件与所述分流件连接，用以驱动所述分流件运动以调节分流比例。
18、本专利技术还提出一种芯片老化测试温箱的均温控制方法，所述芯片老化测试温箱为如前述记载的芯片老化测试温箱，该均温控制方法包括：
19、获取所有待测芯片的总热耗，并确定所述进风口与所述出风口的温度差；
20、根据所述总热耗和所述温度差，计算获得所述风机的总流量；
21、控制所述风机以所述总流量输出运行。
22、本专利技术芯片老化测试温箱通过在进风口处设置分流件，以将风机从进风口吹入测试腔内的风分流成两部分，一部分被引导流向测试腔的顶部，另一部分被引导流向测试腔的底部，大大降低了测试腔内上下两端的温差，使得测试腔内的温度更加均匀，有助于提高芯片老化测试结果的准确性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种芯片老化测试温箱，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片老化测试温箱，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的芯片老化测试温箱，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的芯片老化测试温箱，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的芯片老化测试温箱，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的芯片老化测试温箱，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的芯片老化测试温箱，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的芯片老化测试温箱，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的芯片老化测试温箱，其特征在于，
10.一种芯片老化测试温箱的均温控制方法，所述芯片老化测试温箱为如权利要求1-9任意一项所述的芯片老化测试温箱，其特征在于，该均温控制方法包括：
【技术特征摘要】
1.一种芯片老化测试温箱，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片老化测试温箱，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的芯片老化测试温箱，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的芯片老化测试温箱，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的芯片老化测试温箱，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的芯片老化测试温箱，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：何瀚，孙成思，王灿，徐永刚，张鑫，
申请(专利权)人：成都态坦测试科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。