System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 封装方法,以及半导体器件技术_技高网

封装方法,以及半导体器件技术

技术编号:40576317 阅读:18 留言:0更新日期:2024-03-06 17:17
本申请公开一种封装方法,以及半导体器件,所述封装方法用于实现对由多片半导体晶粒相互堆叠而成的堆叠体的封装。所述封装方法包括:执行多个预堆叠操作以获取候选堆叠体,其中,一个预堆叠操作包括:利用所述粘合剂在升温条件下粘合上位对象于所述下位对象之上;其中,所述上位对象为半导体晶粒,当所述预堆叠操作为首次预堆叠操作时,所述下位对象为基板,当所述预堆叠操作为非首次预堆叠操作时,所述下位对象为半导体晶粒;所述粘合剂在所述预堆叠操作之前贴合于所述上位对象;转移所述候选堆叠体至压膜设备;利用所述压膜设备对所述候选堆叠体执行热压贴合操作获取目标堆叠体,以完成封装。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及工业设备领域,特别是涉及一种3d倒装的半导体晶粒堆叠产品的封装方法,以及使用基于该方法得到的产品所制备的半导体器件。


技术介绍

1、近年来,随着硅贯穿通孔(through-silicon via,tsv)技术的提出及高速发展,热压键合(thermal compression bonding,tcb)技术的研发进度与封装应用面向越来越广。目前,针对3d倒装的半导体晶粒堆叠产品(也可以称为3d-fc叠die产品)的封装,主流工艺是采用tcb技术进行热压焊接,同时结合非导电粘合膜(ncf)预底部填充的方式,实现逐层倒装焊接及间隙填充。

2、通常进行tcb焊接时可以使用键合模组逐颗抓取芯片晶粒并贴装焊接。由于采用热压方式,每一颗芯片晶粒都需要单独受热并持续一定时间,才可以达到焊接目的。也就是说,在完成一颗芯片晶粒的焊接后,再进行下一刻芯片晶粒的焊接。这使得作业效率较低。


技术实现思路

1、本申请所要解决的技术问题在于,如何提高芯片封装的作业效率。

2、为了解决上述问题,本申请公开一种封装方法,以及半导体器件

3、本申请一方面提供一种封装方法。所述封装方法用于实现对由多片半导体晶粒相互堆叠而成的堆叠体的封装。所述封装方法包括:执行多个预堆叠操作以获取候选堆叠体,其中,一个预堆叠操作包括:利用所述粘合剂在升温条件下粘合上位对象于所述下位对象之上;其中,所述上位对象为半导体晶粒,当所述预堆叠操作为首次预堆叠操作时,所述下位对象为基板,当所述预堆叠操作为非首次预堆叠操作时,所述下位对象为半导体晶粒;所述粘合剂在所述预堆叠操作之前贴合于所述上位对象;转移所述候选堆叠体至压膜设备;利用所述压膜设备对所述候选堆叠体执行热压贴合操作获取目标堆叠体,以完成封装。

4、在一个可行的实现方式中,所述粘合剂包括非导电粘合膜。

5、在一个可行的实现方式中,在各个预堆叠操作中,所述非导电粘合膜相同或不同。

6、在一个可行的实现方式中,所述利用所述非导电粘合膜在升温条件下粘合上位对象于所述下位对象之上所需的第一时间小于利用所述压膜设备对所述候选堆叠体执行热压贴合操作所需的第二时间。

7、在一个可行的实现方式中,所述多个预堆叠操作包括两个预堆叠操作。

8、在一个可行的实现方式中,所述压膜设备包括壳体内部的第一腔室、第二腔室、载台以及挠性件;所述第一腔室位于所述第二腔室上方,所述载台设置于所述第二腔室内,用于承载所述候选堆叠体;所述挠性件与所述第一腔室合围形成密闭空间,能够受力于所述密闭空间内的压力而朝向所述载台膨胀。

9、在一个可行的实现方式中,所述载台具有加热组件。

10、在一个可行的实现方式中,所述密闭空间连接有气体通路,以对所述密闭空间内的气压进行调节。

11、在一个可行的实现方式中,所述热压贴合操作包括:提供膜,所述膜设置于所述挠性件下方;控制所述加热组件进行加热,并控制所述气体通路中的气体流向以向所述密闭空间内加压,并维持预定时间。

12、本申请另一方面公开了一种半导体器件。所述半导体芯片根据上述方法制备。

13、本申请公开的封装方法,针对多晶粒的堆叠产品的封装,可以利用多次低温预压,以及一次高温整版焊接实现。这减少了工艺步骤,提升了合封效率。

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【技术保护点】

1.一种封装方法,所述封装方法用于实现对由多片半导体晶粒相互堆叠而成的堆叠体的封装,其特征在于,所述封装方法包括:

2.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述粘合剂包括非导电粘合膜。

3.根据权利要求2所述的封装方法,其特征在于,在各个预堆叠操作中,所述非导电粘合膜相同或不同。

4.根据权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述利用所述非导电粘合膜在升温条件下粘合上位对象于所述下位对象之上所需的第一时间小于利用所述压膜设备对所述候选堆叠体执行热压贴合操作所需的第二时间。

5.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述多个预堆叠操作包括两个预堆叠操作。

6.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述压膜设备包括壳体内部的第一腔室、第二腔室、载台以及挠性件;所述第一腔室位于所述第二腔室上方,所述载台设置于所述第二腔室内,用于承载所述候选堆叠体;所述挠性件与所述第一腔室合围形成密闭空间,能够受力于所述密闭空间内的压力而朝向所述载台膨胀。

7.根据权利要求6所述的封装方法,其特征在于,所述载台具有加热组件。

8.根据权利要求7所述的封装方法,其特征在于,所述密闭空间连接有气体通路,以对所述密闭空间内的气压进行调节。

9.根据权利要求8所述的封装方法,其特征在于,所述热压贴合操作包括:

10.半导体器件,所述半导体器件基于如权利要求1-9中任一项所述的方法制备。

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【技术特征摘要】

1.一种封装方法,所述封装方法用于实现对由多片半导体晶粒相互堆叠而成的堆叠体的封装,其特征在于,所述封装方法包括:

2.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述粘合剂包括非导电粘合膜。

3.根据权利要求2所述的封装方法,其特征在于,在各个预堆叠操作中,所述非导电粘合膜相同或不同。

4.根据权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述利用所述非导电粘合膜在升温条件下粘合上位对象于所述下位对象之上所需的第一时间小于利用所述压膜设备对所述候选堆叠体执行热压贴合操作所需的第二时间。

5.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述多个预堆叠操作包括两个预堆叠操作。

6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:张景南王嘉磊陈明展
申请(专利权)人:南京屹立芯创半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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