【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及透明导电基材和用于在透明导电基材的两面上同时形成导电图案的双面方法。
技术介绍
1、众所周知，光敏组合物被用于生产印刷电路、形成光刻印刷板和打样应用中。无论各种应用，光敏组合物的主要功能是形成抗蚀剂图案。由负型光敏组合物形成抗蚀剂图案的一般工艺之一通常包括：i)将光敏组合物施加到基材上，ii)成像式曝光于活性光线，以及iii)显影以形成抗蚀剂图案。在蚀刻或镀覆以形成导电图案后，通常将固化的抗蚀剂图案从经加工的基材剥离。为了提高生产效率，可以通过双面光刻方法在非透明基材的每个面上同时形成两种独特的抗蚀剂图案。双面光刻方法包括在基材的每个面上依次或同时形成抗蚀剂层，然后进行成像式曝光、显影、蚀刻或剥离，并且同时进行剥离。
2、最近，触摸面板(即附接有触摸传感器的显示设备)已广泛应用于各种电子设备，如移动电话、个人数字助理(pda)、导航设备等。已知的触摸传感器可以分为电阻型或电容型。特别地，电容式触摸传感器可以接收多点触摸并且广泛应用于如便携式设备的用途。电容式触摸传感器的基础技术基于静电场，该静电场是由单独蚀刻导电材料层形成x-y导电网格而产生的。
3、对于触摸面板应用，触摸传感器要求在透明芯的两面上精确对准具有不同图案的电路，并且可以通过光刻方法依次形成电路图案。然而，考虑到基材和某些透明导体材料(如氧化铟锡(ito))的光学透明性质，双面光刻方法是不适用的。因为用于曝光透明芯和/或透明导电层的一面上的抗蚀剂的活性光线也将不可避免地曝光透明芯的相反面上的光致抗蚀剂。结果，在透明芯的两个表面上
4、h.kobayashi在us20110151215 a1中公开了一种用于通过采用含有紫外光吸收剂的透明芯、或在两个吸收紫外光的透明芯之间施加粘合剂层来制造透明导电层压体的方法。该方法的缺点包括改变由此制成的透明导电层压体的透明度和厚度以及其他特性，如机械强度、耐化学性和导电性。
5、r.petcavich等人在us20210318769 a1中也公开了一种用于在透明芯的两面上形成电路的方法。该用于制造触摸传感器的方法包括：将uv吸收层施加到透明芯的一面上；然后将第一光致抗蚀剂层施加在一面上的uv吸收层上，并且将第二光致抗蚀剂层直接施加在透明芯的相反面上；使用uv辐照对两个光致抗蚀剂层进行光图案化；以及在透明芯的两面上形成导电电路。该方法的一个明显缺点是通过添加uv吸收层(即10至15微米)，由此制成的触摸传感器将具有增加的总厚度。更不用说这些触摸传感器可能具有可见度降低的问题。
6、本专利技术通过提供光敏组合物和由其制成的干膜来解决上述问题，所述干膜具有优异的光敏感性可调性并且可以通过同时曝光于不同光线来光固化。因此，双面光刻方法变得适用于制造透明导电层压体而无需向所得层压体中引入额外的层或光阻挡/吸收材料。此外，导电基材的透明度、机械强度、耐化学性和导电性保持不变。
技术实现思路
1、本专利技术的第一方面是一种用于制造透明导电层压体的透明导电基材，所述透明导电基材依次包括：第一抗蚀剂层、第一透明导电层、透明芯、第二透明导电层和第二抗蚀剂层；
2、其中
3、透明芯具有60％或更大的在400nm-800nm范围内的总透射率(t400-800)；
4、该第一抗蚀剂层由uv光敏感的组合物构成；
5、该第二抗蚀剂层由可见光敏感的组合物构成；
6、uv光敏感的组合物通过曝光于波长低于400nm的光线经受光聚合；并且
7、可见光敏感的组合物通过曝光于400nm至800nm的波长区域的光线经受光聚合。
8、本专利技术的第二方面是一种用于制造本专利技术的透明导电基材的方法，该方法包括：
9、(i)提供透明芯；
10、(ii)在透明芯的一个表面上形成第一透明导电层；
11、(iii)在透明芯的相反表面上形成第二透明导电层；
12、(iv)在第一透明导电层上施加uv光敏感的组合物(c1)以形成第一抗蚀剂层；以及
13、(v)在第二透明导电层上施加可见光敏感的组合物(c2)以形成第二抗蚀剂层。
14、本专利技术的第三方面是一种用于制造透明导电层压体的双面光刻方法，该方法包括：
15、(a)提供本专利技术的透明导电基材；
16、(b)通过第一光源曝光第一抗蚀剂层并且同时通过第二光源曝光第二抗蚀剂层；
17、(c)通过去除相应抗蚀剂层的未曝光部分使第一抗蚀剂图案和第二抗蚀剂图案同时显影；
18、(d)同时蚀刻第一透明导电层和第二透明导电层的未被相应抗蚀剂图案保护的部分；以及
19、(e)同时剥离第一抗蚀剂图案和第二抗蚀剂图案以获得透明导电层压体；
20、其中
21、透明导电层压体包括在透明芯的每个面上的第一导电电路和第二导电电路，并且第一导电电路与第二导电电路的设计图案彼此不同；
22、第一光源和第二光源位于透明导电基材的相反面；
23、第一光源辐照波长低于400nm且具有目标曝光能量的光线以使第一抗蚀剂层图案化，使得第二抗蚀剂层基本上不被第一光源图案化；
