【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是一种提高重掺硼直拉硅单晶滑移线的清晰度的检测方法。
技术介绍
1、直拉法是生长硅、锗以及化合物半导体等材料最普遍的生长方法。直拉法较其他方法具有更高的生长效率、更大的直径尺寸上限、更直观的生长过程观测、更可控的工艺条件，是产业化生产较为理想的单晶生长方式。
2、但是，重掺硅单晶由于掺入了大量的杂质，在单晶生长的过程中，过多的杂质会影响到单晶的生长界面的平坦性，极易诱发位错，使得单晶表面因位错出现大量滑移线，从而影响硅片的性能。目前可以通过切掉单晶硅棒中存在滑移线的部分，来消除滑移线对硅片的影响。而通过准确的检测出清晰的单晶硅棒的滑移线，可以确定单晶硅棒的截断位置，从而有效的减少因滑移线显示太淡被忽略使得硅棒有滑移线的部分被少切导致的客户投诉问题，以及因滑移线显示模糊而不确定滑移线的具体位置使得硅棒被多切导致公司利益受损的问题。因此，专利技术一种可以提高重掺硼直拉硅单晶的滑移线的清晰度的检测方法非常重要。
技术实现思路
1、本专利技术主要目的在于提供一种提高重掺硼直拉硅单晶滑移线的清晰度的检测方法，以解决现有技术中重掺硼直拉硅单晶的滑移线显示不清晰的问题。
2、一种提高重掺硼直拉硅单晶滑移线的清晰度的检测方法，包括如下步骤：
3、步骤一：将硅片放在腐蚀花篮中，对硅片进行化学抛光3-5分钟，抛光完成后用纯水溢流5-10分钟；
4、步骤二：配置1-2%的铬酸与49%的氢氟酸以体积比10:3进行混合得到腐蚀液，将配
5、步骤三：将溢流后的硅片放入氨水溶液中清洗3-5分钟，以清洗掉硅片表面残留的腐蚀液，清洗完成后用纯水溢流3-5分钟；
6、步骤四：取出溢流完成后的硅片在白炽灯下观察滑移线的情况。
7、优选地，所述腐蚀花篮为pvdf材质。
8、优选地，在步骤一中，将硅片竖直放置在腐蚀花篮中，以利于抛光过程中的气泡流动，确保抛光效果。
9、优选地，在步骤二中，将配置好的腐蚀液放入28℃-32℃的恒温水域中加热30分钟。
10、优选地，在步骤三中，将溢流后的硅片放入22%-25%的氨水溶液中清洗。
11、优选地，在步骤四之前，将溢流完成后的硅片风干。
12、上述提高重掺硼直拉硅单晶滑移线的清晰度的检测方法中，先将硅片放在腐蚀花篮中进行化学抛光3-5分钟，抛光完成后用纯水溢流5-10分钟，然后配置1-2%的铬酸与49%的氢氟酸以体积比10:3进行混合得到腐蚀液，将配置好的腐蚀液放入恒温水域中加热，以使腐蚀液中的分子间的活动更活跃，接着将抛光后的硅片放入加热后的腐蚀液中腐蚀60分钟，腐蚀完成后用纯水溢流10分钟，将溢流后的硅片放入氨水溶液中清洗3-5分钟，清洗完成后用纯水溢流3-5分钟，取出溢流完成后的硅片在白炽灯下观察滑移线的情况。上述检测方法通过配置铬酸和氢氟酸混合而成的腐蚀液，利用铬酸将硅片表面氧化，利用氢氟酸将表面的氧化产物溶解去除，由于滑移线处与完整晶体处的晶格完整性不同，使滑移线处的界面与完整晶体处的界面产生表面势，从而导致滑移线处的腐蚀速度快于完整晶体处的腐蚀速度，在一定腐蚀时间后，滑移线处比完整晶体处先一步被腐蚀掉，由此可以显示出清晰的滑移线。
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1.一种提高重掺硼直拉硅单晶滑移线的清晰度的检测方法，其特征在于，包含如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的提高重掺硼直拉硅单晶滑移线的清晰度的检测方法，其特征在于，所述腐蚀花篮为PVDF材质。
3.根据权利要求1所述的提高重掺硼直拉硅单晶滑移线的清晰度的检测方法，其特征在于，在步骤一中，将硅片竖直放置在腐蚀花篮中，以利于抛光过程中的气泡流动，确保抛光效果。
4.根据权利要求1所述的提高重掺硼直拉硅单晶滑移线的清晰度的检测方法，其特征在于，在步骤二中，将配置好的腐蚀液放入28℃-32℃的恒温水域中加热30分钟。
5.根据权利要求1所述的提高重掺硼直拉硅单晶滑移线的清晰度的检测方法，其特征在于，在步骤三中，将溢流后的硅片放入22%-25%的氨水溶液中清洗。
6.根据权利要求1所述的提高重掺硼直拉硅单晶滑移线的清晰度的检测方法，其特征在于，在步骤四之前，还包括步骤：将溢流完成后的硅片风干。
【技术特征摘要】
1.一种提高重掺硼直拉硅单晶滑移线的清晰度的检测方法，其特征在于，包含如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的提高重掺硼直拉硅单晶滑移线的清晰度的检测方法，其特征在于，所述腐蚀花篮为pvdf材质。
3.根据权利要求1所述的提高重掺硼直拉硅单晶滑移线的清晰度的检测方法，其特征在于，在步骤一中，将硅片竖直放置在腐蚀花篮中，以利于抛光过程中的气泡流动，确保抛光效果。
4.根据权利要求1所述的提高重...
【专利技术属性】
技术研发人员：王浩，丁亚国，吴悦，吴彦飞，柳彦龙，
申请(专利权)人：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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