【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子电路，尤其涉及一种全桥同步电流采样装置。
技术介绍
1、传统的全桥拓扑电流采样，电流互感器通常设置在vin网络上，是一种高边采样方式。在这种方式下，只能使用一个电流互感器，这将使得大功率下互感器通过电流大，难以选型；并且，互感器次级需要二极管防反，二极管压降三温下变化较大，导致限流点偏移。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术不足，提供了一种全桥同步电流采样装置，能够解决上述现有技术中的问题。
2、本专利技术的技术解决方案：一种全桥同步电流采样装置，其中，该装置包括全桥电路、输入电容单元、互感器单元、电阻单元、驱动芯片和同步采样单元，所述全桥电路包括第一晶体管va、第二晶体管vb、第三晶体管vc、第四晶体管vd和第一电流互感器t1a，所述第一晶体管va和所述第二晶体管vb串联，所述第三晶体管vc和所述第四晶体管vd串联，所述第一电流互感器t1a的一端设置在所述第一晶体管va和所述第二晶体管vb之间，另一端设置在所述第三晶体管vc和所述第四晶体管vd之间，所述输入电容包括第一电容c1和第二电容c2，所述第一电容c1和所述第二电容c2并联设置在电源输入端vin和电源输入端pgnd之间，所述互感器单元包括第二电流互感器t2和第三电流互感器t3，所述第二电流互感器t2与所述第二晶体管vb连接，所述第三电流互感器t3与所述第四晶体管vd连接，所述电阻单元包括第一电阻r1、第二电阻r2和第三电阻r3，所述第三电阻r3与所述第二电流互感器t2和所述第三
3、优选地，在所述第一晶体管va和所述第四晶体管vd导通而所述第二晶体管vb和所述第三晶体管vc关断的情况下，功率电流流过所述第三电流互感器t3的原边，在所述第三电流互感器t3的副边形成从上端vcsda流向下端vcs的感应电流，所述第四晶体管vd的驱动信号vgd通过所述驱动芯片形成驱动信号outa以驱动所述第一同步采样晶体管ve1导通，形成从所述第一同步采样晶体管ve1的下端agnd至上端vcsda、所述第三电流互感器t3的副边的下端vcs流动的感应电流，并在第三电阻r3上形成采样电压vcs。
4、优选地，在所述第二晶体管vb和所述第三晶体管vc导通而所述第一晶体管va和所述第四晶体管vd关断的情况下，功率电流流过所述第二电流互感器t2的原边，在所述第二电流互感器t2的副边形成从上端vcsdb流向下端vcs的感应电流，所述第二晶体管vb的驱动信号vgb通过所述驱动芯片形成驱动信号outb以驱动所述第二同步采样晶体管ve2导通，形成从所述第二同步采样晶体管ve2的下端agnd至上端vcsdb、所述第二电流互感器t2的副边的下端vcs流动的感应电流，并在第三电阻r3上形成采样电压vcs。
5、优选地，第一同步采样晶体管ve1和第二同步采样晶体管ve2为金属氧化物半导体场效应晶体管mosfet。
6、优选地，所述第一晶体管va、所述第二晶体管vb、所述第三晶体管vc和所述第四晶体管vd为金属氧化物半导体场效应晶体管mosfet。
7、通过上述技术方案，可以使用同步采样方式进行低边电流采样，电流互感器的数量为两个，每个电流互感器电流应力为原来的1/2，可以使用更小的互感器；同时不需要二极管防反，不会有电压压降，限流点更准确。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种全桥同步电流采样装置，其特征在于，该装置包括全桥电路、输入电容单元、互感器单元、电阻单元、驱动芯片和同步采样单元，所述全桥电路包括第一晶体管VA、第二晶体管VB、第三晶体管VC、第四晶体管VD和第一电流互感器T1A，所述第一晶体管VA和所述第二晶体管VB串联，所述第三晶体管VC和所述第四晶体管VD串联，所述第一电流互感器T1A的一端设置在所述第一晶体管VA和所述第二晶体管VB之间，另一端设置在所述第三晶体管VC和所述第四晶体管VD之间，所述输入电容包括第一电容C1和第二电容C2，所述第一电容C1和所述第二电容C2并联设置在电源输入端Vin和电源输入端PGND之间，所述互感器单元包括第二电流互感器T2和第三电流互感器T3，所述第二电流互感器T2与所述第二晶体管VB连接，所述第三电流互感器T3与所述第四晶体管VD连接，所述电阻单元包括第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3，所述第三电阻R3与所述第二电流互感器T2和所述第三电流互感器T3连接，所述驱动芯片与所述全桥电路连接，所述同步采样单元与所述驱动芯片连接，所述同步采样单元包括第一同步采样晶体管VE1和第二同步采样晶体管V
