【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储，特别涉及一种存储器件。
技术介绍
1、存储器件广泛用于各种电子设备。nand flash是存储器件中的一种，具有存储密度高、功耗低、寿命长、可靠性高等特点。相关技术中，在封装存储器件的时候，通常是将主控芯片与存储介质芯片(通常由外围电路和存储阵列集成得到)通过wire-bond或者flipchip等技术进行连接。而这样的连接方式需要通过金线或铜线等来连接两颗芯片，会导致数据的传输速度受到一定的限制，且两颗芯片以及金属线所占据的空间较大，不利于存储器件的小型化。
技术实现思路
1、本申请的主要目的是提出一种存储器件，旨在解决相关技术中存储器件的传输速度较低，且存储器件较大的问题。
2、为实现上述目的，本申请提出的存储器件，包括主控、外围电路以及存储阵列，所述外围电路为nand的cmos外围电路，所述主控、所述外围电路以及所述存储阵列共同集成在同一颗芯片内，所述主控与所述外围电路电连接，且所述主控与所述外围电路位于同一层，所述存储阵列与所述外围电路电连接，且所述存储阵列不与所述外围电路以及所述主控位于同一层。
3、可选地，所述外围电路与所述主控平行设置。
4、可选地，所述主控设置在所述外围电路上。
5、可选地，所述主控与所述外围电路通过metal层连接。
6、可选地，所述主控与所述外围电路通过rdl连接。
7、可选地，所述主控包括主控i/o，所述外围电路包括外围电路i/o，所述主控通过所述主控i/o
8、可选地，所述存储阵列设置在所述外围电路的正上方。
9、可选地，所述主控包括输入接口以及输出接口。
10、本申请技术方案中，存储器件包括主控、外围电路以及存储阵列，通过将主控、外围电路以及存储阵列共同集成在同一颗芯片内，并通过将主控与外围电路电连接，且主控与外围电路位于同一层，通过存储阵列与外围电路电连接，且存储阵列不与外围电路以及主控位于同一层。相较于现有技术，不需要将主控单独集成为一颗芯片，也不需要将外围电路以及存储阵列再单独集成为一颗芯片，而是将主控、外围电路以及存储阵列通过芯片设计，共同集成为一颗芯片，因此缩小了主控、外围电路以及存储阵列所占用的面积，同时不需要利用金属线来进行连接，因此可以提高存储器件的传输速度，并减少存储器件所占用的空间，有利于存储器件的小型化。
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1.一种存储器件，其特征在于，包括主控、外围电路以及存储阵列，所述外围电路为NAND的CMOS外围电路，所述主控、所述外围电路以及所述存储阵列共同集成在同一颗芯片内，所述主控与所述外围电路电连接，且所述主控与所述外围电路位于同一层，所述存储阵列与所述外围电路电连接，且所述存储阵列不与所述外围电路以及所述主控位于同一层。
2.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述外围电路与所述主控平行设置。
3.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述主控设置在所述外围电路上。
4.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述主控与所述外围电路通过metal层连接。
5.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述主控与所述外围电路通过RDL连接。
6.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述主控包括主控I/O，所述外围电路包括外围电路I/O，所述主控通过所述主控I/O，与所述外围电路的所述外围电路I/O直接连接。
7.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储阵列设置在所述外围电路的正上方。
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【技术特征摘要】
1.一种存储器件，其特征在于，包括主控、外围电路以及存储阵列，所述外围电路为nand的cmos外围电路，所述主控、所述外围电路以及所述存储阵列共同集成在同一颗芯片内，所述主控与所述外围电路电连接，且所述主控与所述外围电路位于同一层，所述存储阵列与所述外围电路电连接，且所述存储阵列不与所述外围电路以及所述主控位于同一层。
2.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述外围电路与所述主控平行设置。
3.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述主控设置在所述外围电路上。
4.如权利要求1所述的存...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹志忠，吴大畏，李晓强，
申请(专利权)人：深圳市硅格半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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