【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种晶体振荡器，且特别是有关于一种具有改善的温度稳定性的晶体振荡器与振荡装置。
技术介绍
1、恒温晶体振荡器(oven controlled crystal oscillator，ocxo)在同步网络应用中占有重要的作用。而且随着5g网络建设的发展，ocxo的应用环境也从室内向室外转移。
2、然而，越来越恶劣的应用环境会对产品的稳定性带来更大的挑战。其中，对恒温槽稳定性的影响更为显著，导致应用面受限。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种晶体振荡器，采用低导热胶(low-thermal conductivity glue)以减少散热，因此当环境温度发生变化时，产品仍能保持较高的稳定性。
2、本专利技术另提供一种振荡装置，具有上述晶体振荡器。
3、本专利技术的晶体振荡器包括谐振器、低导热胶、集成电路晶片和加热组件。在所述谐振器中有石英晶体被气密封装。所述低导热胶包覆所述谐振器以抑制所述谐振器内的温度变化。所述集成电路晶片设置于所述谐振器下方，而所述加热组件用以对所述谐振器供热。
4、在本专利技术的一实施例中，上述低导热胶还包覆所述加热组件。
5、在本专利技术的一实施例中，上述谐振器包括壳体部、位于所述壳体部上的盖部以及位于所述壳体部与所述盖部形成的容置空间内的上述石英晶体。
6、在本专利技术的一实施例中，上述加热组件可设置于上述容置空间内
7、在本专利技术的一实施例中，上述加热组件可设置
8、在本专利技术的一实施例中，上述晶体振荡器还可包括载体，用以安装所述集成电路晶片。
9、在本专利技术的一实施例中，上述加热组件可设置于上述载体朝向谐振器的表面上。
10、在本专利技术的一实施例中，上述晶体振荡器还可包括支架，其两面分别具有第一空腔及第二空腔。上述谐振器设置于所述第一空腔内，上述集成电路晶片设置于所述第二空腔内。
11、在本专利技术的一实施例中，上述加热组件可设置在谐振器和集成电路晶片之间的所述支架内。
12、在本专利技术的一实施例中，上述加热组件形成在上述集成电路晶片上。
13、在本专利技术的一实施例中，上述集成电路晶片用以控制所述加热组件。
14、在本专利技术的一实施例中，上述晶体振荡器还可包括温度传感器，形成在所述集成电路晶片上，以检测所述谐振器的温度。
15、本专利技术的振荡装置包括基板、设置于所述基板上的盖体、设置于基板与盖体所形成的内部空间中的上述晶体振荡器。
16、在本专利技术的另一实施例中，上述盖体包括金属罩。
17、在本专利技术的另一实施例中，上述基板包括印刷电路(pcb)板。
18、基于上述，由于采用低导热胶包覆谐振器，故可抑制谐振器的温度变化。因此，谐振器与周围环境之间的热阻(thermal resistance，tr)可增加。此外，加热组件也可以被低导热胶包覆，从而可以将谐振器与加热组件之间的tr降到最低。由于谐振腔内的温度变化相对稳定，所以可以降低功率损耗，并且在用低导热胶包覆加热组件的情况下，集成电路晶片的温度也可降低。
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1.一种晶体振荡器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，所述低导热胶还包覆所述加热组件。
3.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，所述谐振器包括壳体部、位于所述壳体部上的盖部以及位于所述壳体部与所述盖部形成的容置空间内的所述石英晶体。
4.根据权利要求3所述的晶体振荡器，其特征在于，所述加热组件设置于所述容置空间内。
5.根据权利要求3所述的晶体振荡器，其特征在于，所述加热组件设置于所述壳体部相对于所述容置空间的表面上。
6.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，还包括载体，用以安装所述集成电路晶片。
7.根据权利要求6所述的晶体振荡器，其特征在于，所述加热组件设置于所述载体朝向所述谐振器的表面上。
8.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，所述加热组件形成在所述集成电路晶片上。
9.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求9所述的晶体振荡器，其特征在于，所述加热组件设置在所述谐振器和所述集
11.根据权利要求9所述的晶体振荡器，其特征在于，所述加热组件形成在所述集成电路晶片上。
12.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，所述集成电路晶片用以控制所述加热组件。
13.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，还包括温度传感器，形成在所述集成电路晶片上，以检测所述谐振器的温度。
14.一种振荡装置，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的振荡装置，其特征在于，所述盖体包括金属罩。
16.根据权利要求14所述的振荡装置，其特征在于，所述基板包括印刷电路板。
...【技术特征摘要】
1.一种晶体振荡器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，所述低导热胶还包覆所述加热组件。
3.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，所述谐振器包括壳体部、位于所述壳体部上的盖部以及位于所述壳体部与所述盖部形成的容置空间内的所述石英晶体。
4.根据权利要求3所述的晶体振荡器，其特征在于，所述加热组件设置于所述容置空间内。
5.根据权利要求3所述的晶体振荡器，其特征在于，所述加热组件设置于所述壳体部相对于所述容置空间的表面上。
6.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，还包括载体，用以安装所述集成电路晶片。
7.根据权利要求6所述的晶体振荡器，其特征在于，所述加热组件设置于所述载体朝向所述谐振器的表面上。
8.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，所述加...
【专利技术属性】
技术研发人员：许尔硕，谢万霖，
申请(专利权)人：台湾晶技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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