【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示设备，尤其涉及一种发光二极管模组及其制备方法、发光元件的转移方法、显示面板、显示装置。
技术介绍
1、微型发光二极管(micro light emitting diode，micro-led)技术，即led微缩化和矩阵化技术，具有良好的稳定性，寿命，以及运行温度上的优势，同时也继承了led低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点，微型发光二极管的亮度更高，且功率消耗量更低，使得微型发光二极管具有极大地应用前景。
2、但是目前应用微型发光二极管的显示装置仍存在有制备良品率较低等问题，有待于进一步改进。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置，能够提高显示面板的适用性。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种发光二极管模组，发光二极管模组包括第一基底、牺牲保护层以及多个发光元件，第一基底具有间隔排布的多个第一区以及位于相邻第一区之间的第二区。牺牲保护层位于第一基底的一侧，牺牲保护层至少部分位于第二区内。多个发光元件设置在多个第一区内，且与牺牲保护层位于第一基底的同一侧。
3、第二方面，本申请实施例提供了一种发光二极管模组的制备方法，包括：
4、在第一基底一侧形成牺牲保护材料层，第一基底具有间隔排布的第一区以及位于相邻第一区之间的第二区，牺牲保护材料层至少部分位于第二区内；
5、在第一基底一侧形成磊晶结构，磊晶结构覆盖第一区和第二区；
6、对磊晶结构图案化处理，以在第一区内形成发
7、第三方面，本申请实施例提供了一种发光元件的转移方法，包括：
8、提供前述任一实施方式中的发光二极管模组；
9、利用激光将发光元件与牺牲保护层同时与第一基底分离，并使发光元件与牺牲保护层一同转移至目标基板中；
10、去除牺牲保护层中对应于相邻发光元件之间的至少部分结构。
11、第四方面，本申请实施例提供了一种显示面板，显示面板包括发光元件，发光元件采用如前述任一实施方式中的转移方法转移形成
12、第五方面，本申请实施例提供了一种显示装置，显示装置包括前述任一实施方式中的显示面板。
13、本申请实施例提供一种发光二极管模组及其制备方法、发光元件的转移方法、显示面板、显示装置，通过在发光二极管模组内增设有牺牲保护层，并使得牺牲保护层至少部分位于第二区内，使得第一基底在第一区和第二区的同一侧均会设有膜层结构，从而不会在第一区和第二区交界位置处形成直角或类似直角的结构，以此有助于降低产生碎屑的风险，提高后续发光元件转移过程所对应的转移精度，提高最终形成的显示装置的制备良率。
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1.一种发光二极管模组，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管模组，其特征在于，所述牺牲保护层包括位于所述第二区内的牺牲部以及位于所述第一区内的缓冲部，所述发光元件位于所述缓冲部背离所述第一基底的一侧。
3.根据权利要求2所述的发光二极管模组，其特征在于，所述牺牲部与所述缓冲部呈一体结构。
4.根据权利要求2所述的发光二极管模组，其特征在于，在所述第一基底的厚度方向上，所述牺牲部的尺寸小于所述缓冲部的尺寸。
5.根据权利要求4所述的发光二极管模组，其特征在于，所述牺牲部朝向所述第一基底的表面与所述缓冲部朝向所述第一基底的表面共面设置。
6.根据权利要求2所述的发光二极管模组，其特征在于，所述牺牲部背离所述第一基底的表面平行于所述第一基底所在平面。
7.根据权利要求1所述的发光二极管模组，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层包括覆盖所述发光元件部分结构的第一部分，以及连接于所述第一部分且位于所述第二区内的第二部分，所述牺牲保护层至少部分位于所述第一基底与所述第二部分之间。
8.根据权
9.根据权利要求7所述的发光二极管模组，其特征在于，所述牺牲保护层在所述第二区内的至少部分结构的材料，与所述第二部分的材料不同。
10.一种发光二极管模组的制备方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述在第一基底一侧形成牺牲保护材料层中，所述牺牲保护材料层包括位于所述第一区内的缓冲部以及位于所述第二区内的初态牺牲部。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述对所述磊晶结构图案化处理中，包括：
13.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，还包括：
14.一种发光元件的转移方法，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的转移方法，其特征在于，所述发光元件模组中的所述牺牲保护层包括位于所述第二区内的牺牲部以及位于所述第一区内的缓冲部，
16.根据权利要求14所述的转移方法，其特征在于，在所述发光二极管模组中，所述牺牲保护层包括位于所述第二区内的牺牲部，所述发光二极管模组还包括绝缘层，所述绝缘层包括覆盖位于所述牺牲部背离所述第一基底一侧的第二部分；
17.根据权利要求16所述的转移方法，其特征在于，还包括：
18.根据权利要求16所述的转移方法，其特征在于，所述牺牲部与所述第二部分包括不同材料；
19.根据权利要求16所述的转移方法，其特征在于，所述目标基板包括第二基底以及位于第二基底朝向所述发光元件一侧的粘接层，所述粘接层与所述牺牲部包括不同材料；
20.根据权利要求16所述的转移方法，其特征在于，所述目标基板包括第二基底以及位于第二基底朝向所述发光元件一侧的粘接层；
21.一种显示面板，其特征在于，包括发光元件，所述发光元件采用如权利要求14至20任一项所述的转移方法转移形成。
22.根据权利要求21所述的显示面板，其特征在于，包括与所述发光元件贴合设置的缓冲部，在所述显示面板的厚度方向上，所述缓冲部的厚度为H3，H3满足：0.2μm≤H3≤1.8μm。
23.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求21或22所述的显示面板。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管模组，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管模组，其特征在于，所述牺牲保护层包括位于所述第二区内的牺牲部以及位于所述第一区内的缓冲部，所述发光元件位于所述缓冲部背离所述第一基底的一侧。
3.根据权利要求2所述的发光二极管模组，其特征在于，所述牺牲部与所述缓冲部呈一体结构。
4.根据权利要求2所述的发光二极管模组，其特征在于，在所述第一基底的厚度方向上，所述牺牲部的尺寸小于所述缓冲部的尺寸。
5.根据权利要求4所述的发光二极管模组，其特征在于，所述牺牲部朝向所述第一基底的表面与所述缓冲部朝向所述第一基底的表面共面设置。
6.根据权利要求2所述的发光二极管模组，其特征在于，所述牺牲部背离所述第一基底的表面平行于所述第一基底所在平面。
7.根据权利要求1所述的发光二极管模组，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层包括覆盖所述发光元件部分结构的第一部分，以及连接于所述第一部分且位于所述第二区内的第二部分，所述牺牲保护层至少部分位于所述第一基底与所述第二部分之间。
8.根据权利要求7所述的发光二极管模组，其特征在于，所述牺牲保护层在所述第二区内的至少部分结构的厚度为h1，所述第二部分的厚度为h2，其中，h1和h2满足：1/6≤h1/h2≤1/4。
9.根据权利要求7所述的发光二极管模组，其特征在于，所述牺牲保护层在所述第二区内的至少部分结构的材料，与所述第二部分的材料不同。
10.一种发光二极管模组的制备方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述在第一基底一侧形成牺牲保护材料层中，所述牺牲保护材料层包括位于所述第一区内的缓冲部以及...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭静涛，张灿源，顾强，周波，
申请(专利权)人：天马新型显示技术研究院厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：
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