【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、电容结构是半导体芯片中的重要结构，其通常包括依次层叠设置的第一电容电极、电容介质层、第二电容电极。
2、传统技术中，在进行电容结构的制程时，进行图形化处理而形成第二电容电极的刻蚀过程中，电容介质层也会受到刻蚀作用影响，甚至会被刻蚀开。此时，电容介质层边缘侧面处容易形成漏电通道，从而影响电容性能。
技术实现思路
1、基于此，本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法。本申请实施例可以有效防止电容介质层边缘漏电。
2、一种半导体结构，包括：
3、基底；
4、电容结构，包括：
5、第一电容电极，位于所述基底上；
6、电容介质层，位于所述第一电容电极上；
7、第二电容电极，位于所述电容介质层上，且在垂直于所述基底的方向上，所述第二电容电极的边缘与所述第一电容电极之间的距离，大于所述第二电容电极的中央与所述第一电容电极之间的距离。
8、在其中一个实施例中，
9、所述半导体结构还包括增高介质层，所述增高介质层位于所述第一电容电极上，且其内具有开槽，所述开槽暴露所述第一电容电极；
10、所述电容介质层位于所述开槽底部的所述第一电容电极表面以及所述开槽侧壁的所述增高介质层表面；
11、所述第二电容电极位于所述电容介质层表面。
12、在其中一个实施例中，所述电容介质层以及所述第二电容电极
13、在其中一个实施例中，
14、所述电容介质层以及所述第二电容电极在所述基底上的正投影位于所述第一电容电极在所述基底上的正投影内部。
15、在其中一个实施例中，所述半导体结构还包括层间介质层以及测试电极层，
16、所述层间介质层位于所述电容结构与所述测试电极层之间，且具有第一互连孔以及第二互连孔，所述第一互连孔暴露所述第一电容电极，所述第二互连孔暴露所述第二电容电极；
17、所述测试电极层包括第一电极图形以及第二电极图形，所述第一电极图形通过所述第一互连孔电连接所述第一电容电极，所述第二电极图形通过所述第二互连孔电连接所述第二电容电极。
18、在其中一个实施例中，所述半导体结构还包括第一电极图形以及第二电极图形，所述第一电极图形与所述第一电容电极同层设置，所述第二电极图形与所述第二电容电极同层设置。
19、在其中一个实施例中，所述半导体结构还包括增高介质层，所述增高介质层位于所述电容介质层上，且其内具有开槽，所述开槽暴露所述电容介质层；
20、所述第二电容电极位于所述开槽底部的所述电容介质层表面以及所述开槽侧壁的所述增高介质层表面。
21、在其中一个实施例中，所述半导体结构还包括隔离介质层，所述隔离介质层位于所述基底表面，所述第一电容电极位于所述隔离介质层表面。
22、在其中一个实施例中，所述隔离介质层包括：
23、隔离层，位于所述基底表面；
24、第二介质层，位于所述隔离层表面；
25、所述第一电容电极位于所述第二介质层表面。
26、在其中一个实施例中，所述半导体结构还包括至少两层所述隔离介质层，位于顶层的所述隔离介质层内形成电容孔，所述电容结构的所述隔离介质层上表面延伸至所述电容孔内，且所述电容结构的两端位于所述所述隔离介质层上表面。
27、在其中一个实施例中，所述电容介质层包括高介电常数介质层。
28、一种半导体结构的制备方法，包括：
29、提供基底；
30、于所述基底上形成电容结构，所述电容结构包括第一电容电极、电容介质层以及第二电容电极，所述第一电容电极形成于所述基底上，所述电容介质层形成于所述第一电容电极上，所述第二电容电极形成于所述电容介质层上，且在垂直于所述基底的方向上，所述第二电容电极的边缘与所述第一电容电极之间的距离，大于所述第二电容电极的中央与所述第一电容电极之间的距离。
31、在其中一个实施例中，所述于所述基底上形成电容结构，包括：
32、于所述基底上形成第一电极材料层；
33、于所述第一电极材料层表面形成增高介质材料层；
34、对所述增高介质材料层进行图形化处理，以形成内部具有开槽的增高介质中间层，所述开槽暴露所述第一电极材料层；
35、于所述开槽底部的所述第一电极材料层表面以及所述开槽侧壁的所述增高介质中间层表面形成所述电容介质层，且于所述电容介质层表面形成所述第二电容电极；
36、对所述增高介质中间层以及所述第一电极材料层进行图形化处理，以形成增高介质层以及所述第一电容电极。
37、在其中一个实施例中，所述于所述开槽底部的所述第一电容电极表面以及所述开槽侧壁的所述增高介质中间层表面形成所述电容介质层，且于所述电容介质层表面形成所述第二电容电极，包括：
38、于所述开槽底部的所述第一电极材料层表面、所述开槽侧壁的所述增高介质中间层表面以及所述增高介质中间层的上表面形成电介质材料层；
39、于所述电介质材料层表面形成第二电极材料层；
40、于所述第二电极材料层上形成第一图形化光阻；
41、基于所述第一图形化光阻，刻蚀所述第二电极材料层以及所述电介质材料层，以形成所述第二电容电极以及所述电容介质层。
42、在其中一个实施例中，所述第一图形化光阻在所述基底上的正投影覆盖所述开槽在所述基底上的正投影。
43、在其中一个实施例中，
44、所述对所述增高介质中间层以及所述第一电极材料层进行图形化处理，以形成增高介质层以及所述第一电容电极，包括：
45、去除所述第一图形化光阻；
46、形成覆盖所述第二电容电极以及所述电容介质层的第二图形化光阻；
47、基于所述第二图形化光阻，刻蚀所述增高介质中间层以及所述第一电极材料层，以形成增高介质层以及所述第一电容电极；
48、去除所述第二图形化光阻。
49、在其中一个实施例中，所述形成电容结构之后，还包括：
50、于所述电容结构上形成层间介质层，所述层间介质层内具有第一互连孔以及第二互连孔，所述第一互连孔暴露所述第一电容电极，所述第二互连孔暴露所述第二电容电极；
