【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子器件散热，具体涉及一种大功率发热器件的强化散热结构及散热方法。
技术介绍
1、如今，不断提升的智能化等级对芯片运算速度提出更苛刻的要求，同时也对芯片散热提出更高的要求。以7nm和3nm芯片为例，相同规格的芯片在提供相同算力时，3nm芯片的发热量仅为7nm的一半。为确保芯片能充分发挥应有算力，实现芯片是高效散热尤为重要。
2、当前主流芯片散热方式为风冷和液冷散热，但受芯片散热面积的影响，无法为高功率芯片提供充足的热耗散能力。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提出一种大功率发热器件的强化散热结构及散热方法，能够增加大功率发热器件的等效散热面积，为实现大功率发热器件的有效散热提供保障。
2、本专利技术的技术方案是这样实现的：
3、一种大功率发热器件的强化散热结构，包括大功率发热器件，大功率发热器件的上表面设有相变传热器件，相变传热器件内填充有相变工质，相变传热器件的蒸发端与大功率发热器件接触，相变传热器件的冷凝端远离大功率发热器件，大功率发热器件与相变传热器件的接触面内设有导热界面材料。
4、优选的，相变传热器件的蒸发端面积大于或者等于大功率发热器件的上表面面积。
5、优选的，相变传热器件包括主体部和设置在主体部下方的配合部，主体部的横截面积大于配合部的横截面积，配合部的横截面积大于或等于大功率发热器件的上表面面积，配合部的下表面与大功率发热器件接触。
6、优选的，相变传热器件远离大
7、优选的，翅片换热器远离相变传热器件的一面设有风扇。
8、优选的，相变传热器件远离大功率发热器件的一面设有风扇。
9、优选的，相变传热器件远离大功率发热器件的一面设有液冷板。
10、优选的，大功率发热器件安装在电路板上，相变传热器件的角部贯穿设有螺纹孔，螺栓穿过螺纹孔螺接在电路板上。
11、一种大功率发热器件的散热方法，包括如下步骤：
12、s1：以铜、铝、不锈钢或陶瓷作为相变传热器件的外壳，向相变传热器件内填充相变工质；
13、s2：将相变传热器件放置在大功率发热器件的上表面使得相变传热器件的蒸发端与大功率发热器件的上表面接触，并将导热界面材料固定在大功率发热器件与相变传热器件的接触面内；
14、s3：将相变传热器件通过螺栓连接、焊接或者胶接的方式安装固定在大功率发热器件的上表面。
15、优选的，还包括如下步骤：
16、s4：将翅片换热器、风扇或者液冷板固定在相变传热器件远离大功率发热器件的一面。
17、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
18、通过将相变传热器件的蒸发端与大功率发热器件接触，并在大功率发热器件与相变传热器件的接触面内设置导热界面材料，大功率发热器件的热量能够通过导热界面材料的导热作用传递至相变传热器件，随后在相变传热器件内进行汽-液相变传热实现热量的高效扩散，增加大功率发热器件的等效散热面积，为实现大功率发热器件的有效散热提供保障。
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1.一种大功率发热器件的强化散热结构，包括大功率发热器件，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的大功率发热器件的强化散热结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的大功率发热器件的强化散热结构，其特征在于，
4.根据权利要求1-3任一项所述的大功率发热器件的强化散热结构，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的大功率发热器件的强化散热结构，其特征在于，
6.根据权利要求1-3任一项所述的大功率发热器件的强化散热结构，其特征在于，
7.根据权利要求1-3任一项所述的大功率发热器件的强化散热结构，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的大功率发热器件的强化散热结构，其特征在于，
9.一种大功率发热器件的散热方法，其特征在于，包括如下步骤：
10.根据权利要求9所述的大功率发热器件的散热方法，其特征在于，还包括如下步骤：
【技术特征摘要】
1.一种大功率发热器件的强化散热结构，包括大功率发热器件，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的大功率发热器件的强化散热结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的大功率发热器件的强化散热结构，其特征在于，
4.根据权利要求1-3任一项所述的大功率发热器件的强化散热结构，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的大功率发热器件的强化散热结构，其特征在于，
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