24、第二光源对第二抗蚀剂层辐照波长在400nm至800nm之间且具有目标曝光能量的光线，使得第一抗蚀剂层基本上不被第二光源辐照的光线图案化。
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1.一种用于制造透明导电层压体的透明导电基材，所述透明导电基材依次包括：第一抗蚀剂层、第一透明导电层、透明芯、第二透明导电层和第二抗蚀剂层；
2.如权利要求1所述的透明导电基材，其中，所述UV光敏感的组合物包含：
3.如权利要求1所述的透明导电基材，其中，所述可见光敏感的组合物包含：
4.如权利要求1所述的透明导电基材，其中，所述透明芯是玻璃、柔性玻璃或石英的片材；或是由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、乙酸纤维素、聚乙烯、聚丙烯、环状聚烯烃、聚(甲基)丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚(醚砜)、聚砜或其组合构成的聚合物膜。
5.如权利要求1所述的透明导电基材，其中，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层各自独立地含有选自由以下项构成的导电材料：氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌；碳纳米管；以及铜、银、铂或金的纳米线。
6.如权利要求1所述的透明导电基材，其中，所述透明芯具有1μm至200μm的厚度；所述第一透明导电层和所述第二透明导电层各自独立地具有0.001μm至10μm的
7.如权利要求1所述的透明导电基材，其进一步包括与所述第一抗蚀剂层接触的第一聚合物膜和与所述第二抗蚀剂层接触的第二聚合物膜，其中所述第一聚合物膜和所述第二聚合物膜各自独立地由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯或聚丙烯构成；并且各自独立地具有1μm至100μm的厚度。
8.一种用于制造如权利要求1所述的透明导电基材的方法，所述方法包括：
9.如权利要求8所述的方法，其中，步骤(ii)或步骤(iii)通过旋涂、浸渍和化学气相沉积(CVD)独立地进行。
10.一组用于制造如权利要求1所述的透明导电基材的干膜，其包括：UV光敏感的干膜(DF1)和可见光敏感的干膜(DF2)；其中
11.一种用于制造如权利要求7所述的透明导电基材的方法，所述方法包括：
12.如权利要求11所述的方法，其中，步骤(II)或步骤(III)通过旋涂、浸渍和化学气相沉积(CVD)独立地进行。
13.一种用于制造透明导电层压体的双面光刻方法，所述方法包括：
14.如权利要求13所述的双面光刻方法，其中，所述第一光源辐照波长为365nm的光线，并且所述第二光源辐照波长为405nm或438nm的光线。
15.一种透明导电层压体，其是通过如权利要求13所述的双面光刻方法制造的。
16.一种触摸面板，其包括如权利要求15所述的透明导电层压体，其中所述触摸面板作为输入设备附接在电子显示器上。
17.一种制品，其包含如权利要求16所述的触摸面板，其中所述制品是娱乐设备、移动设备、或电子设备。
...【技术特征摘要】
1.一种用于制造透明导电层压体的透明导电基材，所述透明导电基材依次包括：第一抗蚀剂层、第一透明导电层、透明芯、第二透明导电层和第二抗蚀剂层；
2.如权利要求1所述的透明导电基材，其中，所述uv光敏感的组合物包含：
3.如权利要求1所述的透明导电基材，其中，所述可见光敏感的组合物包含：
4.如权利要求1所述的透明导电基材，其中，所述透明芯是玻璃、柔性玻璃或石英的片材；或是由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、乙酸纤维素、聚乙烯、聚丙烯、环状聚烯烃、聚(甲基)丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚(醚砜)、聚砜或其组合构成的聚合物膜。
5.如权利要求1所述的透明导电基材，其中，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层各自独立地含有选自由以下项构成的导电材料：氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌；碳纳米管；以及铜、银、铂或金的纳米线。
6.如权利要求1所述的透明导电基材，其中，所述透明芯具有1μm至200μm的厚度；所述第一透明导电层和所述第二透明导电层各自独立地具有0.001μm至10μm的厚度；并且所述第一抗蚀剂层和所述第二抗蚀剂层各自独立地具有0.1μm至50μm的厚度。
7.如权利要求1所述的透明导电基材，其进一步包括与所述第一抗蚀剂层接触的第一聚合物膜和与所述第二抗蚀剂层接触的第二聚合物膜，其中所述第一聚合物...
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