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在所述第一晶体管VA和所述第四晶体管VD导通而所述第二晶体管VB和所述第三晶体管VC关断的情况下，功率电流流过所述第三电流互感器T3的原边，在所述第三电流互感器T3的副边形成从上端VcsdA流向下端Vcs的感应电流，所述第四晶体管VD的驱动信号Vgd通过所述驱动芯片形成驱动信号OUTA以驱动所述第一同步采样晶体管VE1导通，形成从所述第一同步采样晶体管VE1的下端AGND至上端VcsdA、所述第三电流互感器T3的副边的下端Vcs流动的感应电流，并在第三电阻R3上形成采样电压Vcs。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，在所述第二晶体管VB和所述第三晶体管VC导通而所述第一晶体管VA和所述第四晶体管VD关断的情况下，功率电流流过所述第二电流互感器T2的原边，在所述第二电流互感器T2的副边形成从上端VcsdB流向下端Vcs的感应电流，所述第二晶体管VB的驱动信号Vgb通过所述驱动芯片形成驱动信号OUTB以驱动所述第二同步采样晶体管VE2导通，形成从所述第二同步采样晶体管VE2的下端AGND至上端VcsdB、所述第二电流互感器T2的副边的下端Vcs流动的感应电流，并在第三电阻R3上形成采样电压Vcs。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，第一同步采样晶体管VE1和第二同步采样晶体管VE2为金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一晶体管VA、所述第二晶体管VB、所述第三晶体管VC和所述第四晶体管VD为金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。
...【技术特征摘要】
1.一种全桥同步电流采样装置，其特征在于，该装置包括全桥电路、输入电容单元、互感器单元、电阻单元、驱动芯片和同步采样单元，所述全桥电路包括第一晶体管va、第二晶体管vb、第三晶体管vc、第四晶体管vd和第一电流互感器t1a，所述第一晶体管va和所述第二晶体管vb串联，所述第三晶体管vc和所述第四晶体管vd串联，所述第一电流互感器t1a的一端设置在所述第一晶体管va和所述第二晶体管vb之间，另一端设置在所述第三晶体管vc和所述第四晶体管vd之间，所述输入电容包括第一电容c1和第二电容c2，所述第一电容c1和所述第二电容c2并联设置在电源输入端vin和电源输入端pgnd之间，所述互感器单元包括第二电流互感器t2和第三电流互感器t3，所述第二电流互感器t2与所述第二晶体管vb连接，所述第三电流互感器t3与所述第四晶体管vd连接，所述电阻单元包括第一电阻r1、第二电阻r2和第三电阻r3，所述第三电阻r3与所述第二电流互感器t2和所述第三电流互感器t3连接，所述驱动芯片与所述全桥电路连接，所述同步采样单元与所述驱动芯片连接，所述同步采样单元包括第一同步采样晶体管ve1和第二同步采样晶体管ve2，所述第一电阻r1与所述第一同步采样晶体管ve1并联，所述第二电阻r2与第二同步采样晶体管ve2。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在所述第一晶体管va和所述第四晶体管vd导通而所述第二晶体管vb和所述第三晶体管vc关断的情况下，功率...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈睿，赵振江，靳本豪，刘金路，
申请(专利权)人：航天科工惯性技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。