51、于所述层间介质层上形成测试电极层，所述测试电极层包括第一电极图形以及第二电极图形，所述第一电极图形通过所述第一互连孔电连接所述第一电容电极，所述第二电极图形通过所述第二互连孔电连接所述第二电容电极。
52、在其中一个实施例中，所述于所述电容结构上形成层间介质层，包括：
53、于所述电容结构上形成填充介质层；
54、于所述填充介质层上形成第一介质层；
55、于所述第本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述电容介质层以及所述第二电容电极由所述开槽内延伸至所述增高介质层的上表面。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括层间介质层以及测试电极层，
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第一电极图形以及第二电极图形，所述第一电极图形与所述第一电容电极同层设置，所述第二电极图形与所述第二电容电极同层设置。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括增高介质层，所述增高介质层位于所述电容介质层上，且其内具有开槽，所述开槽暴露所述电容介质层；
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括隔离介质层，所述隔离介质层位于所述基底表面，所述第一电容电极位于所述隔离介质层表面。
9.根据权利要求8所述的半导体结
10.根据权利要求8或9所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括至少两层所述隔离介质层，位于顶层的所述隔离介质层内具有电容孔，所述电容结构由所述隔离介质层上表面延伸至所述电容孔内，且所述电容结构的两端位于所述所述隔离介质层上表面。
11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容介质层包括高介电常数介质层。
12.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述基底上形成电容结构，包括：
14.根据权利要求13所述半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述开槽底部的所述第一电容电极表面以及所述开槽侧壁的所述增高介质中间层表面形成所述电容介质层，且于所述电容介质层表面形成所述第二电容电极，包括：
15.根据权利要求14所述半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一图形化光阻在所述基底上的正投影覆盖所述开槽在所述基底上的正投影。
16.根据权利要求14所述半导体结构的制备方法，其特征在于，
17.根据权利要求16所述半导体结构的制备方法，其特征在于，所述形成电容结构之后，还包括：
18.根据权利要求17所述半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述电容结构上形成层间介质层，包括：
19.根据权利要求16所述半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第二电容电极的同时，还形成第二电极图形，形成所述第一电容电极的同时，还形成第一电极图形。
20.根据权利要求12所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，
21.根据权利要求20所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，
22.根据权利要求12所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述电容介质层包括高介电常数介质层。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述电容介质层以及所述第二电容电极由所述开槽内延伸至所述增高介质层的上表面。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括层间介质层以及测试电极层，
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第一电极图形以及第二电极图形，所述第一电极图形与所述第一电容电极同层设置，所述第二电极图形与所述第二电容电极同层设置。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括增高介质层，所述增高介质层位于所述电容介质层上，且其内具有开槽，所述开槽暴露所述电容介质层；
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括隔离介质层，所述隔离介质层位于所述基底表面，所述第一电容电极位于所述隔离介质层表面。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离介质层包括：
10.根据权利要求8或9所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括至少两层所述隔离介质层，位于顶层的所述隔离介质层内具有电容孔，所述电容结构由所述隔离介质层上表面延伸至所述电容孔内，且所述电容结构的两端位于所述所述隔离介质层上表面。
11.根据权利要求1所述的半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭帅，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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