【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件，更具体地，涉及包括铁电场效应晶体管(fefet)的半导体器件。
技术介绍
1、需要更高集成度的半导体器件来满足消费者对优异性能和低廉价格的需求。在二维或平面半导体器件的情况下，由于它们的集成度主要由单位单元所占据的面积决定，因此集成度很大程度上受精细图案形成技术水平的影响。
2、然而，最近，随着半导体器件的设计规则迅速减少，由于用于形成实现半导体器件所需的图案的工艺的分辨率限制，在形成精细图案方面存在限制。因此，已经提出了单元三维地布置的三维半导体器件。
技术实现思路
1、本公开的各方面提供了具有改进的产品可靠性的半导体器件。
2、然而，本公开的各方面不限于本文所阐述的那些。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加清楚。
3、根据本公开的一些方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底；第一层间绝缘层，在衬底上，包括第一互连部；公共源极板，在第一层间绝缘层上；导电层，在公共源极板上沿第一方向延伸；铁电层，在导电层的一个侧壁上；沟道层，在铁电层上；第一导电柱，在沟道层上，穿透公共源极板，并且连接到第一互连部；以及第二导电柱，在沟道层上，在第一方向上与第一导电柱间隔开，并且连接到公共源极板，铁电层和沟道层在公共源极板和第一导电柱之间。
4、根据本公开的一些方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底；第一层间绝缘层，在衬底上，包括第一过孔和第一互连部；公共源极板，在
5、根据本公开的一些方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底；第一层间绝缘层，在衬底上，包括第一互连部；公共源极板，在第一层间绝缘层上；堆叠，在公共源极板上，在第一方向上延伸，并且包括交替堆叠的绝缘层和导电层；铁电层，在导电层的一个侧壁上；沟道层，在铁电层上；以及多个第一导电柱和多个第二导电柱，在沟道层上，在竖直方向上延伸，并且在第一方向上交替布置，其中，多个第一导电柱穿透公共源极板，并且连接到第一互连部，多个第二导电柱连接到公共源极板，并且铁电层和沟道层在公共源极板和第一导电柱之间。
6、应注意，本公开的效果不限于上述那些，并且根据以下描述，本公开的其他效果将是清楚的。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电柱朝向所述第二导电柱凸出，并且所述第二导电柱朝向所述第一导电柱凸出。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电柱在所述衬底上的最大宽度等于所述第二导电柱在所述衬底上的最大宽度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：保护层，在所述铁电层和所述公共源极板之间。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电柱的侧壁具有台阶。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述铁电层包括第一层和与所述第一层不同的第二层。
9.一种半导体器件，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述多个分离插塞之中的在所述第二方向上相邻的分离插塞在所述第二方向上彼此重叠。
11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述多个分离插塞之中的在所述第二方向上相邻的分离插塞在所述第
12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述位线与所述第一互连部接触，并且所述源极线与所述公共源极板接触。
13.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：第二层间绝缘层，在所述多个堆叠上，包括第二互连部和第二过孔，
14.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述源极线朝向所述位线凸出，并且所述位线朝向所述源极线凸出。
15.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：保护层，在所述铁电层和所述公共源极板之间。
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述源极线的下表面在所述公共源极板上。
17.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述位线包括凹入所述铁电层中的第一延伸部，并且所述源极线包括凹入所述铁电层中的第二延伸部。
18.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述沟道层不在所述隔离层和所述铁电层之间。
19.一种半导体器件，包括：
20.根据权利要求19所述的半导体器件，其中，所述铁电层在所述衬底上的下表面位于所述公共源极板在所述衬底上的下表面下方。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电柱朝向所述第二导电柱凸出，并且所述第二导电柱朝向所述第一导电柱凸出。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电柱在所述衬底上的最大宽度等于所述第二导电柱在所述衬底上的最大宽度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：保护层，在所述铁电层和所述公共源极板之间。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电柱的侧壁具有台阶。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述铁电层包括第一层和与所述第一层不同的第二层。
9.一种半导体器件，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述多个分离插塞之中的在所述第二方向上相邻的分离插塞在所述第二方向上彼此重叠。
11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述多个分离插塞之中的在所述第二方向上相邻的分离插塞在所述第二方向...
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